Journal of Semiconductors

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Volume 24, Issue 1, Jan 2003

CONTENTS

固体源化学气相沉积生长c轴平行于衬底的ZnO薄膜(英文)

吕建国, 叶志镇, 张银珠, 黄靖云, 赵炳辉

Chin. J. Semicond. 2003, 24(1): 1

应变多量子阱DFB激光器有源区的优化设计(英文)

张冶金, 朱林, 高志国, 陈明华, 董毅, 陈维友, 刘式墉, 谢世钟

Chin. J. Semicond. 2003, 24(1): 6

1.55μm张应变InGaAsP/InGaAsP量子阱偏振不灵敏半导体光放大器的优化设计(英文)

邱伟彬, 何国敏, 董杰, 王圩

Chin. J. Semicond. 2003, 24(1): 11

利用弛豫谱技术对界面陷阱密度和其能量分布的研究(英文)

霍宗亮, 毛凌锋, 谭长华, 许铭真

Chin. J. Semicond. 2003, 24(1): 18

纳米电子束曝光(英文)

刘明, 陈宝钦, 王云翔, 张建宏

Chin. J. Semicond. 2003, 24(1): 24

镶嵌在超薄SiO_2层中的纳米硅的库仑阻塞现象

石建军, 吴良才, 鲍云, 刘嘉瑜, 马忠元, 戴敏, 黄信凡, 李伟, 徐骏, 陈坤基

Chin. J. Semicond. 2003, 24(1): 29

立方相GaN的持续光电导

张泽洪, 赵德刚, 孙元平, 冯志宏, 沈晓明, 张宝顺, 冯淦, 郑新和, 杨辉

Chin. J. Semicond. 2003, 24(1): 34

表面应力诱导InGaN量子点的生长及其性质

李昱峰, 韩培德, 陈振, 黎大兵, 王占国

Chin. J. Semicond. 2003, 24(1): 39

热氧化制备纳米氧化锌薄膜的光致发光和室温紫外激光发射

张喜田, 刘益春, 支壮志, 张吉英, 申德振, 许武, 钟国柱, 范希武

Chin. J. Semicond. 2003, 24(1): 44

大直径直拉硅中氮对原生氧沉淀的影响

余学功, 杨德仁, 杨建松, 马向阳, 李立本, 阙端麟

Chin. J. Semicond. 2003, 24(1): 49

热氧化法钝化硅片的少数载流子寿命

崔灿, 杨德仁, 余学功, 马向阳, 李立本, 阙端麟

Chin. J. Semicond. 2003, 24(1): 54

一维ZnSe半导体纳米材料的制备与特性

李焕勇, 介万奇

Chin. J. Semicond. 2003, 24(1): 58

Co/C/Si(100)结构固相外延生长CoSi_2

屈新萍, 徐蓓蕾, 茹国平, 李炳宗, W Y Cheung, S P Wong, Paul K Chu

Chin. J. Semicond. 2003, 24(1): 63

硅基法布里-珀罗微腔的室温发光

王燕, 但亚平, 岳瑞峰, 刘理天

Chin. J. Semicond. 2003, 24(1): 69

频率响应法测量光强度调制器啁啾参数

王安斌, 伍剑, 张帆, 林金桐

Chin. J. Semicond. 2003, 24(1): 72

氮注入多晶硅栅对超薄SiO_2栅介质性能的影响

许晓燕, 谭静荣, 黄如, 张兴

Chin. J. Semicond. 2003, 24(1): 76

1V 2.5GHz压控振荡器设计

李天望, 曾晓军, 洪志良

Chin. J. Semicond. 2003, 24(1): 80

一种新的相位开关实现技术及其在射频双模预分频器中的应用

池保勇, 石秉学

Chin. J. Semicond. 2003, 24(1): 85

填充不流动胶的倒装焊封装中芯片的断裂问题

彩霞, 黄卫东, 徐步陆, 程兆年

Chin. J. Semicond. 2003, 24(1): 90

面向寄存器的流水线处理器建模及验证方法

何虎, 孙义和

Chin. J. Semicond. 2003, 24(1): 98

全耗尽CMOS/SOI工艺

刘新宇, 孙海峰, 刘洪民, 陈焕章, 扈焕章, 海潮和, 和致经, 吴德馨

Chin. J. Semicond. 2003, 24(1): 104

半导体科学基础研究面临新的发展机遇——国家自然科学基金半导体学科2002年申请概况分析

何杰

Chin. J. Semicond. 2003, 24(1): 109