Journal of Semiconductors

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Volume 22, Issue 3, Mar 2001

CONTENTS

采用高真空 /快速热处理 /化学气相淀积外延SiGe HBT结构(英文)

贾宏勇, 林惠旺, 陈培毅, 钱佩信

Chin. J. Semicond. 2001, 22(3): 251

等价掺杂转换理论预示扩散 -外延穿通P-N结的击穿电压和击穿峰值电场强度(英文)

何进, 张兴, 黄如, 王阳元

Chin. J. Semicond. 2001, 22(3): 256

用于光电子器件的低成本、高反射率SOR衬底(英文)

李成, 杨沁青, 王红杰, 王启明

Chin. J. Semicond. 2001, 22(3): 261

4H-SiC混合 PN/ Schottky二极管的研制(英文)

张玉明, 张义门, P Alexandrov, J H Zhao

Chin. J. Semicond. 2001, 22(3): 265

以注氮SiO_2作为铜互连技术中的新型阻挡层(英文)

张国海, 夏洋, 钱鹤, 高文芳, 于广华, 龙世兵

Chin. J. Semicond. 2001, 22(3): 271

一种新的基于单元扩大的拥挤度驱动的布局算法(英文)

侯文婷, 于泓, 洪先龙, 蔡懿慈, 吴为民, 顾钧

Chin. J. Semicond. 2001, 22(3): 275

Y型量子线中电子弹道输运性质

王传奎, 江兆潭

Chin. J. Semicond. 2001, 22(3): 283

GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布

张秀兰, 朱文珍, 黄大定

Chin. J. Semicond. 2001, 22(3): 288

硅片少子寿命的直排四探针测试

周全德

Chin. J. Semicond. 2001, 22(3): 292

InAs/GaAs自组织量子点激发态的激射

汪辉, 牛智川, 王海龙, 王晓东, 封松林

Chin. J. Semicond. 2001, 22(3): 295

氟金云母衬底上C_(60)薄膜的光学性质

邹云娟, 张兴旺, 宋雪梅, 严辉, 陈光华

Chin. J. Semicond. 2001, 22(3): 299

用三点弯方法研究微氮硅单晶机械强度

王淦, 杨德仁, 李东升, 杨辉, 李立本, 阙端麟

Chin. J. Semicond. 2001, 22(3): 304

利用装置环形永磁场的直拉炉(PMCZ)生长单晶硅和掺锗硅晶体

张维连, 孙军生, 张恩怀, 李嘉席

Chin. J. Semicond. 2001, 22(3): 309

立方GaAs(100)衬底上制备单相六方GaN薄膜

孙一军, 李爱珍, 齐鸣

Chin. J. Semicond. 2001, 22(3): 313

HV/CVD系统Si、SiGe低温掺杂外延

刘志农, 贾宏勇, 罗广礼, 陈培毅, 林惠旺, 钱佩信

Chin. J. Semicond. 2001, 22(3): 317

全电流模型的比例差分特性

杨存宇, 谭长华, 许铭真

Chin. J. Semicond. 2001, 22(3): 322

一个适用于模拟电路的深亚微米SOIMOSFET器件模型

廖怀林, 张兴, 黄如, 王阳元

Chin. J. Semicond. 2001, 22(3): 329

分布布拉格反射器(DBR)对半导体微腔一些特性的影响

刘宝利, 王炳燊, 徐仲英

Chin. J. Semicond. 2001, 22(3): 335

基于MOSFET比例差值特性的器件表征方法

王金延, 许铭真, 谭长华

Chin. J. Semicond. 2001, 22(3): 340

超高速双层多晶硅发射极晶体管及电路

张利春, 高玉芝, 金海岩, 倪学文, 莫邦燹, 宁宝俊, 罗葵, 叶红飞, 赵宝瑛, 张广勤

Chin. J. Semicond. 2001, 22(3): 345

S波段0.3W AlGaAs/GaAsHBT功率管

严北平, 张鹤鸣, 戴显英

Chin. J. Semicond. 2001, 22(3): 350

平面工艺辐射探测器的研制

张太平, 张录, 宁宝俊, 田大宇, 刘诗美, 王玮, 张洁天, 郭昭乔, 陈世媛

Chin. J. Semicond. 2001, 22(3): 354

SOIMOSFET因辐照引起的部分耗尽与全耗尽过渡区的漂移

万新恒, 张兴, 黄如, 甘学温, 王阳元

Chin. J. Semicond. 2001, 22(3): 358

一种新型的高性能CMOS电流比较器电路

陈卢, 石秉学, 卢纯

Chin. J. Semicond. 2001, 22(3): 362

采用二相功率时钟的无悬空输出绝热CMOS电路

杭国强, 吴训威

Chin. J. Semicond. 2001, 22(3): 366

行波半导体激光放大器电路模型

陈维友, 汪爱军, 张冶金, 刘彩霞, 刘式墉

Chin. J. Semicond. 2001, 22(3): 373

一种可编程Hamming神经网络特征提取器

栗国星, 石秉学

Chin. J. Semicond. 2001, 22(3): 378

300mm硅单晶的生长技术

张果虎, 吴志强, 方锋, 秦福, 常青, 周旗钢, 屠海令

Chin. J. Semicond. 2001, 22(3): 383