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Volume 22, Issue 5, May 2001

• CONTENTS

  Quantum Well Infrared Photodetectors:the Basic Design and New Research Directions

  H, C, Liu

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 529
  

  带门极双层Si-δ-掺杂GaAs中的奇特非线性耗尽(英文)

  卢铁城, 林理彬, M LEVIN, V GINODMAN, I SHLIMAK

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 538
  

  采用TEOS和H_2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜(英文)

  雷红兵, 王红杰, 邓晓清, 杨沁清, 胡雄伟, 王启明, 廖左升, 杨基南

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 543
  

  一种用于功率模块热分布特性研究的精确模型(英文)

  耿莉, 陈治明, R Kruemmer, T Reimann, J Petzoldt

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 548
  

  槽栅MOS控制的晶闸管(英文)

  张鹤鸣, 戴显英, 张义门, 林大松

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 554
  

  一种用采用边界元方法的芯片级热分布分析算法(英文)

  崔铭栋, 赵文庆, 唐璞山

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 558
  

  新型亚50纳米硅栅制作技术(英文)

  张盛东, 韩汝琦, 刘晓彦, 关旭东, 李婷, 张大成

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 565
  

  InGaN光致发光性质与温度的关系

  樊志军, 刘祥林, 万寿科, 王占国

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 569
  

  刻划的富硅二氧化硅/p-Si结构的光致发光和电致发光

  孙永科, 崔晓明, 张伯蕊, 秦国刚, 马振昌, 宗婉华

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 573
  

  微重力条件下开口矩形容器的小Pr热毛细对流

  朱丽红, 刘秋生, 胡文瑞

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 580
  

  等离子体化学气相沉积非晶SiO_x∶H(0≤x≤2.0)薄膜的红外光谱

  何乐年

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 587
  

  高阻CdZnTe晶体的退火处理

  李道强, 桑文斌, 钱永彪, 史伟民, 李冬梅, 李万万, 闵嘉华, 刘冬华

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 594
  

  低碳含量a-Si_(1-x)C_x∶H薄膜的化学键结构

  王燕, 岳瑞峰, 韩和相, 廖显伯, 王永谦, 刁宏伟, 孔光临

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 599
  

  MOCVD生长的InGaN薄膜的离子束背散射沟道及其光致发光

  李述体, 江风益, 彭学新, 王立, 熊传兵, 李鹏, 莫春兰

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 604
  

  选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料

  刘国利, 王圩, 张佰君, 许国阳, 陈娓兮, 叶小玲, 张静媛, 汪孝杰, 朱洪亮

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 609
  

  碲镉汞的液相外延生长

  黄仕华, 何景福, 陈建才, 雷春红

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 613
  

  注F短沟MOSFET的沟道热载流子效应

  韩德栋, 张国强, 余学峰, 任迪远

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 618
  

  凹槽深度与槽栅PMOSFET特性

  任红霞, 郝跃

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 622
  

  施主型界面态引起槽栅PMOSFET性能退化的特征

  任红霞, 郝跃

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 629
  

  低波长漂移的电吸收调制DFB激光器

  刘国利, 王圩, 汪孝杰, 张佰君, 陈娓兮, 张静媛, 朱洪亮

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 636
  

  Au/PZT/p-Si结构铁电存储二极管的制备及其性能

  王华, 于军, 董晓敏, 周文利, 王耘波, 谢基凡

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 641
  

  精确预计SiBJT微波功率器件峰值结温的方法

  张鸿欣

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 646
  

  基于半导体光放大器临界激射状态的同相波长转换

  张新亮, 孙军强, 刘德明, 易河清, 黄德修

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 652
  

  栅氧化方式对N沟输入CMOS运算放大器电离辐射效应的影响

  陆妩, 郭旗, 任迪远, 余学锋, 张国强, 严荣良, 王明刚, 胡浴红, 赵文魁

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 656
  

  0.5μm SOI CMOS器件和电路

  刘新宇, 孙海峰, 海朝和, 吴德馨

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 660
  

  采用遗传算法的一种可重构ANN的电路设计

  卢纯, 石秉学

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 664
  

  基于望远镜搜索的块匹配运动估值的低功耗VLSI结构

  张武健, 邱晓海, 周润德, 陈弘毅, Kondo Toshio, Nakashima Takayoshi, Ishitani Tsunehachi

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 670
  

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