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Volume 23, Issue 6, Jun 2002

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退火过程中自组织生长

胡冬枝, 杨建树, 蔡群, 张翔九, 胡际璜, 蒋最敏

Chin. J. Semicond. 2002, 23(6): 561-564

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(6): 561.

胡冬枝, 杨建树, 蔡群, 张翔九, 胡际璜, 蒋最敏. 退火过程中自组织生长[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 561..Export: BibTex EndNote

胡冬枝, 杨建树, 蔡群, 张翔九, 胡际璜, 蒋最敏. 退火过程中自组织生长[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 561...

采用二甲基肼为氮源进行GaNAs的金属有机化学气相沉积生长(英文)

韦欣, 马骁宇, 王国宏, 张广泽, 朱晓鹏, 陈良惠

Chin. J. Semicond. 2002, 23(6): 565-570

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(6): 565.

韦欣, 马骁宇, 王国宏, 张广泽, 朱晓鹏, 陈良惠. 采用二甲基肼为氮源进行GaNAs的金属有机化学气相沉积生长(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 565..Export: BibTex EndNote

韦欣, 马骁宇, 王国宏, 张广泽, 朱晓鹏, 陈良惠. 采用二甲基肼为氮源进行GaNAs的金属有机化学气相沉积生长(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 565...

高温处理对镍诱导晶化硅上的薄膜晶体管性能的影响(英文)

秦明, 樊路加, VincentPoon, C Y Yuen

Chin. J. Semicond. 2002, 23(6): 571-576

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(6): 571.

秦明, 樊路加, VincentPoon, C Y Yuen. 高温处理对镍诱导晶化硅上的薄膜晶体管性能的影响(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 571..Export: BibTex EndNote

秦明, 樊路加, VincentPoon, C Y Yuen. 高温处理对镍诱导晶化硅上的薄膜晶体管性能的影响(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 571...

Calculati用6×6Luttinger-Kohn模型和平面波展开方法计算应变量子阱材料的价带结构(英文)

国伟华, 黄永箴

Chin. J. Semicond. 2002, 23(6): 577-581

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(6): 577.

国伟华, 黄永箴. Calculati用6×6Luttinger-Kohn模型和平面波展开方法计算应变量子阱材料的价带结构(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 577..Export: BibTex EndNote

国伟华, 黄永箴. Calculati用6×6Luttinger-Kohn模型和平面波展开方法计算应变量子阱材料的价带结构(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 577...

长线网预处理的过点分配算法(英文)

张轶谦, 谢民, 洪先龙, 蔡懿慈

Chin. J. Semicond. 2002, 23(6): 582-588

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(6): 582.

张轶谦, 谢民, 洪先龙, 蔡懿慈. 长线网预处理的过点分配算法(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 582..Export: BibTex EndNote

张轶谦, 谢民, 洪先龙, 蔡懿慈. 长线网预处理的过点分配算法(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 582...

透明导电薄膜最佳掺杂含量的理论计算

范志新

Chin. J. Semicond. 2002, 23(6): 589-592

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(6): 589.

范志新. 透明导电薄膜最佳掺杂含量的理论计算[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 589..Export: BibTex EndNote

范志新. 透明导电薄膜最佳掺杂含量的理论计算[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 589...

在Si(111)上磁控溅射碳化硅薄膜的H_2退火效应

安霞, 庄惠照, 杨莺歌, 李怀祥, 薛成山

Chin. J. Semicond. 2002, 23(6): 593-598

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(6): 593.

安霞, 庄惠照, 杨莺歌, 李怀祥, 薛成山. 在Si(111)上磁控溅射碳化硅薄膜的H_2退火效应[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 593..Export: BibTex EndNote

安霞, 庄惠照, 杨莺歌, 李怀祥, 薛成山. 在Si(111)上磁控溅射碳化硅薄膜的H_2退火效应[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 593...

有机衬底SnO_2∶Sb透明导电膜的研究

马瑾, 郝晓涛, 马洪磊, 张德恒, 徐现刚

Chin. J. Semicond. 2002, 23(6): 599-603

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(6): 599.

马瑾, 郝晓涛, 马洪磊, 张德恒, 徐现刚. 有机衬底SnO_2∶Sb透明导电膜的研究[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 599..Export: BibTex EndNote

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Si(001)斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长

胡冬枝, 赵登涛, 蒋伟荣, 施斌, 顾骁骁, 张翔九, 蒋最敏

Chin. J. Semicond. 2002, 23(6): 604-608

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(6): 604.

胡冬枝, 赵登涛, 蒋伟荣, 施斌, 顾骁骁, 张翔九, 蒋最敏. Si(001)斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 604..Export: BibTex EndNote

胡冬枝, 赵登涛, 蒋伟荣, 施斌, 顾骁骁, 张翔九, 蒋最敏. Si(001)斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 604...

用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜

龙永福, 朱自强, 赖宗声, 忻佩胜, 石艳玲

Chin. J. Semicond. 2002, 23(6): 609-613

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(6): 609.

龙永福, 朱自强, 赖宗声, 忻佩胜, 石艳玲. 用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 609..Export: BibTex EndNote

龙永福, 朱自强, 赖宗声, 忻佩胜, 石艳玲. 用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 609...

一种计算单模波导输出的快速方法及其在结构优化中的应用

戴道锌, 何赛灵

Chin. J. Semicond. 2002, 23(6): 614-618

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(6): 614.

戴道锌, 何赛灵. 一种计算单模波导输出的快速方法及其在结构优化中的应用[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 614..Export: BibTex EndNote

戴道锌, 何赛灵. 一种计算单模波导输出的快速方法及其在结构优化中的应用[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 614...

