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Volume 22, Issue 9, Sep 2001
Table of Content
CONTENTS
分子束外延生长高应变单量子阱激光器(英文)
潘钟, 李联合, 徐应强, 杜云, 林耀望
Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1097-1101
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RESURF LDMOS功率器件表面场分布和击穿电压的解析模型(英文)
何进, 张兴
Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1102-1106
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亚0.1μm高K栅介质MOSFETs的特性(英文)
朱晖文, 刘晓彦, 沈超, 康晋锋, 韩汝琦
Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1107-1111
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大功率激光二极管高亮度、高功率密度光纤耦合(英文)
王晓薇, 肖建伟, 王仲明, 马骁宇, 刘宗顺, 方高瞻, 张敬明, 冯小明
Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1112-1115
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多孔硅上生长Ge量子点的光学特性
王亚东, 黄靖云, 叶志镇, 赵炳辉
Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1116-1118
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碳对Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金氧化的影响
王亚东, 叶志镇, 黄靖云, 赵炳辉
Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1119-1121
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温度、Ge含量和掺杂浓度对Si_(1-x)Ge_x禁带宽度的影响
金海岩, 张利春
Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1122-1126
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用光电流谱研究多孔硅微腔的光电特性
熊卫华, 熊祖洪, 陆昉
Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1127-1130
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氧气中退火Ge-SiO_2共溅射薄膜的强紫光发射
沈今楷, 吴兴龙, 袁仁宽, 谭超, 鲍希茂
Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1131-1134
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用Columnar模型对电子空穴对复合逃逸产额的模拟计算
王桂珍, 张正选, 姜景和, 罗尹虹
Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1135-1138
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富镉CdSe单晶的气相生长及其电学特性
金应荣, 朱世富, 赵北君, 邵双运, 李奇峰, 王雪敏, 于丰亮, 宋芳
Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1139-1142
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粗糙界面对超薄栅MOS结构的直接隧穿电流的影响
毛凌锋, 谭长华, 许铭真, 卫建林, 穆甫臣, 张贺秋
Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1143-1146
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SOI器件中瞬态浮体效应的模拟与分析
卜伟海, 黄如, 徐文华, 张兴
Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1147-1153
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短沟道SOI MOSFET总剂量辐照效应模型
万新恒, 甘学温, 张兴, 黄如, 王阳元
Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1154-1159
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4H-SiC射频功率MESFET大信号直流I-V特性解析模型
杨林安, 张义门, 吕红亮, 张玉明, 于春利
Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1160-1164
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光导开关工作模式与偏置电压的关系
龚仁喜, 张义门, 石顺祥, 张同意, 张玉明
Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1165-1170
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谐振隧穿二极管的直流模型及其双稳态特性
牛萍娟, 郭维廉, 梁惠来, 张世林, 毛陆虹, 吴霞宛
Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1171-1175
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聚合物发光器件中输运特性的模拟分析
熊绍珍, 赵颖, 吴春亚, 郝云, 王跃, 陈有素, 杨恢东, 周祯华, 俞钢
Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1176-1181
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硅压阻输出微传感器的1/f噪声
于晓梅, 江兴流, J Thaysen, O Hansen, A Boisen
Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1182-1187
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低电压C类SiGe微波功率异质结双极型晶体管(英文)
贾宏勇, 陈培毅, 钱佩信, 潘宏菽, 黄杰, 杨增敏, 李明月
Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1188-1190
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一种改进的高精度电流型排序电路(英文)
池保勇, 石秉学
Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1191-1196
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一种新的梳状基区RF功率晶体管
周蓉, 张庆中, 胡思福
Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1197-1201
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基于FET结构的Pt-LaF_3混合膜溶解氧传感器
那兴波, 牛文成, 李华伟, 谢建湘
Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1202-1206
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77K下工作的双层多晶硅发射区RCA器件和电路
叶红飞, 高玉芝, 金海岩, 罗葵, 宁宝俊, 莫邦燹, 张广勤, 张利春
Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1207-1211
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一种改进的VLSI关键面积计算模型和方法
马佩军, 郝跃, 寇芸
Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1212-1216
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InP材料直接键合技术
李宁, 韩彦军, 郝智彪, 孙长征, 罗毅
Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1217-1221
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GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究
刘文楷, 林世鸣, 武术, 朱家廉, 高俊华, 渠波, 陆建祖, 廖奇为, 邓晖, 陈弘达
Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1222-1125
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用含表面活性剂和螯合剂的清洗液清洗硅片的研究
曹宝成, 于新好, 马瑾, 马洪磊, 刘忠立
Chin. J. Semicond.  2001, 22(9): 1226-1230
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