Journal of Semiconductors

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Volume 21, Issue 2, Feb 2000

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A Quasi-Therm odynam ic Model of MOVPE of InGaN

陆大成, 段树坤

Chin. J. Semicond. 2000, 21(2): 105-114

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(2): 105.

陆大成, 段树坤. A Quasi-Therm odynam ic Model of MOVPE of InGaN[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(2): 105..Export: BibTex EndNote

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Arrayed-Waveguide Layout for AWG Design

欧海燕, 雷红兵, 杨沁清, 王启明, 胡雄伟

Chin. J. Semicond. 2000, 21(2): 115-119

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(2): 115.

欧海燕, 雷红兵, 杨沁清, 王启明, 胡雄伟. Arrayed-Waveguide Layout for AWG Design[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(2): 115..Export: BibTex EndNote

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纳米结构器件材料结构参数的新测试方法

薛舫时

Chin. J. Semicond. 2000, 21(2): 120-126

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(2): 120.

薛舫时. 纳米结构器件材料结构参数的新测试方法[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(2): 120..Export: BibTex EndNote

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硅基多孔U-SiC薄膜的电致发光及其机理分析

吴晓华, 鲍希茂, 李宁生, 廖良生, 郑祥钦

Chin. J. Semicond. 2000, 21(2): 127-131

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(2): 127.

吴晓华, 鲍希茂, 李宁生, 廖良生, 郑祥钦. 硅基多孔U-SiC薄膜的电致发光及其机理分析[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(2): 127..Export: BibTex EndNote

吴晓华, 鲍希茂, 李宁生, 廖良生, 郑祥钦. 硅基多孔U-SiC薄膜的电致发光及其机理分析[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(2): 127...

有Si覆盖的部分氧化多孔硅的光致发光

顾沂, 吴兴龙, 唐宁, 鲍希茂

Chin. J. Semicond. 2000, 21(2): 132-136

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(2): 132.

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MOVPE法生长AlGaAs过程中Al分配系数的动力学研究

公延宁, 莫金玑, 余海生, 夏冠群

Chin. J. Semicond. 2000, 21(2): 137-141

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(2): 137.

公延宁, 莫金玑, 余海生, 夏冠群. MOVPE法生长AlGaAs过程中Al分配系数的动力学研究[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(2): 137..Export: BibTex EndNote

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用气态源分子束外延生长法制备Si/SiGe/Sinpn异质结双极晶体管

刘学锋, 李晋闽, 孔梅影, 黄大定, 李建平, 林兰英

Chin. J. Semicond. 2000, 21(2): 142-145

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(2): 142.

刘学锋, 李晋闽, 孔梅影, 黄大定, 李建平, 林兰英. 用气态源分子束外延生长法制备Si/SiGe/Sinpn异质结双极晶体管[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(2): 142..Export: BibTex EndNote

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薄栅氧化层击穿特性的实验研究

刘红侠, 郝跃

Chin. J. Semicond. 2000, 21(2): 146-150

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(2): 146.

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MOSFET衬底电流模型在深亚微米尺寸下的修正

孙自敏, 刘理天, 李志坚

Chin. J. Semicond. 2000, 21(2): 151-155

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(2): 151.

孙自敏, 刘理天, 李志坚. MOSFET衬底电流模型在深亚微米尺寸下的修正[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(2): 151..Export: BibTex EndNote

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0.15μm薄膜全耗尽MOS/SOI器件的设计和研制

张兴, 王阳元

Chin. J. Semicond. 2000, 21(2): 156-160

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(2): 156.

张兴, 王阳元. 0.15μm薄膜全耗尽MOS/SOI器件的设计和研制[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(2): 156..Export: BibTex EndNote

张兴, 王阳元. 0.15μm薄膜全耗尽MOS/SOI器件的设计和研制[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(2): 156...

薄膜SOI RESURF结构击穿电压分析

李文宏, 罗晋生

Chin. J. Semicond. 2000, 21(2): 161-168

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(2): 161.

李文宏, 罗晋生. 薄膜SOI RESURF结构击穿电压分析[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(2): 161..Export: BibTex EndNote

李文宏, 罗晋生. 薄膜SOI RESURF结构击穿电压分析[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(2): 161...

