Journal of Semiconductors

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Volume 21, Issue 7, Jul 2000

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Monolithic Integration DFB Laser Array by Angling Active Stripe and Using Thin-Film Stripe Heater

张静媛, 刘国利, 朱洪亮, 汪孝杰, 周帆, 王圩

Chin. J. Semicond. 2000, 21(7): 625-629

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(7): 625.

张静媛, 刘国利, 朱洪亮, 汪孝杰, 周帆, 王圩. Monolithic Integration DFB Laser Array by Angling Active Stripe and Using Thin-Film Stripe Heater[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 625..Export: BibTex EndNote

张静媛, 刘国利, 朱洪亮, 汪孝杰, 周帆, 王圩. Monolithic Integration DFB Laser Array by Angling Active Stripe and Using Thin-Film Stripe Heater[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 625...

Novel Type of Wide-Bandwidth GaAs/AlGaAs Infrared Photodetectors

史衍丽, 邓军, 尹洁, 廉鹏, 董欣, 杜金玉, 高国, 邹德恕, 陈建新, 沈光地

Chin. J. Semicond. 2000, 21(7): 630-636

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(7): 630.

史衍丽, 邓军, 尹洁, 廉鹏, 董欣, 杜金玉, 高国, 邹德恕, 陈建新, 沈光地. Novel Type of Wide-Bandwidth GaAs/AlGaAs Infrared Photodetectors[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 630..Export: BibTex EndNote

史衍丽, 邓军, 尹洁, 廉鹏, 董欣, 杜金玉, 高国, 邹德恕, 陈建新, 沈光地. Novel Type of Wide-Bandwidth GaAs/AlGaAs Infrared Photodetectors[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 630...

Forming of Very Shallow Junction for S/D Extension in Deep Sub- Micron CMOS Devices

殷华湘, 徐秋霞

Chin. J. Semicond. 2000, 21(7): 637-645

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(7): 637.

殷华湘, 徐秋霞. Forming of Very Shallow Junction for S/D Extension in Deep Sub- Micron CMOS Devices[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 637..Export: BibTex EndNote

殷华湘, 徐秋霞. Forming of Very Shallow Junction for S/D Extension in Deep Sub- Micron CMOS Devices[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 637...

InGaN混溶隙的计算

童玉珍, 陈英勇, 张国义

Chin. J. Semicond. 2000, 21(7): 646-651

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(7): 646.

童玉珍, 陈英勇, 张国义. InGaN混溶隙的计算[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 646..Export: BibTex EndNote

童玉珍, 陈英勇, 张国义. InGaN混溶隙的计算[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 646...

衬底温度和生长速率对MBE自组织生长In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影响

于磊, 曾一平, 潘量, 孔梅影, 李晋闽, 李灵霄, 周宏伟

Chin. J. Semicond. 2000, 21(7): 652-656

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(7): 652.

于磊, 曾一平, 潘量, 孔梅影, 李晋闽, 李灵霄, 周宏伟. 衬底温度和生长速率对MBE自组织生长In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影响[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 652..Export: BibTex EndNote

于磊, 曾一平, 潘量, 孔梅影, 李晋闽, 李灵霄, 周宏伟. 衬底温度和生长速率对MBE自组织生长In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影响[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 652...

GaAs(100)热退火表面的变角XPS定量分析

汪贵华, 杨伟毅, 常本康

Chin. J. Semicond. 2000, 21(7): 657-661

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(7): 657.

汪贵华, 杨伟毅, 常本康. GaAs(100)热退火表面的变角XPS定量分析[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 657..Export: BibTex EndNote

汪贵华, 杨伟毅, 常本康. GaAs(100)热退火表面的变角XPS定量分析[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 657...

Ge/Si(100)界面互扩散的喇曼光谱

蒋伟荣, 周星飞, 施斌, 胡冬枝, 刘晓晗, 蒋最敏, 张翔九

Chin. J. Semicond. 2000, 21(7): 662-666

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(7): 662.

