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Volume 24, Issue 7, Jul 2003

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一种用于分离pMOS器件热载流子应力下氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对阈值电压退化作用的方法(英文)

杨国勇, 王金延, 霍宗亮, 毛凌锋, 谭长华, 许铭真

Chin. J. Semicond. 2003, 24(7): 673-679

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(7): 673.

杨国勇, 王金延, 霍宗亮, 毛凌锋, 谭长华, 许铭真. 一种用于分离pMOS器件热载流子应力下氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对阈值电压退化作用的方法(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 673..Export: BibTex EndNote

杨国勇, 王金延, 霍宗亮, 毛凌锋, 谭长华, 许铭真. 一种用于分离pMOS器件热载流子应力下氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对阈值电压退化作用的方法(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 673...

人工神经网络在解深亚微米MOSFETs反型层量子效应模型中的应用(英文)

林榕, 周欣, 刘伯安

Chin. J. Semicond. 2003, 24(7): 680-686

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(7): 680.

林榕, 周欣, 刘伯安. 人工神经网络在解深亚微米MOSFETs反型层量子效应模型中的应用(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 680..Export: BibTex EndNote

林榕, 周欣, 刘伯安. 人工神经网络在解深亚微米MOSFETs反型层量子效应模型中的应用(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 680...

基于多孔硅牺牲层技术的压阻式加速度传感器的分析和设计(英文)

周俊, 王晓红, 姚朋军, 董良, 刘理天

Chin. J. Semicond. 2003, 24(7): 687-692

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(7): 687.

周俊, 王晓红, 姚朋军, 董良, 刘理天. 基于多孔硅牺牲层技术的压阻式加速度传感器的分析和设计(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 687..Export: BibTex EndNote

周俊, 王晓红, 姚朋军, 董良, 刘理天. 基于多孔硅牺牲层技术的压阻式加速度传感器的分析和设计(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 687...

高斜效率高功率850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器(英文)

岳爱文, 张伟, 詹敦平, 王任凡, 沈坤, 石兢

Chin. J. Semicond. 2003, 24(7): 693-697

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(7): 693.

岳爱文, 张伟, 詹敦平, 王任凡, 沈坤, 石兢. 高斜效率高功率850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 693..Export: BibTex EndNote

岳爱文, 张伟, 詹敦平, 王任凡, 沈坤, 石兢. 高斜效率高功率850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 693...

离子注入4H-SiC MESFET器件的夹断电压(英文)

王守国, 张义门, 张玉明

Chin. J. Semicond. 2003, 24(7): 697-701

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(7): 697.

王守国, 张义门, 张玉明. 离子注入4H-SiC MESFET器件的夹断电压(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 697..Export: BibTex EndNote

王守国, 张义门, 张玉明. 离子注入4H-SiC MESFET器件的夹断电压(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 697...

新颖的IGBT SPICE模型及非破坏参数提取和验证(英文)

袁寿财, 朱长纯

Chin. J. Semicond. 2003, 24(7): 702-706

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(7): 702.

袁寿财, 朱长纯. 新颖的IGBT SPICE模型及非破坏参数提取和验证(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 702..Export: BibTex EndNote

袁寿财, 朱长纯. 新颖的IGBT SPICE模型及非破坏参数提取和验证(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 702...

双量子点分子中激子的动态局域化行为

刘承师, 马本堃, 王立民

Chin. J. Semicond. 2003, 24(7): 707-713

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(7): 707.

刘承师, 马本堃, 王立民. 双量子点分子中激子的动态局域化行为[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 707..Export: BibTex EndNote

刘承师, 马本堃, 王立民. 双量子点分子中激子的动态局域化行为[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 707...

GaP_(1-x)N_x混晶的喇曼散射谱

高玉琳, 吕毅军, 郑健生, 张勇, Mascarenhas A, 辛火平, 杜武青

Chin. J. Semicond. 2003, 24(7): 714-717

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(7): 714.

高玉琳, 吕毅军, 郑健生, 张勇, M A, 辛火平, 杜武青. GaP_(1-x)N_x混晶的喇曼散射谱[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 714..Export: BibTex EndNote

高玉琳, 吕毅军, 郑健生, 张勇, M A, 辛火平, 杜武青. GaP_(1-x)N_x混晶的喇曼散射谱[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 714...

半绝缘砷化镓单晶中的晶体缺陷

徐岳生, 张春玲, 刘彩池, 唐蕾, 王海云, 郝景臣

Chin. J. Semicond. 2003, 24(7): 718-722

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(7): 718.

徐岳生, 张春玲, 刘彩池, 唐蕾, 王海云, 郝景臣. 半绝缘砷化镓单晶中的晶体缺陷[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 718..Export: BibTex EndNote

徐岳生, 张春玲, 刘彩池, 唐蕾, 王海云, 郝景臣. 半绝缘砷化镓单晶中的晶体缺陷[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 718...

ZnO材料的电子输运特性

郭宝增, 王永青, 宗晓萍, 孙荣霞, 宋登元, Umberto Ravaioli, Maritin Staedele

Chin. J. Semicond. 2003, 24(7): 723-728

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(7): 723.

