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Volume 21, Issue 12, Dec 2000

• CONTENTS

  Numerical Analysis of Characterized Back Interface Traps of SOI Devices by R-G Current

  何进, 黄如, 张兴, 黄爱华, 孙飞, 王阳元

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1145
  

  Effects of Growth Conditions on Optical Properties of GaInNAs/GaAs Quantum Well Grown by Molecular Beam Epitaxy

  李联合, 潘钟, 张伟, 林耀望, 王学宇, 吴荣汉

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1152
  

  A New Method for Optimizing Layout Parameter ofan Integrated On- Chip Inductor in CMOS RF IC's

  李力南, 钱鹤

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1157
  

  Circuit Design of On-Chip BP Learning Neural Network with Programmable Neuron Characteristics

  卢纯, 石秉学, 陈卢

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1164
  

  纳米硅薄膜的Raman光谱

  徐刚毅, 王天民, 李国华, 王金良, 何宇亮, 马智训, 郑国珍

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1170
  

  ZnSe薄膜的激子光谱

  盛传祥, 王兴军, 俞根才, 黄大鸣

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1177
  

  入射光强对Ag-BaO薄膜内场助光电发射特性的影响

  张琦锋, 吴锦雷

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1183
  

  半导体纳米粒子的电容

  何红波, 周继承, 胡慧芳, 李义兵

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1189
  

  全固源分子束外延生长InP和InGaAsP

  郝智彪, 卢京辉, 任在元, 罗毅

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1193
  

  Determination of Threshold Voltage and Mobility of MOSFET by Proportional Difference Operator

  王金延, 许铭真, 谭长华

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1198
  

  MFIS结构的C-V特性

  颜雷, 汤庭鳌, 黄维宁, 姜国宝, 钟琪, 汤祥云

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1203
  

  SiGe/SiHBT发射结的寄生势垒及其对器件室温和低温特性的影响

  徐晨, 沈光地, 陈建新, 邹德恕, 李建军, 罗辑, 魏欢, 周静, 董欣

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1208
  

  高精度单向模拟开关的设计及其基于CMOS工艺的电路实现

  兀革, 石寅

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1214
  

  宽带3—5μm量子阱红外探测器的研制

  李宏伟, 李卫, 黄绮, 周均铭

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1220
  

  新型互补式宽频带线性移相器

  田小建, 张大明, 孙伟, 衣茂斌

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1224
  

  旁栅电压下MESFET沟道电流的低频振荡

  丁勇, 赵福川, 毛友德, 夏冠群, 赵建龙

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1228
  

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