蒋伟荣, 周星飞, 施斌, 胡冬枝, 刘晓晗, 蒋最敏, 张翔九. Ge/Si(100)界面互扩散的喇曼光谱[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 662..Export: BibTex EndNote

蒋伟荣, 周星飞, 施斌, 胡冬枝, 刘晓晗, 蒋最敏, 张翔九. Ge/Si(100)界面互扩散的喇曼光谱[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 662...

硅、锗和氩离子注入富硅二氧化硅的电致发光

王艳兵, 孙永科, 乔永平, 张伯蕊, 秦国刚, 陈文台, 龚义元, 吴德馨, 马振昌, 宗婉华

Chin. J. Semicond. 2000, 21(7): 667-672

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(7): 667.

王艳兵, 孙永科, 乔永平, 张伯蕊, 秦国刚, 陈文台, 龚义元, 吴德馨, 马振昌, 宗婉华. 硅、锗和氩离子注入富硅二氧化硅的电致发光[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 667..Export: BibTex EndNote

王艳兵, 孙永科, 乔永平, 张伯蕊, 秦国刚, 陈文台, 龚义元, 吴德馨, 马振昌, 宗婉华. 硅、锗和氩离子注入富硅二氧化硅的电致发光[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 667...

在硅衬底上用HFCVD法生长的纳米SiC薄膜及其室温光致发光

余明斌, 马剑平, 罗家骏, 陈治明

Chin. J. Semicond. 2000, 21(7): 673-676

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(7): 673.

余明斌, 马剑平, 罗家骏, 陈治明. 在硅衬底上用HFCVD法生长的纳米SiC薄膜及其室温光致发光[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 673..Export: BibTex EndNote

余明斌, 马剑平, 罗家骏, 陈治明. 在硅衬底上用HFCVD法生长的纳米SiC薄膜及其室温光致发光[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 673...

Si基热氧化Si_(1-x-y)Ge_xC_y薄膜的室温光致发光特性

程雪梅, 郑有炓, 刘夏冰, 臧岚, 朱顺明, 韩平, 罗志云, 江若琏

Chin. J. Semicond. 2000, 21(7): 677-681

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(7): 677.

程雪梅, 郑有炓, 刘夏冰, 臧岚, 朱顺明, 韩平, 罗志云, 江若琏. Si基热氧化Si_(1-x-y)Ge_xC_y薄膜的室温光致发光特性[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 677..Export: BibTex EndNote

程雪梅, 郑有炓, 刘夏冰, 臧岚, 朱顺明, 韩平, 罗志云, 江若琏. Si基热氧化Si_(1-x-y)Ge_xC_y薄膜的室温光致发光特性[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 677...

弛豫SiGe外延层的UHV/CVD生长

罗广礼, 林小峰, 刘志农, 陈培毅, 林惠旺, 钱佩信, 刘安生

Chin. J. Semicond. 2000, 21(7): 682-685

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(7): 682.

罗广礼, 林小峰, 刘志农, 陈培毅, 林惠旺, 钱佩信, 刘安生. 弛豫SiGe外延层的UHV/CVD生长[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 682..Export: BibTex EndNote

罗广礼, 林小峰, 刘志农, 陈培毅, 林惠旺, 钱佩信, 刘安生. 弛豫SiGe外延层的UHV/CVD生长[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 682...

用SIPOS-SiO_2复合层对4H-SiCn~+pp~+结构钝化的分析

姜岩峰, 李思渊, 刘肃, 曹磊, 薄建军

Chin. J. Semicond. 2000, 21(7): 686-690

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(7): 686.

姜岩峰, 李思渊, 刘肃, 曹磊, 薄建军. 用SIPOS-SiO_2复合层对4H-SiCn~+pp~+结构钝化的分析[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 686..Export: BibTex EndNote

姜岩峰, 李思渊, 刘肃, 曹磊, 薄建军. 用SIPOS-SiO_2复合层对4H-SiCn~+pp~+结构钝化的分析[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 686...

