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Volume 21, Issue 6, Jun 2000

• CONTENTS

  薄层SOS薄膜材料外延生长及其器件应用(英文)

  王启元, 聂纪平, 刘忠立, 郁元桓

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(6): 521
  

  A Monolithically Integrated 12V/5V Switch- Capacitor DC- DC Converter

  耿莉, 陈治明, 刘先锋

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(6): 529
  

  A Novel Depletion- Mode MOS Gated Emitter Shorted Thyristor

  张鹤鸣, 戴显英, 张义门, 马晓华, 林大松

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(6): 536
  

  离子注入硅快速退火合成Y硅化物的特性(英文)

  张通和, 吴瑜光

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(6): 542
  

  高质量立方相InGaN的生长

  李顺峰, 杨辉, 徐大鹏, 赵德刚, 孙小玲, 王玉田, 张书明

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(6): 548
  

  GaN薄膜的微区Raman散射光谱

  童玉珍, 张国义, MingS Liu, L A Bursill

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(6): 554
  

  掺GeZnSe的稳恒光电导及其局域性效应

  张雷, 胡古今, 戴宁, 陈良尧

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(6): 559
  

  UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学

  于卓, 李代宗, 成步文, 黄昌俊, 雷震霖, 余金中, 王启明, 梁骏吾

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(6): 564
  

  在Si(111)上脉冲ArF准分子激光淀积晶态定向α-SiC薄膜

  王玉霞, 温军, 郭震, 汤洪高, 黄继颇, 王连卫, 林成鲁

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(6): 570
  

  a-SiO_x∶H/a-SiO_y∶H多层薄膜微结构的退火行为

  郭震宁, 黄永箴, 郭亨群, 李世忱, 王启明

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(6): 576
  

  聚合物发光二极管中可逆的不稳定行为

  刘恩峰, 熊绍珍, 赵颖, 谢伟良, 吴春亚, 周祯华, 胡景康1张文伟, 申金媛, 陈建胜, 张苑岳, 张丽珠

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(6): 580
  

  填充碳纳米管/石墨的有机导电膜

  李宏建, 彭景翠, 陈小华, 欧谷平

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(6): 586
  

  高速SOIMOS器件及环振电路的研制

  黄如, 张兴, 孙胜, 王阳元

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(6): 591
  

  一种高速电流型CMOS数模转换器设计

  徐阳, 闵昊

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(6): 597
  

  基于Z参数的微波晶体管高频噪声网络分析方法

  钱伟, 张进书, 贾宏勇, 林惠旺, 钱佩信

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(6): 602
  

  具有TiN扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的可靠性

  张万荣, 李志国, 穆甫臣, 程尧海, 孙英华, 郭伟玲, 陈建新, 沈光地, 张玉清, 张慕义

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(6): 608
  

  亚微米IC器件中接触孔的填充和铝金属化工艺的技术

  梁京, 黄榕旭, 郑国祥, 林健, 庞海舟, 宗祥福

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(6): 614
  

  用扫描热显微镜测量亚微米尺度的局域热参数分布

  谢志刚, 韩立, 董占民, 王秀凤, 陈皓明, 顾毓沁, 晋宏师

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(6): 620
  

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