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Volume 24, Issue 10, Oct 2003
Table of Content
CONTENTS
自组织量子点的优化生长(英文)
段瑞飞, 王宝强, 朱占平, 曾一平
Chin. J. Semicond.  2003, 24(10): 1009-1015
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用1553nm激光脉冲触发GaAs光电导开关的研究(英文)
施卫, 贾婉丽
Chin. J. Semicond.  2003, 24(10): 1016-1020
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0.6可用于光纤用户网的0.6μmCMOS激光驱动器(英文)
梁帮立, 王志功, 田俊, 夏春晓, 章丽, 熊明珍
Chin. J. Semicond.  2003, 24(10): 1021-1024
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湿法腐蚀制备的SOI光波导(英文)
王小龙, 严清峰, 刘敬伟, 陈少武, 余金中
Chin. J. Semicond.  2003, 24(10): 1025-1029
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0.18μm CMOS工艺条件下的信号完整性分析(英文)
孙加兴, 叶青, 周玉梅, 叶甜春
Chin. J. Semicond.  2003, 24(10): 1030-1034
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高温快速热处理对硅中热施主的影响
裴艳丽, 杨德仁, 马向阳, 樊瑞新, 阙端麟
Chin. J. Semicond.  2003, 24(10): 1035-1039
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Co在Si(100)表面化学吸附的电子结构和性质
危书义, 马丽, 杨宗献, 戴宪起, 张开明
Chin. J. Semicond.  2003, 24(10): 1040-1043
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纤锌矿GaN低场电子迁移率解析模型
张进城, 马晓华, 郝跃, 范隆, 李培咸
Chin. J. Semicond.  2003, 24(10): 1044-1048
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氮气氛中高温热处理硅片表面的直接氮化
祝洪良, 杨德仁, 汪雷, 裴艳丽, 阙端麟, 张寒洁, 何丕模
Chin. J. Semicond.  2003, 24(10): 1049-1052
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直流反应磁控溅射Zn_(1-x)Cd)_xO薄膜的研究
马德伟1078, 叶志镇, 黄靖1084云, 赵炳辉 1089
Chin. J. Semicond.  2003, 24(10): 1053-1056
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周期顺序蒸发工艺生长的Cu(In,Ga)Se_2薄膜结构
徐传明1093, 许小亮, 闵海军, 徐军, 杨晓杰, 黄文浩, 刘洪图
Chin. J. Semicond.  2003, 24(10): 1057-1062
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SIMOX硅片埋氧层垂直方向热导率的测量
何平, 刘理天, 田立林, 李志坚, 董业明, 陈猛, 王曦
Chin. J. Semicond.  2003, 24(10): 1063-1066
Abstract PDF

利用边发射光致发光谱研究垂直腔面发射激光器材料的特性
钮金真, 李国华
Chin. J. Semicond.  2003, 24(10): 1067-1071
Abstract PDF

50nm SOI-DTMOS器件的性能
陈国良, 黄如
Chin. J. Semicond.  2003, 24(10): 1072-1077
Abstract PDF

一种新型结构的光电负阻器件
李丹, 李树荣, 夏克军, 郭维廉, 郑云光
Chin. J. Semicond.  2003, 24(10): 1078-1083
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大功率半导体激光器阵列稳态温度分布分析
谢红云, 陈国鹰, 安振峰, 辛国锋, 康志龙
Chin. J. Semicond.  2003, 24(10): 1084-1088
Abstract PDF

半导体激光器阵列隔离槽的湿法腐蚀
辛国锋, 陈国鹰, 冯荣珠, 花吉珍, 安振峰, 牛健, 赵卫青
Chin. J. Semicond.  2003, 24(10): 1089-1092
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确定VCSEL电势及载流子自洽分布算法的研究
赵鼎, 林世鸣
Chin. J. Semicond.  2003, 24(10): 1093-1098
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超薄顶层硅SOI衬底上高k栅介质ZrO_2的性能
章宁琳, 宋志棠, 沈勤我, 林成鲁
Chin. J. Semicond.  2003, 24(10): 1099-1102
Abstract PDF

刻蚀衍射光栅像差特性分析
宋军, 梅维泉, 文泓桥, 何赛灵
Chin. J. Semicond.  2003, 24(10): 1103-1108
Abstract PDF

Al_2O_3栅介质的制备工艺及其泄漏电流输运机制
任驰, 杨红, 韩德栋, 康晋锋, 刘晓彦, 韩汝琦
Chin. J. Semicond.  2003, 24(10): 1109-1114
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半导体物理研究新进展
孙连亮, 李树深, 张荣, 何杰
Chin. J. Semicond.  2003, 24(10): 1115-1120
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