聚合物阵列波导光栅波分复用器传输特性分析

郭文滨, 马春生, 陈维友, 张大明, 陈开鑫, 赵禹, 崔占臣, 刘式墉

Chin. J. Semicond. 2002, 23(6): 619-523

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(6): 619.

郭文滨, 马春生, 陈维友, 张大明, 陈开鑫, 赵禹, 崔占臣, 刘式墉. 聚合物阵列波导光栅波分复用器传输特性分析[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 619..Export: BibTex EndNote

郭文滨, 马春生, 陈维友, 张大明, 陈开鑫, 赵禹, 崔占臣, 刘式墉. 聚合物阵列波导光栅波分复用器传输特性分析[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 619...

垂直发射极镇流电阻在HBT中的发射极电流集边效应中的作用

常玉春, 崔洪峰, 王金忠, 宋俊峰, HailinLuo, Y Wang, 杜国同

Chin. J. Semicond. 2002, 23(6): 624-627

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(6): 624.

常玉春, 崔洪峰, 王金忠, 宋俊峰, H L Luo, Y Wang, 杜国同. 垂直发射极镇流电阻在HBT中的发射极电流集边效应中的作用[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 624..Export: BibTex EndNote

常玉春, 崔洪峰, 王金忠, 宋俊峰, H L Luo, Y Wang, 杜国同. 垂直发射极镇流电阻在HBT中的发射极电流集边效应中的作用[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 624...

隧道结 AlGaInP发光二极管(英文)

王国宏, 沈光地, 郭霞, 高国, 韦欣, 张广泽, 马骁宇, 李玉璋, 陈良惠

Chin. J. Semicond. 2002, 23(6): 628-631

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(6): 628.

王国宏, 沈光地, 郭霞, 高国, 韦欣, 张广泽, 马骁宇, 李玉璋, 陈良惠. 隧道结 AlGaInP发光二极管(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 628..Export: BibTex EndNote

王国宏, 沈光地, 郭霞, 高国, 韦欣, 张广泽, 马骁宇, 李玉璋, 陈良惠. 隧道结 AlGaInP发光二极管(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 628...

一种新颖结构紧凑的AWG器件(英文)

江晓清, 李柏阳, 杨建义, 王明华

Chin. J. Semicond. 2002, 23(6): 632-636

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(6): 632.

江晓清, 李柏阳, 杨建义, 王明华. 一种新颖结构紧凑的AWG器件(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 632..Export: BibTex EndNote

江晓清, 李柏阳, 杨建义, 王明华. 一种新颖结构紧凑的AWG器件(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 632...

全定制软/硬件协同设计中的硬件优化技术(英文)

汤磊, 魏少军, 仇玉林

Chin. J. Semicond. 2002, 23(6): 637-644

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(6): 637.

汤磊, 魏少军, 仇玉林. 全定制软/硬件协同设计中的硬件优化技术(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 637..Export: BibTex EndNote

汤磊, 魏少军, 仇玉林. 全定制软/硬件协同设计中的硬件优化技术(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 637...

有机半导体薄膜三极管的研制

王东兴, 朱敏, 工藤一浩, 田中国昭

Chin. J. Semicond. 2002, 23(6): 645-650

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(6): 645.

王东兴, 朱敏, 工藤一浩, 田中国昭. 有机半导体薄膜三极管的研制[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 645..Export: BibTex EndNote

王东兴, 朱敏, 工藤一浩, 田中国昭. 有机半导体薄膜三极管的研制[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 645...

开路缺陷的软故障关键面积研究

陈太峰, 郝跃, 马佩军, 张进城, 赵天绪, 刘宁

Chin. J. Semicond. 2002, 23(6): 651-654

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(6): 651.

陈太峰, 郝跃, 马佩军, 张进城, 赵天绪, 刘宁. 开路缺陷的软故障关键面积研究[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 651..Export: BibTex EndNote

陈太峰, 郝跃, 马佩军, 张进城, 赵天绪, 刘宁. 开路缺陷的软故障关键面积研究[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 651...

球栅阵列倒装焊封装中的热应变值的测试

李禾, 傅艳军, 李仁增, 严超华

Chin. J. Semicond. 2002, 23(6): 655-659

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(6): 655.

李禾, 傅艳军, 李仁增, 严超华. 球栅阵列倒装焊封装中的热应变值的测试[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 655..Export: BibTex EndNote

李禾, 傅艳军, 李仁增, 严超华. 球栅阵列倒装焊封装中的热应变值的测试[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 655...

倒扣芯片连接焊点的热疲劳失效

彩霞, 陈柳, 张群, 徐步陆, 黄卫东, 谢晓明, 程兆年

Chin. J. Semicond. 2002, 23(6): 660-667

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(6): 660.

彩霞, 陈柳, 张群, 徐步陆, 黄卫东, 谢晓明, 程兆年. 倒扣芯片连接焊点的热疲劳失效[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 660..Export: BibTex EndNote

彩霞, 陈柳, 张群, 徐步陆, 黄卫东, 谢晓明, 程兆年. 倒扣芯片连接焊点的热疲劳失效[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 660...

用于MEMS的选择性形成多孔硅技术的研究

谢克文, 王晓红, 陈兢, 刘理天

Chin. J. Semicond. 2002, 23(6): 668-672

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(6): 668.

谢克文, 王晓红, 陈兢, 刘理天. 用于MEMS的选择性形成多孔硅技术的研究[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(6): 668..Export: BibTex EndNote

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