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Volume 21, Issue 4, Apr 2000

• CONTENTS

  Quantum Confinement Effects in Strained Si Ge/Si Multiple Quantum Wells

  成步文, 李代宗, 黄昌俊, 张春晖, 于卓, 余金中, 王启明

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 313
  

  多晶硅超薄沟道薄膜晶体管研制(英文)

  张盛东, 韩汝琦, 关旭东, 刘晓彦, 王阳元

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 317
  

  Net Congestion Elimination for Datapathsby Placement Refinement

  文化, 唐璞山

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 325
  

  固体C_(70)/Si异质结的界面电子态

  陈开茅, 孙文红, 吴克, 武兰青, 周锡煌, 顾镇南, 卢殿通

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 333
  

  硫钝化对Fe/GaAs(100)界面电子结构和磁性质的影响

  徐彭寿, 张发培, 祝传刚, 陆尔东, 徐法强, 潘海斌, 张新夷

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 340
  

  生长于Si(111)上的氮化硅薄膜表面结构

  翟光杰, 杨建树, 陈显邦, 王学森

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 346
  

  躺在石墨表面上的碳纳米管

  刘虹雯, 薛增泉, 刘惟敏, 施祖进, 吴锦雷

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 354
  

  阵列波导光栅复用/解复用器光栅孔径对器件性能影响的数值分析

  雷红兵, 欧海燕, 杨沁清, 胡雄伟, 余金中, 王启明

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 359
  

  MOCVD生长P型GaN的掺Mg量的研究

  李述体, 王立, 彭学新, 熊传兵, 姚冬敏, 辛勇, 江风益

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 365
  

  Au-GaN肖特基结的伏安特性

  林兆军, 张太平, 武国英, 王玮, 阎桂珍, 孙殿照, 张建平, 张国义

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 369
  

  基于有效态密度的MOS结构电荷控制模型

  马玉涛, 刘理天, 李志坚

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 373
  

  MOS晶体管中辐照引起的陷阱正电荷的强压退火

  姚育娟, 张正选, 姜景和, 何宝平, 罗尹虹

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 378
  

  PMOS剂量计的退火特性

  范隆, 任迪远, 张国强, 严荣良, 艾尔肯

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 383
  

  GAT双极晶体管的高频高压兼容特性

  庄宝煌, 黄美纯, 朱梓忠, 李开航, 吴丽清

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 388
  

  In_2O_3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制

  陈猛, 白雪冬, 黄荣芳, 闻立时

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 394
  

  基于神经网络方法预测薄膜的厚度

  于丽娟, 朱长纯, 陈晓宁

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 400
  

  聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型

  常旭, 宗祥福

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 404
  

  功率器件管壳的热应力分析

  王雪梅, 孙学伟, 贾松良

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 409
  

  InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管

  陆大成, 韩培德, 刘祥林, 王晓晖, 汪度, 袁海荣, 王良臣, 徐萍, 姚文卿, 高翠华, 刘焕章, 葛永才, 郑东

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 414
  

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