Journal of Semiconductors

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Volume 24, Issue 12, Dec 2003

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介电常数对比和填充率对光子晶体中光子禁带和局域态的调节(英文)

陈沁, 黄永箴, 国伟华, 于丽娟

Chin. J. Semicond. 2003, 24(12): 1233-1238

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(12): 1233.

陈沁, 黄永箴, 国伟华, 于丽娟. 介电常数对比和填充率对光子晶体中光子禁带和局域态的调节(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1233..Export: BibTex EndNote

陈沁, 黄永箴, 国伟华, 于丽娟. 介电常数对比和填充率对光子晶体中光子禁带和局域态的调节(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1233...

用CMOS工艺改善集成开关电容DC-DC变换器的特性(英文)

隋晓红, 陈治明, 赵敏玲, 余宁梅, 王立志

Chin. J. Semicond. 2003, 24(12): 1239-1243

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(12): 1239.

隋晓红, 陈治明, 赵敏玲, 余宁梅, 王立志. 用CMOS工艺改善集成开关电容DC-DC变换器的特性(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1239..Export: BibTex EndNote

隋晓红, 陈治明, 赵敏玲, 余宁梅, 王立志. 用CMOS工艺改善集成开关电容DC-DC变换器的特性(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1239...

5Gb/s 0.25μm CMOS限幅放大器(英文)

赵晖, 任俊彦, 章倩苓

Chin. J. Semicond. 2003, 24(12): 1244-1249

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(12): 1244.

赵晖, 任俊彦, 章倩苓. 5Gb/s 0.25μm CMOS限幅放大器(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1244..Export: BibTex EndNote

赵晖, 任俊彦, 章倩苓. 5Gb/s 0.25μm CMOS限幅放大器(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1244...

900MHz CMOS锁相环/频率综合器(英文)

胡艳, 王志功, 冯军, 熊明珍

Chin. J. Semicond. 2003, 24(12): 1250-1254

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(12): 1250.

胡艳, 王志功, 冯军, 熊明珍. 900MHz CMOS锁相环/频率综合器(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1250..Export: BibTex EndNote

胡艳, 王志功, 冯军, 熊明珍. 900MHz CMOS锁相环/频率综合器(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1250...

V_g=V_d/2)应力模式下宽度变窄对HALO-pMOSFETs退化的影响(英文)

胡靖, 赵要, 许铭真, 谭长华

Chin. J. Semicond. 2003, 24(12): 1255-1260

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(12): 1255.

胡靖, 赵要, 许铭真, 谭长华. Vg=Vd/2)应力模式下宽度变窄对HALO-pMOSFETs退化的影响(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1255..Export: BibTex EndNote

胡靖, 赵要, 许铭真, 谭长华. Vg=Vd/2)应力模式下宽度变窄对HALO-pMOSFETs退化的影响(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1255...

新型薄膜SOI高压MOSFET的研制(英文)

李文宏, 罗晋生

Chin. J. Semicond. 2003, 24(12): 1261-1265

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(12): 1261.

李文宏, 罗晋生. 新型薄膜SOI高压MOSFET的研制(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1261..Export: BibTex EndNote

李文宏, 罗晋生. 新型薄膜SOI高压MOSFET的研制(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1261...

一种新的光学临近校正方法(英文)

李卓远, 吴为民, 王旸, 洪先龙

Chin. J. Semicond. 2003, 24(12): 1266-1271

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(12): 1266.

李卓远, 吴为民, 王旸, 洪先龙. 一种新的光学临近校正方法(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1266..Export: BibTex EndNote

李卓远, 吴为民, 王旸, 洪先龙. 一种新的光学临近校正方法(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1266...

注C~+外延硅的光致发光特性

李玉国, 王强, 薛成山, 李怀祥, 石礼伟

Chin. J. Semicond. 2003, 24(12): 1272-1275

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(12): 1272.

李玉国, 王强, 薛成山, 李怀祥, 石礼伟. 注C~+外延硅的光致发光特性[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1272..Export: BibTex EndNote

李玉国, 王强, 薛成山, 李怀祥, 石礼伟. 注C~+外延硅的光致发光特性[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1272...

Mn~+离子注入的GaN薄膜的光学性质及其磁性

李杰, 张荣, 修向前, 卢佃清, 俞慧强, 顾书林, 沈波, 郑有炓

Chin. J. Semicond. 2003, 24(12): 1276-1279

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(12): 1276.

李杰, 张荣, 修向前, 卢佃清, 俞慧强, 顾书林, 沈波, 郑有炓. Mn~+离子注入的GaN薄膜的光学性质及其磁性[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1276..Export: BibTex EndNote

李杰, 张荣, 修向前, 卢佃清, 俞慧强, 顾书林, 沈波, 郑有炓. Mn~+离子注入的GaN薄膜的光学性质及其磁性[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1276...

p型GaN材料的表面物理特性

薛松, 韩彦军, 郭文平, 孙长征, 郝智彪, 罗毅

Chin. J. Semicond. 2003, 24(12): 1280-1284

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(12): 1280.

薛松, 韩彦军, 郭文平, 孙长征, 郝智彪, 罗毅. p型GaN材料的表面物理特性[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1280..Export: BibTex EndNote

薛松, 韩彦军, 郭文平, 孙长征, 郝智彪, 罗毅. p型GaN材料的表面物理特性[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1280...

面向对注氢硅片中微结构的影响

肖清华, 屠海令, 王敬, 周旗钢, 张果虎

Chin. J. Semicond. 2003, 24(12): 1285-1288

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(12): 1285.

