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Volume 21, Issue 10, Oct 2000
CONTENTS
Impactof Device Architecture on Performance and Reliability of Deep Submicron SOI MOSFETs( invited paper)
F.Balestra
Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 937-954
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Analytical Charge Voltage Model in MOS InversionLayer Based on Space Charge Capacitance
马玉涛, 刘理天, 李志坚
Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 955-961
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Annealing Behavior of Si_(1-x)Ge_x/Si Heterostructures
于卓, 李代宗, 成步文, 李成, 雷震霖, 黄昌俊, 张春辉, 余金中, 王启明, 梁骏吾
Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 962-965
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Compact and Economical MMI Optical Power Splitter for Optical Communication
马慧莲, 杨建义, 江晓清, 王明华
Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 966-969
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Development of Microwave SiGe Heterojunction Bipolar Transistors
贾宏勇, 朱文斌, 刘志农, 陈培毅, 钱佩信
Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 970-973
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Effects of Rapid Thermal Annealing on OpticalProperties of GaInNAs/GaAs Single Quantum Well Grown by Plasma- Assisted Molecular Beam Epitaxy
张伟, 潘钟, 李联合, 王学宇, 林耀望
Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 974-978
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双层多孔硅结构上的UHV/CVD硅外延
王瑾, 黄靖云, 黄宜平, 李爱珍, 包宗明, 竺士炀, 叶志镇
Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 979-983
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量子阱DBR微腔激光器中自发发射的控制
赵红东, 张以谟, 张存善, 周革, 沈光地
Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 984-987
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掺铒a-Si∶H,O薄膜1.54μm光致发光和微结构
陈维德, 梁建军, 王永谦
Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 988-992
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SIMOX薄膜材料的红外光谱特性和薄膜厚度的非破坏性测量方法
卢殿通, P L F Hemment
Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 993-998
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利用FN振荡电流测量超薄栅MOS结构的栅氧化层厚度
毛凌锋, 谭长华, 许铭真, 卫建林
Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 999-1004
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高压功率集成电路的混合模拟
张旻, 李肇基, 杨之廉
Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 1005-1009
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GaAs单片集成激光器驱动电路在片测量
孙伟, 田小建, 孙建国, 衣茂斌, 张慕义, 张玉清, 马振昌
Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 1010-1013
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半导体放电管多元胞结构模型
王惠刚, 余岳辉, 刘凤美, 彭昭廉, 黄秋芝
Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 1014-1018
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ECR等离子体对单晶硅的低温大面积表面处理
孙剑, 吴嘉达, 钟晓霞, 来冰, 丁训民, 李富铭
Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 1019-1023
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离子注入降低PtSi肖特基二极管的势垒高度
刘爽, 宁永功, 杨忠孝, 陈艾, 熊平, 杨家德
Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 1024-1027
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用ΔV_(be)法对双极晶体管结温不均匀性的测量
杨志伟, 苗庆海, 张德骏, 张兴华, 杨列勇
Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 1028-1031
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一种规整高速的费马数模乘的VLSI结构
周浩华, 李志勇, 谢文录, 章倩苓
Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 1032-1037
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应变补偿InGaAs/InAlAs量子级联激光器
刘峰奇, 张永照, 张权生, 王占国
Chin. J. Semicond.  2000, 21(10): 1038-1040
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