Journal of Semiconductors

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Volume 23, Issue 10, Oct 2002

CONTENTS

高k栅介质MOSFET的栅电流模型(英文)

刘晓彦, 康晋锋, 韩汝琦

Chin. J. Semicond. 2002, 23(10): 1009

利用电阻场板提高SOI-LIGBT的性能(英文)

杨洪强, 韩磊, 陈星弼

Chin. J. Semicond. 2002, 23(10): 1014

一种能够抑制部分耗尽SOI nMOSFET浮体效应的新型Schottkty体接触结构的模拟(英文)

刘运龙, 刘新宇, 韩郑生, 海潮和, 钱鹤

Chin. J. Semicond. 2002, 23(10): 1018

具有光纤自定位保持结构的2×2扭转微镜光开关阵列的制作和机电特性(英文)

吴文刚, 郝一龙, 栗大超, 张培玉, 武国英

Chin. J. Semicond. 2002, 23(10): 1024

采用源极增强带带隧穿热电子注入编程的新型p沟选择分裂位线NOR快闪存贮器(英文)

潘立阳, 朱钧, 刘楷, 刘志宏, 曾莹

Chin. J. Semicond. 2002, 23(10): 1031

采用图划分技术的多端口RC网络约减方法(英文)

杨华中, 冒小建, 燕昭然, 汪蕙

Chin. J. Semicond. 2002, 23(10): 1037

掺铁浓度对半绝缘磷化铟的一些性质的影响(英文)

赵有文, 罗以琳, 冯汉源, C D Beling, 林兰英

Chin. J. Semicond. 2002, 23(10): 1041

SiO_2/Ta界面反应及其对铜扩散的影响(英文)

龙世兵, 马纪东, 于广华, 赵洪辰, 朱逢吾, 张国海, 夏洋

Chin. J. Semicond. 2002, 23(10): 1046

在量子阱中自组织量子点结构GaN/Al_xGa_(1-x)N的电子能谱

刘承师, 马本堃, 王立民

Chin. J. Semicond. 2002, 23(10): 1051

新型稀磁半导体Cd_(1-x)Mn_xIn_2Te_4的光学和磁学性能

安卫军, 常永勤, 郭喜平, 介万奇

Chin. J. Semicond. 2002, 23(10): 1057

Pb_(1-x)Ge_xTe薄膜在铁电相变点的折射率异常

李斌, 江锦春, 张素英, 张凤山

Chin. J. Semicond. 2002, 23(10): 1062

Al/a-Si∶H复合薄膜的电导性能

王瑞春, 杜丕一, 翁文剑, 韩高荣

Chin. J. Semicond. 2002, 23(10): 1067

掺锗CZSi原生晶体中氧的微沉淀

张维连, 李嘉席, 陈洪建, 孙军生, 张建新, 张恩怀, 赵红生

Chin. J. Semicond. 2002, 23(10): 1073

Ar气压对射频磁控溅射铝掺杂ZnO薄膜特性的影响

宋登元, 王永青, 孙荣霞, 宗晓萍, 郭宝增

Chin. J. Semicond. 2002, 23(10): 1078

雾化热解法制备ZnO薄膜及其光电性能

杨成兴, 季振国, 刘坤, 樊瑞新, 叶志镇

Chin. J. Semicond. 2002, 23(10): 1083

p型扩散区(SiO_2/Si系扩Ga)的俄歇分析

孙瑛, 王凤英

Chin. J. Semicond. 2002, 23(10): 1088

用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度

沈晓明, 付羿, 冯淦, 张宝顺, 冯志宏, 杨辉

Chin. J. Semicond. 2002, 23(10): 1093

微型电光探针的研制

李海兰, 贾刚, 张晓婷, 周志雄, 陈占国

Chin. J. Semicond. 2002, 23(10): 1098

渐变应变偏振不灵敏半导体光学放大器

张瑞英, 董杰, 冯志伟, 周帆, 王鲁峰, 王圩

Chin. J. Semicond. 2002, 23(10): 1102

共源-共栅组态S~2I电流存储单元及其性能

李拥平, 石寅

Chin. J. Semicond. 2002, 23(10): 1106

基于核的信息安全处理芯片可测性设计

陆思安, 何剑春, 严晓浪, 何乐年

Chin. J. Semicond. 2002, 23(10): 1112

响应表面法在工艺综合中的应用

鲁勇, 张文俊, 杨之廉

Chin. J. Semicond. 2002, 23(10): 1116