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Volume 23, Issue 5, May 2002

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深亚微米MOS器件中栅介质层的直接隧穿电流(英文)

侯永田, 李名复, 金鹰

Chin. J. Semicond. 2002, 23(5): 449-454

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(5): 449.

侯永田, 李名复, 金鹰. 深亚微米MOS器件中栅介质层的直接隧穿电流(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 449..Export: BibTex EndNote

侯永田, 李名复, 金鹰. 深亚微米MOS器件中栅介质层的直接隧穿电流(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 449...

非掺及掺铁磷化铟中的残留施主缺陷(英文)

赵有文, 孙聂枫, 冯汉源, C D Beling, 孙同年, 林兰英

Chin. J. Semicond. 2002, 23(5): 455-458

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(5): 455.

赵有文, 孙聂枫, 冯汉源, C D Beling, 孙同年, 林兰英. 非掺及掺铁磷化铟中的残留施主缺陷(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 455..Export: BibTex EndNote

赵有文, 孙聂枫, 冯汉源, C D Beling, 孙同年, 林兰英. 非掺及掺铁磷化铟中的残留施主缺陷(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 455...

选择外延MOCVD研制DFB激光器和模斑转换器集成器件(英文)

邱伟彬, 王圩, 董杰, 张静媛, 周帆

Chin. J. Semicond. 2002, 23(5): 459-463

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(5): 459.

邱伟彬, 王圩, 董杰, 张静媛, 周帆. 选择外延MOCVD研制DFB激光器和模斑转换器集成器件(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 459..Export: BibTex EndNote

邱伟彬, 王圩, 董杰, 张静媛, 周帆. 选择外延MOCVD研制DFB激光器和模斑转换器集成器件(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 459...

激光二极管线列阵与多模光纤列阵的光纤耦合(英文)

王晓薇, 肖建伟, 马骁宇, 王仲明, 方高瞻, 冯小明, 刘媛媛, 刘斌, 张敬明

Chin. J. Semicond. 2002, 23(5): 464-467

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(5): 464.

王晓薇, 肖建伟, 马骁宇, 王仲明, 方高瞻, 冯小明, 刘媛媛, 刘斌, 张敬明. 激光二极管线列阵与多模光纤列阵的光纤耦合(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 464..Export: BibTex EndNote

王晓薇, 肖建伟, 马骁宇, 王仲明, 方高瞻, 冯小明, 刘媛媛, 刘斌, 张敬明. 激光二极管线列阵与多模光纤列阵的光纤耦合(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 464...

1.25Gb/sInP基多量子阱激光器与HBT驱动电路的单片集成(英文)

李献杰, 曾庆明, 徐晓春, 敖金平, 赵方海, 杨树人, 柯锡明, 王志功, 刘式墉, 梁春广

Chin. J. Semicond. 2002, 23(5): 468-472

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(5): 468.

李献杰, 曾庆明, 徐晓春, 敖金平, 赵方海, 杨树人, 柯锡明, 王志功, 刘式墉, 梁春广. 1.25Gb/sInP基多量子阱激光器与HBT驱动电路的单片集成(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 468..Export: BibTex EndNote

李献杰, 曾庆明, 徐晓春, 敖金平, 赵方海, 杨树人, 柯锡明, 王志功, 刘式墉, 梁春广. 1.25Gb/sInP基多量子阱激光器与HBT驱动电路的单片集成(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 468...

一种新的基于查找表的时钟性能驱动的增量式布局算法(英文)

刘毅, 洪先龙, 蔡懿慈, 吴为民, Chung-Wen Albert Tsao

Chin. J. Semicond. 2002, 23(5): 473-478

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(5): 473.

刘毅, 洪先龙, 蔡懿慈, 吴为民, C A Tsao. 一种新的基于查找表的时钟性能驱动的增量式布局算法(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 473..Export: BibTex EndNote

刘毅, 洪先龙, 蔡懿慈, 吴为民, C A Tsao. 一种新的基于查找表的时钟性能驱动的增量式布局算法(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 473...

激光致晶态Ge_2Sb_2Te_5相变介质的光学常数

刘波, 阮昊, 干福熹

Chin. J. Semicond. 2002, 23(5): 479-483

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(5): 479.

刘波, 阮昊, 干福熹. 激光致晶态Ge_2Sb_2Te_5相变介质的光学常数[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 479..Export: BibTex EndNote

刘波, 阮昊, 干福熹. 激光致晶态Ge_2Sb_2Te_5相变介质的光学常数[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 479...

掺铜ZnS纳米材料的制备及光学性质

王灵玲, 桑文斌, 闵嘉华, 刘引烽, 陈宗高, 樊建荣

Chin. J. Semicond. 2002, 23(5): 484-487

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(5): 484.

王灵玲, 桑文斌, 闵嘉华, 刘引烽, 陈宗高, 樊建荣. 掺铜ZnS纳米材料的制备及光学性质[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 484..Export: BibTex EndNote

王灵玲, 桑文斌, 闵嘉华, 刘引烽, 陈宗高, 樊建荣. 掺铜ZnS纳米材料的制备及光学性质[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 484...

激光脉冲沉积法在Si(100)上生长c轴择优取向的LiNbO_3晶体薄膜及其性能

黄靖云, 叶志镇, 汪雷, 叶龙飞, 赵炳辉

Chin. J. Semicond. 2002, 23(5): 488-491

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(5): 488.

黄靖云, 叶志镇, 汪雷, 叶龙飞, 赵炳辉. 激光脉冲沉积法在Si(100)上生长c轴择优取向的LiNbO_3晶体薄膜及其性能[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 488..Export: BibTex EndNote

黄靖云, 叶志镇, 汪雷, 叶龙飞, 赵炳辉. 激光脉冲沉积法在Si(100)上生长c轴择优取向的LiNbO_3晶体薄膜及其性能[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 488...

a-SiC/c-Si异质结太阳能电池设计分析

林鸿生, 段开敏, 马雷

Chin. J. Semicond. 2002, 23(5): 492-498

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(5): 492.

