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Volume 22, Issue 9, Sep 2001

• CONTENTS

  分子束外延生长高应变单量子阱激光器(英文)

  潘钟, 李联合, 徐应强, 杜云, 林耀望

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1097
  

  RESURF LDMOS功率器件表面场分布和击穿电压的解析模型(英文)

  何进, 张兴

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1102
  

  亚0.1μm高K栅介质MOSFETs的特性(英文)

  朱晖文, 刘晓彦, 沈超, 康晋锋, 韩汝琦

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1107
  

  大功率激光二极管高亮度、高功率密度光纤耦合(英文)

  王晓薇, 肖建伟, 王仲明, 马骁宇, 刘宗顺, 方高瞻, 张敬明, 冯小明

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1112
  

  多孔硅上生长Ge量子点的光学特性

  王亚东, 黄靖云, 叶志镇, 赵炳辉

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1116
  

  碳对Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金氧化的影响

  王亚东, 叶志镇, 黄靖云, 赵炳辉

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1119
  

  温度、Ge含量和掺杂浓度对Si_(1-x)Ge_x禁带宽度的影响

  金海岩, 张利春

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1122
  

  用光电流谱研究多孔硅微腔的光电特性

  熊卫华, 熊祖洪, 陆昉

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1127
  

  氧气中退火Ge-SiO_2共溅射薄膜的强紫光发射

  沈今楷, 吴兴龙, 袁仁宽, 谭超, 鲍希茂

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1131
  

  用Columnar模型对电子空穴对复合逃逸产额的模拟计算

  王桂珍, 张正选, 姜景和, 罗尹虹

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1135
  

  富镉CdSe单晶的气相生长及其电学特性

  金应荣, 朱世富, 赵北君, 邵双运, 李奇峰, 王雪敏, 于丰亮, 宋芳

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1139
  

  粗糙界面对超薄栅MOS结构的直接隧穿电流的影响

  毛凌锋, 谭长华, 许铭真, 卫建林, 穆甫臣, 张贺秋

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1143
  

  SOI器件中瞬态浮体效应的模拟与分析

  卜伟海, 黄如, 徐文华, 张兴

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1147
  

  短沟道SOI MOSFET总剂量辐照效应模型

  万新恒, 甘学温, 张兴, 黄如, 王阳元

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1154
  

  4H-SiC射频功率MESFET大信号直流I-V特性解析模型

  杨林安, 张义门, 吕红亮, 张玉明, 于春利

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1160
  

  光导开关工作模式与偏置电压的关系

  龚仁喜, 张义门, 石顺祥, 张同意, 张玉明

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1165
  

  谐振隧穿二极管的直流模型及其双稳态特性

  牛萍娟, 郭维廉, 梁惠来, 张世林, 毛陆虹, 吴霞宛

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1171
  

  聚合物发光器件中输运特性的模拟分析

  熊绍珍, 赵颖, 吴春亚, 郝云, 王跃, 陈有素, 杨恢东, 周祯华, 俞钢

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1176
  

  硅压阻输出微传感器的1/f噪声

  于晓梅, 江兴流, J Thaysen, O Hansen, A Boisen

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1182
  

  低电压C类SiGe微波功率异质结双极型晶体管(英文)

  贾宏勇, 陈培毅, 钱佩信, 潘宏菽, 黄杰, 杨增敏, 李明月

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1188
  

  一种改进的高精度电流型排序电路(英文)

  池保勇, 石秉学

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1191
  

  一种新的梳状基区RF功率晶体管

  周蓉, 张庆中, 胡思福

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1197
  

  基于FET结构的Pt-LaF_3混合膜溶解氧传感器

  那兴波, 牛文成, 李华伟, 谢建湘

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1202
  

  77K下工作的双层多晶硅发射区RCA器件和电路

  叶红飞, 高玉芝, 金海岩, 罗葵, 宁宝俊, 莫邦燹, 张广勤, 张利春

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1207
  

  一种改进的VLSI关键面积计算模型和方法

  马佩军, 郝跃, 寇芸

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1212
  

  InP材料直接键合技术

  李宁, 韩彦军, 郝智彪, 孙长征, 罗毅

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1217
  

  GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究

  刘文楷, 林世鸣, 武术, 朱家廉, 高俊华, 渠波, 陆建祖, 廖奇为, 邓晖, 陈弘达

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1222
  

  用含表面活性剂和螯合剂的清洗液清洗硅片的研究

  曹宝成, 于新好, 马瑾, 马洪磊, 刘忠立

  Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1226
  

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