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Volume 23, Issue 3, Mar 2002

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硅集成电路光刻技术的发展与挑战

王阳元, 康晋锋

Chin. J. Semicond. 2002, 23(3): 225-237

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(3): 225.

王阳元, 康晋锋. 硅集成电路光刻技术的发展与挑战[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 225..Export: BibTex EndNote

王阳元, 康晋锋. 硅集成电路光刻技术的发展与挑战[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 225...

磁控共溅射GaAs/SiO_2细小纳米颗粒镶嵌材料的结构和非线性光学性质(英文)

丁瑞钦, 王浩, 佘卫龙, 丘志仁, 罗莉

Chin. J. Semicond. 2002, 23(3): 238-245

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(3): 238.

丁瑞钦, 王浩, 佘卫龙, 丘志仁, 罗莉. 磁控共溅射GaAs/SiO_2细小纳米颗粒镶嵌材料的结构和非线性光学性质(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 238..Export: BibTex EndNote

丁瑞钦, 王浩, 佘卫龙, 丘志仁, 罗莉. 磁控共溅射GaAs/SiO_2细小纳米颗粒镶嵌材料的结构和非线性光学性质(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 238...

硅单电子晶体管的制造及特性(英文)

卢刚, 陈治明, 王建农, 葛惟昆

Chin. J. Semicond. 2002, 23(3): 246-250

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(3): 246.

卢刚, 陈治明, 王建农, 葛惟昆. 硅单电子晶体管的制造及特性(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 246..Export: BibTex EndNote

卢刚, 陈治明, 王建农, 葛惟昆. 硅单电子晶体管的制造及特性(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 246...

VDMOS场效应晶体管电路模型的构造及参数提取(英文)

赖柯吉, 张莉, 田立林

Chin. J. Semicond. 2002, 23(3): 251-256

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(3): 251.

赖柯吉, 张莉, 田立林. VDMOS场效应晶体管电路模型的构造及参数提取(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 251..Export: BibTex EndNote

赖柯吉, 张莉, 田立林. VDMOS场效应晶体管电路模型的构造及参数提取(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 251...

一种基于灵敏放大器的新型触发器及其通过伪PMOS动态技术的速度改进(英文)

池保勇, 石秉学

Chin. J. Semicond. 2002, 23(3): 257-260

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(3): 257.

池保勇, 石秉学. 一种基于灵敏放大器的新型触发器及其通过伪PMOS动态技术的速度改进(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 257..Export: BibTex EndNote

池保勇, 石秉学. 一种基于灵敏放大器的新型触发器及其通过伪PMOS动态技术的速度改进(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 257...

新型高精度低功耗电荷传输型匹配单元电路(英文)

余宁梅, 杨安, 高勇, 陈治明

Chin. J. Semicond. 2002, 23(3): 261-266

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(3): 261.

余宁梅, 杨安, 高勇, 陈治明. 新型高精度低功耗电荷传输型匹配单元电路(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 261..Export: BibTex EndNote

余宁梅, 杨安, 高勇, 陈治明. 新型高精度低功耗电荷传输型匹配单元电路(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 261...

SiO_2膜的薄层化对自组织生长Si纳米量子点发光特性的影响

彭英才, 竹内耕平, 稻毛信弥, 宫崎诚一

Chin. J. Semicond. 2002, 23(3): 267-271

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(3): 267.

彭英才, 竹内耕平, 稻毛信弥, 宫崎诚一. SiO_2膜的薄层化对自组织生长Si纳米量子点发光特性的影响[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 267..Export: BibTex EndNote

彭英才, 竹内耕平, 稻毛信弥, 宫崎诚一. SiO_2膜的薄层化对自组织生长Si纳米量子点发光特性的影响[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 267...

电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔

徐少辉, 熊祖洪, 顾岚岚, 柳毅, 丁训民, 侯晓远

Chin. J. Semicond. 2002, 23(3): 272-275

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(3): 272.

徐少辉, 熊祖洪, 顾岚岚, 柳毅, 丁训民, 侯晓远. 电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 272..Export: BibTex EndNote

徐少辉, 熊祖洪, 顾岚岚, 柳毅, 丁训民, 侯晓远. 电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 272...

含磷组分薄膜对InGaAsP/InP多量子阱无序处理的影响

王永晨, 张晓丹, 赵杰, 殷景志, 杨树人, 张淑云

Chin. J. Semicond. 2002, 23(3): 276-279

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(3): 276.

王永晨, 张晓丹, 赵杰, 殷景志, 杨树人, 张淑云. 含磷组分薄膜对InGaAsP/InP多量子阱无序处理的影响[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 276..Export: BibTex EndNote

王永晨, 张晓丹, 赵杰, 殷景志, 杨树人, 张淑云. 含磷组分薄膜对InGaAsP/InP多量子阱无序处理的影响[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 276...

用ECRCVD法制备的纳米碳化硅薄膜及其室温下的强光发射

余明斌, 杨安, 余宁梅, 马剑平

Chin. J. Semicond. 2002, 23(3): 280-284

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(3): 280.