电子辐照下的SiC少子寿命退化模型

尚也淳, 张义门, 张玉明

Chin. J. Semicond. 2000, 21(2): 169-173

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(2): 169.

尚也淳, 张义门, 张玉明. 电子辐照下的SiC少子寿命退化模型[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(2): 169..Export: BibTex EndNote

尚也淳, 张义门, 张玉明. 电子辐照下的SiC少子寿命退化模型[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(2): 169...

CMOS SRAM单粒子翻转效应的解析分析

贺朝会, 李国政, 罗晋生, 刘恩科

Chin. J. Semicond. 2000, 21(2): 174-178

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(2): 174.

贺朝会, 李国政, 罗晋生, 刘恩科. CMOS SRAM单粒子翻转效应的解析分析[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(2): 174..Export: BibTex EndNote

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偏置对PMOS剂量计辐照响应的影响

范隆, 张国强, 严荣良, 艾尔肯, 任迪远

Chin. J. Semicond. 2000, 21(2): 179-183

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(2): 179.

范隆, 张国强, 严荣良, 艾尔肯, 任迪远. 偏置对PMOS剂量计辐照响应的影响[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(2): 179..Export: BibTex EndNote

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有机多层白光发光二极管

谢志元, 李传南, 黄劲松, 肖步文, 冯晶, 刘式墉, 李艳芹, 王悦, 沈家骢, 侯鸣波

Chin. J. Semicond. 2000, 21(2): 184-187

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(2): 184.

谢志元, 李传南, 黄劲松, 肖步文, 冯晶, 刘式墉, 李艳芹, 王悦, 沈家骢, 侯鸣波. 有机多层白光发光二极管[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(2): 184..Export: BibTex EndNote

谢志元, 李传南, 黄劲松, 肖步文, 冯晶, 刘式墉, 李艳芹, 王悦, 沈家骢, 侯鸣波. 有机多层白光发光二极管[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(2): 184...

半绝缘InP的优化生长条件以及掩埋的1.55μm激光器

许国阳, 颜学进, 朱洪亮, 段俐宏, 周帆, 田慧良, 白云霞, 王圩

Chin. J. Semicond. 2000, 21(2): 188-191

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(2): 188.

许国阳, 颜学进, 朱洪亮, 段俐宏, 周帆, 田慧良, 白云霞, 王圩. 半绝缘InP的优化生长条件以及掩埋的1.55μm激光器[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(2): 188..Export: BibTex EndNote

许国阳, 颜学进, 朱洪亮, 段俐宏, 周帆, 田慧良, 白云霞, 王圩. 半绝缘InP的优化生长条件以及掩埋的1.55μm激光器[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(2): 188...

基于神经网络方法的半导体生产工艺优化

王向东, 陈咏梅, 王守觉, 石林初

Chin. J. Semicond. 2000, 21(2): 192-196

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(2): 192.

王向东, 陈咏梅, 王守觉, 石林初. 基于神经网络方法的半导体生产工艺优化[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(2): 192..Export: BibTex EndNote

王向东, 陈咏梅, 王守觉, 石林初. 基于神经网络方法的半导体生产工艺优化[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(2): 192...

用于自对准提升硅化物结构的Co/Si/Ti/Si及Co/Si/…Ti/Si多层薄膜固相反应研究

屈新萍, 茹国平, 刘建海, 房华, 徐鸿涛, 李炳宗

Chin. J. Semicond. 2000, 21(2): 197-203

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(2): 197.

屈新萍, 茹国平, 刘建海, 房华, 徐鸿涛, 李炳宗. 用于自对准提升硅化物结构的Co/Si/Ti/Si及Co/Si/…Ti/Si多层薄膜固相反应研究[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(2): 197..Export: BibTex EndNote

屈新萍, 茹国平, 刘建海, 房华, 徐鸿涛, 李炳宗. 用于自对准提升硅化物结构的Co/Si/Ti/Si及Co/Si/…Ti/Si多层薄膜固相反应研究[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(2): 197...

SMT焊点形态成形和焊点可靠性CAD

周德俭, 潘开林, 刘常康

Chin. J. Semicond. 2000, 21(2): 204-208

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(2): 204.

周德俭, 潘开林, 刘常康. SMT焊点形态成形和焊点可靠性CAD[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(2): 204..Export: BibTex EndNote

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