肖清华, 屠海令, 王敬, 周旗钢, 张果虎. 面向对注氢硅片中微结构的影响[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1285..Export: BibTex EndNote

肖清华, 屠海令, 王敬, 周旗钢, 张果虎. 面向对注氢硅片中微结构的影响[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1285...

双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si的外延生长

谭利文, 王俊, 王启元, 郁元桓, 邓惠芳, 王建华, 林兰英

Chin. J. Semicond. 2003, 24(12): 1289-1292

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(12): 1289.

谭利文, 王俊, 王启元, 郁元桓, 邓惠芳, 王建华, 林兰英. 双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si的外延生长[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1289..Export: BibTex EndNote

谭利文, 王俊, 王启元, 郁元桓, 邓惠芳, 王建华, 林兰英. 双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si的外延生长[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1289...

相位误差对AWG波分复用器非相邻通道串扰影响的分析

李蔚, 刘德明, 黄德修

Chin. J. Semicond. 2003, 24(12): 1293-1296

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(12): 1293.

李蔚, 刘德明, 黄德修. 相位误差对AWG波分复用器非相邻通道串扰影响的分析[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1293..Export: BibTex EndNote

李蔚, 刘德明, 黄德修. 相位误差对AWG波分复用器非相邻通道串扰影响的分析[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1293...

基于矢量光场的VCSEL数值模型

赵鼎, 林世鸣

Chin. J. Semicond. 2003, 24(12): 1297-1302

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(12): 1297.

赵鼎, 林世鸣. 基于矢量光场的VCSEL数值模型[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1297..Export: BibTex EndNote

赵鼎, 林世鸣. 基于矢量光场的VCSEL数值模型[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1297...

大气状态下AFM针尖诱导氧化加工Ti膜的机理分析

匡登峰, 刘庆纲, 胡小唐, 郭维廉, 张世林

Chin. J. Semicond. 2003, 24(12): 1303-1306

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(12): 1303.

匡登峰, 刘庆纲, 胡小唐, 郭维廉, 张世林. 大气状态下AFM针尖诱导氧化加工Ti膜的机理分析[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1303..Export: BibTex EndNote

匡登峰, 刘庆纲, 胡小唐, 郭维廉, 张世林. 大气状态下AFM针尖诱导氧化加工Ti膜的机理分析[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1303...

一种精确检测半导体二极管正向电特性的新方法

王存达, 曾志斌, 张国义, 沈君, 朱传云

Chin. J. Semicond. 2003, 24(12): 1307-1311

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(12): 1307.

王存达, 曾志斌, 张国义, 沈君, 朱传云. 一种精确检测半导体二极管正向电特性的新方法[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1307..Export: BibTex EndNote

王存达, 曾志斌, 张国义, 沈君, 朱传云. 一种精确检测半导体二极管正向电特性的新方法[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1307...

热光Si共振腔型可调谐滤波器

黄昌俊, 左玉华, 成步文, 毛容伟, 李传波, 余金中, 王启明

Chin. J. Semicond. 2003, 24(12): 1312-1317

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(12): 1312.

黄昌俊, 左玉华, 成步文, 毛容伟, 李传波, 余金中, 王启明. 热光Si共振腔型可调谐滤波器[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1312..Export: BibTex EndNote

黄昌俊, 左玉华, 成步文, 毛容伟, 李传波, 余金中, 王启明. 热光Si共振腔型可调谐滤波器[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1312...

MOS环振式数字加速度传感器

张兆华, 岳瑞峰, 刘理天

Chin. J. Semicond. 2003, 24(12): 1318-1323

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(12): 1318.

张兆华, 岳瑞峰, 刘理天. MOS环振式数字加速度传感器[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1318..Export: BibTex EndNote

张兆华, 岳瑞峰, 刘理天. MOS环振式数字加速度传感器[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1318...

12位80MHz采样率具有梯度误差补偿的CMOS电流舵D/A转换器实现

江金光, 何怡刚, 吴杰

Chin. J. Semicond. 2003, 24(12): 1324-1329

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(12): 1324.

江金光, 何怡刚, 吴杰. 12位80MHz采样率具有梯度误差补偿的CMOS电流舵D/A转换器实现[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1324..Export: BibTex EndNote

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标准数字CMOS工艺中LC谐振回路的改进和应用

苏彦锋, 王涛, 朱臻, 洪志良

Chin. J. Semicond. 2003, 24(12): 1330-1334

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(12): 1330.

苏彦锋, 王涛, 朱臻, 洪志良. 标准数字CMOS工艺中LC谐振回路的改进和应用[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1330..Export: BibTex EndNote

苏彦锋, 王涛, 朱臻, 洪志良. 标准数字CMOS工艺中LC谐振回路的改进和应用[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1330...

影响全息光刻图形质量的因素

陈芬, 周亚训, 冯伯儒, 张锦

Chin. J. Semicond. 2003, 24(12): 1335-1339

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(12): 1335.

陈芬, 周亚训, 冯伯儒, 张锦. 影响全息光刻图形质量的因素[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1335..Export: BibTex EndNote

陈芬, 周亚训, 冯伯儒, 张锦. 影响全息光刻图形质量的因素[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(12): 1335...

一个集成电路工艺诊断实例

严利人, 李瑞伟, 徐春林

Chin. J. Semicond. 2003, 24(12): 1340-1344

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(12): 1340.

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