Journal of Semiconductors

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Volume 20, Issue 6, Jun 1999

CONTENTS

CdF_2半导体中表面磁极化子的性质

肖景林, 额尔敦朝鲁, 张鹏

Chin. J. Semicond. 1999, 20(6): 441

硅中氦离子注入所产生的微孔结构的吸杂作用

闵靖, 朱剑豪, 吕翔

Chin. J. Semicond. 1999, 20(6): 448

Pd/Sb(Mn)薄膜的光学性质研究

程磊, 赵一广, 吴克, 焦鹏飞, 陈娓兮

Chin. J. Semicond. 1999, 20(6): 452

Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片的增强氧沉淀

王启元, 王俊, 韩秀峰, 邓惠芳, 王建华, 昝育德, 蔡田海, 郁元桓, 林兰英

Chin. J. Semicond. 1999, 20(6): 458

多晶硅薄膜应力特性研究

张国炳, 郝一龙, 田大宇, 刘诗美, 王铁松, 武国英

Chin. J. Semicond. 1999, 20(6): 463

SiGe HBTs高频特性模拟分析

赵立新, 沈光地

Chin. J. Semicond. 1999, 20(6): 468

一种新型的光敏变容管的研究

陈杰

Chin. J. Semicond. 1999, 20(6): 476

VLSI3-维容错结构及其成品率分析

赵天绪, 郝跃, 许冬岗

Chin. J. Semicond. 1999, 20(6): 481

GaAs/GaAlAs量子阱激子能量调谐的新方法

徐仲英, 王建农, 王玉琪, 葛惟琨, 李晴, 李树深

Chin. J. Semicond. 1999, 20(6): 488

ZnCdSe/ZnSe单量子阱中的双激子发光谱

魏彦锋, 黄大鸣, 王兴军, 俞根才, 诸长生, 王迅

Chin. J. Semicond. 1999, 20(6): 492

δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移

程文超, 夏建白, 郑文硕, 黄醒良, 金载元, 林三镐, 瑞恩庆, 李亨宰

Chin. J. Semicond. 1999, 20(6): 497

浅离子注入InGaAs/InGaAsP SL-MQW激光器的混合蓝移效应

朱洪亮, 韩德俊, 胡雄伟, 汪孝杰, 王圩

Chin. J. Semicond. 1999, 20(6): 501

Multi-Wavelength InGaAsP Lasers Grown by LP-MOCVD Selective Area Growth Technology

Xu Guoyang, Yan Xuejin, Zhu Hongliang，Zhou Fan, Duan Lihong, Tian Huiliang，Bai Yunxia, Wang Wei

Chin. J. Semicond. 1999, 20(6): 506

VLSI Design Debug Using Focused Ion Beam Technology

Chang, Xu

Chin. J. Semicond. 1999, 20(6): 510

高质量栅氧化层的制备及其辐照特性研究

张兴, 王阳元

Chin. J. Semicond. 1999, 20(6): 515

包含自加热效应的BJT电路的直流及瞬态模拟

陈勇, 杨谟华, 朱德之

Chin. J. Semicond. 1999, 20(6): 520

聚硅烷(紫外光敏材料)的氧等离子体处理特性

谢茂浓, 傅鹤鉴

Chin. J. Semicond. 1999, 20(6): 525