林鸿生, 段开敏, 马雷. a-SiC/c-Si异质结太阳能电池设计分析[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 492..Export: BibTex EndNote

林鸿生, 段开敏, 马雷. a-SiC/c-Si异质结太阳能电池设计分析[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 492...

掺杂单壁碳纳米管的电流特性

张振华, 彭景翠, 陈小华, 王健雄, 曾晓英

Chin. J. Semicond. 2002, 23(5): 499-504

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(5): 499.

张振华, 彭景翠, 陈小华, 王健雄, 曾晓英. 掺杂单壁碳纳米管的电流特性[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 499..Export: BibTex EndNote

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高线性度外延及注入GaAs Hall器件

郑一阳

Chin. J. Semicond. 2002, 23(5): 505-508

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(5): 505.

郑一阳. 高线性度外延及注入GaAs Hall器件[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 505..Export: BibTex EndNote

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快速响应SOI马赫曾德热光调制器

魏红振, 余金中, 夏金松, 严清峰, 刘忠立, 房昌水

Chin. J. Semicond. 2002, 23(5): 509-512

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(5): 509.

魏红振, 余金中, 夏金松, 严清峰, 刘忠立, 房昌水. 快速响应SOI马赫曾德热光调制器[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 509..Export: BibTex EndNote

魏红振, 余金中, 夏金松, 严清峰, 刘忠立, 房昌水. 快速响应SOI马赫曾德热光调制器[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 509...

自对准GaInP/GaAs HBT器件

钱永学, 刘训春, 王润梅, 石瑞英

Chin. J. Semicond. 2002, 23(5): 513-516

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(5): 513.

钱永学, 刘训春, 王润梅, 石瑞英. 自对准GaInP/GaAs HBT器件[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 513..Export: BibTex EndNote

钱永学, 刘训春, 王润梅, 石瑞英. 自对准GaInP/GaAs HBT器件[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 513...

碳化硅混合PiN/Schottky二极管的二维模拟

牛新军, 张玉明, 张义门, 吕红亮

Chin. J. Semicond. 2002, 23(5): 517-522

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(5): 517.

牛新军, 张玉明, 张义门, 吕红亮. 碳化硅混合PiN/Schottky二极管的二维模拟[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 517..Export: BibTex EndNote

牛新军, 张玉明, 张义门, 吕红亮. 碳化硅混合PiN/Schottky二极管的二维模拟[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 517...

基于控阈技术的四值电流型CMOS电路设计

杭国强, 任洪波, 吴训威

Chin. J. Semicond. 2002, 23(5): 523-528

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(5): 523.

杭国强, 任洪波, 吴训威. 基于控阈技术的四值电流型CMOS电路设计[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 523..Export: BibTex EndNote

杭国强, 任洪波, 吴训威. 基于控阈技术的四值电流型CMOS电路设计[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 523...

基于共模电平偏移电路新型CMOS低电压满幅度运放设计

林越, 徐栋麟, 任俊彦, 许俊

Chin. J. Semicond. 2002, 23(5): 529-534

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(5): 529.

林越, 徐栋麟, 任俊彦, 许俊. 基于共模电平偏移电路新型CMOS低电压满幅度运放设计[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 529..Export: BibTex EndNote

林越, 徐栋麟, 任俊彦, 许俊. 基于共模电平偏移电路新型CMOS低电压满幅度运放设计[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 529...

超深亚微米集成电路串扰估计及优化(英文)

刘庆华, 唐璞山

Chin. J. Semicond. 2002, 23(5): 535-542

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(5): 535.

刘庆华, 唐璞山. 超深亚微米集成电路串扰估计及优化(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 535..Export: BibTex EndNote

刘庆华, 唐璞山. 超深亚微米集成电路串扰估计及优化(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 535...

VLSI三维寄生电容提取的层次式h-自适应计算

陆涛涛, 王光辉, 侯劲松, 王泽毅

Chin. J. Semicond. 2002, 23(5): 543-549

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(5): 543.

陆涛涛, 王光辉, 侯劲松, 王泽毅. VLSI三维寄生电容提取的层次式h-自适应计算[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 543..Export: BibTex EndNote

陆涛涛, 王光辉, 侯劲松, 王泽毅. VLSI三维寄生电容提取的层次式h-自适应计算[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 543...

判断瞬态热场快速算法结果正确性的快捷方法

张鸿欣

Chin. J. Semicond. 2002, 23(5): 550-554

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(5): 550.

张鸿欣. 判断瞬态热场快速算法结果正确性的快捷方法[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 550..Export: BibTex EndNote

张鸿欣. 判断瞬态热场快速算法结果正确性的快捷方法[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 550...

硅芯片封接用PbO、ZnO、B_2O_3三元系易熔玻璃特性与封接工艺的关系

孙以材, 孟凡斌, 潘国峰, 刘盘阁, 姬荣琴

Chin. J. Semicond. 2002, 23(5): 555-560

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(5): 555.

孙以材, 孟凡斌, 潘国峰, 刘盘阁, 姬荣琴. 硅芯片封接用PbO、ZnO、B_2O_3三元系易熔玻璃特性与封接工艺的关系[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 555..Export: BibTex EndNote

孙以材, 孟凡斌, 潘国峰, 刘盘阁, 姬荣琴. 硅芯片封接用PbO、ZnO、B_2O_3三元系易熔玻璃特性与封接工艺的关系[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(5): 555...

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