中子辐照下的6H-SiCpn结电特性分析

尚也淳, 张义门, 张玉明

Chin. J. Semicond. 2000, 21(7): 691-696

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(7): 691.

尚也淳, 张义门, 张玉明. 中子辐照下的6H-SiCpn结电特性分析[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 691..Export: BibTex EndNote

尚也淳, 张义门, 张玉明. 中子辐照下的6H-SiCpn结电特性分析[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 691...

掺砷多晶硅发射极RCA晶体管

张利春, 叶红飞, 金雪林, 高玉芝, 宁宝俊

Chin. J. Semicond. 2000, 21(7): 697-704

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(7): 697.

张利春, 叶红飞, 金雪林, 高玉芝, 宁宝俊. 掺砷多晶硅发射极RCA晶体管[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 697..Export: BibTex EndNote

张利春, 叶红飞, 金雪林, 高玉芝, 宁宝俊. 掺砷多晶硅发射极RCA晶体管[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 697...

微波功率器件金属化布线回流加固结构

孙英华, 李志国, 程尧海, 张万荣

Chin. J. Semicond. 2000, 21(7): 705-710

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(7): 705.

孙英华, 李志国, 程尧海, 张万荣. 微波功率器件金属化布线回流加固结构[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 705..Export: BibTex EndNote

孙英华, 李志国, 程尧海, 张万荣. 微波功率器件金属化布线回流加固结构[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 705...

基于速度饱和的CMOS倒相器延迟模型

宋任儒, 阮刚, 梁擎擎, ReinhardStreiter, ThomasOtto, ThomasGessner

Chin. J. Semicond. 2000, 21(7): 711-716

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(7): 711.

宋任儒, 阮刚, 梁擎擎, ReinhardStreiter, ThomasOtto, ThomasGessner. 基于速度饱和的CMOS倒相器延迟模型[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 711..Export: BibTex EndNote

宋任儒, 阮刚, 梁擎擎, ReinhardStreiter, ThomasOtto, ThomasGessner. 基于速度饱和的CMOS倒相器延迟模型[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 711...

基于功耗最小的光电多芯片组件优化划分算法

陈伟元, 胡琴, 周正伟, 王豪才

Chin. J. Semicond. 2000, 21(7): 717-722

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(7): 717.

陈伟元, 胡琴, 周正伟, 王豪才. 基于功耗最小的光电多芯片组件优化划分算法[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 717..Export: BibTex EndNote

陈伟元, 胡琴, 周正伟, 王豪才. 基于功耗最小的光电多芯片组件优化划分算法[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 717...

GSMBE生长的高质量氮化镓材料

孙殿照, 王晓亮, 王军喜, 刘宏新, 刘成海, 曾一平, 李晋闽, 侯洵, 林兰英

Chin. J. Semicond. 2000, 21(7): 723-725

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(7): 723.

孙殿照, 王晓亮, 王军喜, 刘宏新, 刘成海, 曾一平, 李晋闽, 侯洵, 林兰英. GSMBE生长的高质量氮化镓材料[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 723..Export: BibTex EndNote

孙殿照, 王晓亮, 王军喜, 刘宏新, 刘成海, 曾一平, 李晋闽, 侯洵, 林兰英. GSMBE生长的高质量氮化镓材料[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 723...

InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管

王晓晖, 刘祥林, 陆大成, 袁海荣, 韩培德, 汪度

Chin. J. Semicond. 2000, 21(7): 726-728

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(7): 726.

王晓晖, 刘祥林, 陆大成, 袁海荣, 韩培德, 汪度. InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 726..Export: BibTex EndNote

王晓晖, 刘祥林, 陆大成, 袁海荣, 韩培德, 汪度. InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(7): 726...

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