余明斌, 杨安, 余宁梅, 马剑平. 用ECRCVD法制备的纳米碳化硅薄膜及其室温下的强光发射[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 280..Export: BibTex EndNote

余明斌, 杨安, 余宁梅, 马剑平. 用ECRCVD法制备的纳米碳化硅薄膜及其室温下的强光发射[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 280...

高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘材料(英文)

赵有文, 董宏伟, 焦景华, 赵建群, 林兰英, 孙聂枫, 孙同年

Chin. J. Semicond. 2002, 23(3): 285-289

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(3): 285.

赵有文, 董宏伟, 焦景华, 赵建群, 林兰英, 孙聂枫, 孙同年. 高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘材料(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 285..Export: BibTex EndNote

赵有文, 董宏伟, 焦景华, 赵建群, 林兰英, 孙聂枫, 孙同年. 高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘材料(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 285...

开态热载流子应力下的n-MOSFETs的氧化层厚度效应(英文)

胡靖, 穆甫臣, 许铭真, 谭长华

Chin. J. Semicond. 2002, 23(3): 290-295

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(3): 290.

胡靖, 穆甫臣, 许铭真, 谭长华. 开态热载流子应力下的n-MOSFETs的氧化层厚度效应(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 290..Export: BibTex EndNote

胡靖, 穆甫臣, 许铭真, 谭长华. 开态热载流子应力下的n-MOSFETs的氧化层厚度效应(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 290...

复合栅控二极管新技术提取热载流子诱生的NMOS/SOI器件界面陷阱的横向分布

何进, 张兴, 黄如, 王阳元

Chin. J. Semicond. 2002, 23(3): 296-300

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(3): 296.

何进, 张兴, 黄如, 王阳元. 复合栅控二极管新技术提取热载流子诱生的NMOS/SOI器件界面陷阱的横向分布[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 296..Export: BibTex EndNote

何进, 张兴, 黄如, 王阳元. 复合栅控二极管新技术提取热载流子诱生的NMOS/SOI器件界面陷阱的横向分布[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 296...

应用于非破坏性读出铁电存储器的MFIS FET制备及其特性

颜雷, 林殷茵, 汤庭鳌, 黄维宁, 姜国宝

Chin. J. Semicond. 2002, 23(3): 301-304

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(3): 301.

颜雷, 林殷茵, 汤庭鳌, 黄维宁, 姜国宝. 应用于非破坏性读出铁电存储器的MFIS FET制备及其特性[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 301..Export: BibTex EndNote

颜雷, 林殷茵, 汤庭鳌, 黄维宁, 姜国宝. 应用于非破坏性读出铁电存储器的MFIS FET制备及其特性[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 301...

新型双环路电流型压控振荡器

王钊, 刘飞, 吉利久

Chin. J. Semicond. 2002, 23(3): 305-310

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(3): 305.

王钊, 刘飞, 吉利久. 新型双环路电流型压控振荡器[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 305..Export: BibTex EndNote

王钊, 刘飞, 吉利久. 新型双环路电流型压控振荡器[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 305...

CeO_2-TiO_2复合氧化物的气敏催化性能

傅军, 何平, 董名友

Chin. J. Semicond. 2002, 23(3): 311-314

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(3): 311.

傅军, 何平, 董名友. CeO_2-TiO_2复合氧化物的气敏催化性能[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 311..Export: BibTex EndNote

傅军, 何平, 董名友. CeO_2-TiO_2复合氧化物的气敏催化性能[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 311...

硅片缺陷粒径分布参数的提取方法

郝跃, 陆勇, 赵天绪, 马佩军

Chin. J. Semicond. 2002, 23(3): 315-318

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(3): 315.

郝跃, 陆勇, 赵天绪, 马佩军. 硅片缺陷粒径分布参数的提取方法[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 315..Export: BibTex EndNote

郝跃, 陆勇, 赵天绪, 马佩军. 硅片缺陷粒径分布参数的提取方法[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 315...

集成电路工艺模拟中的离子注入设备模型研究

李煜, 李瑞伟, 王纪民

Chin. J. Semicond. 2002, 23(3): 319-322

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(3): 319.

李煜, 李瑞伟, 王纪民. 集成电路工艺模拟中的离子注入设备模型研究[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 319..Export: BibTex EndNote

李煜, 李瑞伟, 王纪民. 集成电路工艺模拟中的离子注入设备模型研究[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 319...

深亚微米隔离技术——浅沟槽隔离工艺

王新柱, 徐秋霞, 钱鹤, 申作成, 欧文

Chin. J. Semicond. 2002, 23(3): 323-329

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(3): 323.

王新柱, 徐秋霞, 钱鹤, 申作成, 欧文. 深亚微米隔离技术——浅沟槽隔离工艺[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 323..Export: BibTex EndNote

王新柱, 徐秋霞, 钱鹤, 申作成, 欧文. 深亚微米隔离技术——浅沟槽隔离工艺[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 323...

基于遗传算法的VLSI布图规划方法

王小港, 姚林声, 甘骏人

Chin. J. Semicond. 2002, 23(3): 330-336

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(3): 330.

王小港, 姚林声, 甘骏人. 基于遗传算法的VLSI布图规划方法[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 330..Export: BibTex EndNote

王小港, 姚林声, 甘骏人. 基于遗传算法的VLSI布图规划方法[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(3): 330...

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