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Volume 22, Issue 11, Nov 2001
Table of Content
CONTENTS
A Novel Semiconductor CIGS Photovoltaic Material and Thin-Film ED Technology
A
Chin. J. Semicond.  2001, 22(11): 1357-1363
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蒙特卡罗方法模拟金属-半导体接触的直接隧穿效应(英文)
孙雷, 杜刚, 刘晓彦, 韩汝琦
Chin. J. Semicond.  2001, 22(11): 1364-1368
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基于DLL的RF CMOS振荡器中电荷泵电流源失配(英文)
李金城, 仇玉林
Chin. J. Semicond.  2001, 22(11): 1369-1373
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高消光比偏振不灵敏电吸收调制器(英文)
孙洋, 王圩, 陈娓兮, 刘国利, 周帆, 朱洪亮
Chin. J. Semicond.  2001, 22(11): 1374-1376
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钕离子注入单晶硅光致发光的起源(英文)
肖志松, 徐飞, 张通和, 易仲珍, 程国安
Chin. J. Semicond.  2001, 22(11): 1377-1381
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氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量理论计算
范志新, 孙以材, 陈玖琳
Chin. J. Semicond.  2001, 22(11): 1382-1386
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钇钡铜氧半导体薄膜的宽光谱响应特性
万春明, 刘向东, 孙强, 李艳红, 刘景和, 李建立, 李国栋, 黄宗坦, 黄承彩, 李丹, 黄江平
Chin. J. Semicond.  2001, 22(11): 1387-1391
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高能Ar~+辐照P型CdZnTe的电学特性和光致发光
裴慧元, 李向阳, 方家熊, 侯明东
Chin. J. Semicond.  2001, 22(11): 1392-1396
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闪锌矿GaN(001)表面的电子结构
蔡端俊, 冯夏, 朱梓忠, 康俊勇
Chin. J. Semicond.  2001, 22(11): 1397-1400
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氮杂质对直拉单晶硅中位错的作用
李东升, 杨德仁, 朱爱平, 黄笑容, 王淦, 张锦心, 李立本, 阙端麟
Chin. J. Semicond.  2001, 22(11): 1401-1405
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有机染料在多孔铝中的发光研究
袁淑娟, 李清山, 潘志锋, 董艳锋, 王清涛, 冀会辉
Chin. J. Semicond.  2001, 22(11): 1406-1410
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电子从不同晶向Si隧穿快速热氮化SiO_2膜的电流增强及模型解释
冯文修, 陈蒲生, 田浦延, 刘剑
Chin. J. Semicond.  2001, 22(11): 1411-1415
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硅单晶生长中氩气流动对氧碳含量的影响
任丙彦, 张志成, 刘彩池, 郝秋燕, 王猛
Chin. J. Semicond.  2001, 22(11): 1416-1419
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肖特基C-V法研究Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结界面二维电子气
周玉刚, 沈波, 刘杰, 俞慧强, 周慧梅, 钱悦, 张荣, 施毅, 郑有炓
Chin. J. Semicond.  2001, 22(11): 1420-1424
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RF-MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料
孙殿照, 胡国新, 王晓亮, 刘宏新, 刘成海, 曾一平, 李晋闽, 林兰英
Chin. J. Semicond.  2001, 22(11): 1425-1428
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离子束外延生长半导体性锰硅化合物
杨君玲, 陈诺夫, 刘志凯, 杨少延, 柴春林, 廖梅勇, 何宏家
Chin. J. Semicond.  2001, 22(11): 1429-1433
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Si/SiGe PMOS器件的模拟优化设计与样品研制(英文)
杨沛锋, 李竞春, 于奇, 陈勇, 谢孟贤, 杨谟华, 何林, 李开成, 谭开洲, 刘道广, 张静, 易强, 凡则锐
Chin. J. Semicond.  2001, 22(11): 1434-1438
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碲镉汞光伏器件的电极界面参数
胡晓宁, 李言谨, 方家熊
Chin. J. Semicond.  2001, 22(11): 1439-1443
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高电流密度GAT型功率开关晶体管的结构设计优化
王哲, 吴郁, 亢宝位, 程序
Chin. J. Semicond.  2001, 22(11): 1444-1449
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低功耗64×64CMOS快照模式焦平面读出电路新结构
陈中建, 李晓勇, 吉利久, 韩建忠, 喻松林
Chin. J. Semicond.  2001, 22(11): 1450-1457
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一种高效MOS半波整流电路
路超, 李永明
Chin. J. Semicond.  2001, 22(11): 1458-1461
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MSM光探测器的直流特性
武术, 林世鸣, 刘文楷
Chin. J. Semicond.  2001, 22(11): 1462-1467
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MOS器件的质子总剂量效应
王桂珍, 张正选, 姜景和, 罗尹红, 彭宏论, 何宝平
Chin. J. Semicond.  2001, 22(11): 1468-1473
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一种新的等离子体边缘损伤的测量方法
朱志炜, 郝跃, 张进城
Chin. J. Semicond.  2001, 22(11): 1474-1480
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