郭宝增, 王永青, 宗晓萍, 孙荣霞, 宋登元, U Ravaioli, M Staedele. ZnO材料的电子输运特性[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 723..Export: BibTex EndNote

郭宝增, 王永青, 宗晓萍, 孙荣霞, 宋登元, U Ravaioli, M Staedele. ZnO材料的电子输运特性[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 723...

退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响

吕建国, 叶志镇, 黄靖云, 赵炳辉, 汪雷

Chin. J. Semicond. 2003, 24(7): 729-736

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(7): 729.

吕建国, 叶志镇, 黄靖云, 赵炳辉, 汪雷. 退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 729..Export: BibTex EndNote

吕建国, 叶志镇, 黄靖云, 赵炳辉, 汪雷. 退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 729...

用于半导体激光器热沉的金刚石膜/Ti/Ni/Au金属化体系的研究

潘存海, 李俊岳, 花吉珍, 王少岩

Chin. J. Semicond. 2003, 24(7): 737-742

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(7): 737.

潘存海, 李俊岳, 花吉珍, 王少岩. 用于半导体激光器热沉的金刚石膜/Ti/Ni/Au金属化体系的研究[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 737..Export: BibTex EndNote

潘存海, 李俊岳, 花吉珍, 王少岩. 用于半导体激光器热沉的金刚石膜/Ti/Ni/Au金属化体系的研究[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 737...

TIGBT的稳态和瞬态模型

张莉, 鲁耀华, 田立林

Chin. J. Semicond. 2003, 24(7): 743-747

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(7): 743.

张莉, 鲁耀华, 田立林. TIGBT的稳态和瞬态模型[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 743..Export: BibTex EndNote

张莉, 鲁耀华, 田立林. TIGBT的稳态和瞬态模型[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 743...

确定PHEMT器件等效电路的一种新方法

谢利刚, 张斌

Chin. J. Semicond. 2003, 24(7): 748-752

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(7): 748.

谢利刚, 张斌. 确定PHEMT器件等效电路的一种新方法[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 748..Export: BibTex EndNote

谢利刚, 张斌. 确定PHEMT器件等效电路的一种新方法[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 748...

InGaP/GaAs HBT微波功率放大器的设计

钱永学, 刘训春

Chin. J. Semicond. 2003, 24(7): 753-757

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(7): 753.

钱永学, 刘训春. InGaP/GaAs HBT微波功率放大器的设计[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 753..Export: BibTex EndNote

钱永学, 刘训春. InGaP/GaAs HBT微波功率放大器的设计[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 753...

兼容标准CMOS工艺的高压器件设计与模拟

刘奎伟, 韩郑生, 钱鹤, 陈则瑞, 于洋, 饶竞时, 仙文岭

Chin. J. Semicond. 2003, 24(7): 758-762

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(7): 758.

刘奎伟, 韩郑生, 钱鹤, 陈则瑞, 于洋, 饶竞时, 仙文岭. 兼容标准CMOS工艺的高压器件设计与模拟[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 758..Export: BibTex EndNote

刘奎伟, 韩郑生, 钱鹤, 陈则瑞, 于洋, 饶竞时, 仙文岭. 兼容标准CMOS工艺的高压器件设计与模拟[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 758...

一种适用于高速串行数据通信的发送器

叶菁华, 陈一辉, 郭淦, 洪志良

Chin. J. Semicond. 2003, 24(7): 763-768

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(7): 763.

叶菁华, 陈一辉, 郭淦, 洪志良. 一种适用于高速串行数据通信的发送器[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 763..Export: BibTex EndNote

叶菁华, 陈一辉, 郭淦, 洪志良. 一种适用于高速串行数据通信的发送器[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 763...

一个易于系统集成的变步长反馈数字DC-DC变换模块

原钢, 石寅

Chin. J. Semicond. 2003, 24(7): 769-774

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(7): 769.

原钢, 石寅. 一个易于系统集成的变步长反馈数字DC-DC变换模块[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 769..Export: BibTex EndNote

原钢, 石寅. 一个易于系统集成的变步长反馈数字DC-DC变换模块[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 769...

一种开关电流电路时钟馈通的补偿技术

李拥平, 石寅

Chin. J. Semicond. 2003, 24(7): 775-779

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(7): 775.

李拥平, 石寅. 一种开关电流电路时钟馈通的补偿技术[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 775..Export: BibTex EndNote

李拥平, 石寅. 一种开关电流电路时钟馈通的补偿技术[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 775...

不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

任迪远, 陆妩, 余学锋, 郭旗, 张国强, 胡浴红, 王明刚, 赵文魁

Chin. J. Semicond. 2003, 24(7): 780-784

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2003, 24(7): 780.

任迪远, 陆妩, 余学锋, 郭旗, 张国强, 胡浴红, 王明刚, 赵文魁. 不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性[J]. Chin. J. Semicond., 2003, 24(7): 780..Export: BibTex EndNote

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