Archive

Volume 24, Issue 7, Jul 2003

• CONTENTS

  一种用于分离pMOS器件热载流子应力下氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对阈值电压退化作用的方法(英文)

  杨国勇, 王金延, 霍宗亮, 毛凌锋, 谭长华, 许铭真

  Chin. J. Semicond.  2003, 24(7): 673
  

  人工神经网络在解深亚微米MOSFETs反型层量子效应模型中的应用(英文)

  林榕, 周欣, 刘伯安

  Chin. J. Semicond.  2003, 24(7): 680
  

  基于多孔硅牺牲层技术的压阻式加速度传感器的分析和设计(英文)

  周俊, 王晓红, 姚朋军, 董良, 刘理天

  Chin. J. Semicond.  2003, 24(7): 687
  

  高斜效率高功率850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器(英文)

  岳爱文, 张伟, 詹敦平, 王任凡, 沈坤, 石兢

  Chin. J. Semicond.  2003, 24(7): 693
  

  离子注入4H-SiC MESFET器件的夹断电压(英文)

  王守国, 张义门, 张玉明

  Chin. J. Semicond.  2003, 24(7): 697
  

  新颖的IGBT SPICE模型及非破坏参数提取和验证(英文)

  袁寿财, 朱长纯

  Chin. J. Semicond.  2003, 24(7): 702
  

  双量子点分子中激子的动态局域化行为

  刘承师, 马本堃, 王立民

  Chin. J. Semicond.  2003, 24(7): 707
  

  GaP_(1-x)N_x混晶的喇曼散射谱

  高玉琳, 吕毅军, 郑健生, 张勇, Mascarenhas A, 辛火平, 杜武青

  Chin. J. Semicond.  2003, 24(7): 714
  

  半绝缘砷化镓单晶中的晶体缺陷

  徐岳生, 张春玲, 刘彩池, 唐蕾, 王海云, 郝景臣

  Chin. J. Semicond.  2003, 24(7): 718
  

  ZnO材料的电子输运特性

  郭宝增, 王永青, 宗晓萍, 孙荣霞, 宋登元, Umberto Ravaioli, Maritin Staedele

  Chin. J. Semicond.  2003, 24(7): 723
  

  退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响

  吕建国, 叶志镇, 黄靖云, 赵炳辉, 汪雷

  Chin. J. Semicond.  2003, 24(7): 729
  

  用于半导体激光器热沉的金刚石膜/Ti/Ni/Au金属化体系的研究

  潘存海, 李俊岳, 花吉珍, 王少岩

  Chin. J. Semicond.  2003, 24(7): 737
  

  TIGBT的稳态和瞬态模型

  张莉, 鲁耀华, 田立林

  Chin. J. Semicond.  2003, 24(7): 743
  

  确定PHEMT器件等效电路的一种新方法

  谢利刚, 张斌

  Chin. J. Semicond.  2003, 24(7): 748
  

  InGaP/GaAs HBT微波功率放大器的设计

  钱永学, 刘训春

  Chin. J. Semicond.  2003, 24(7): 753
  

  兼容标准CMOS工艺的高压器件设计与模拟

  刘奎伟, 韩郑生, 钱鹤, 陈则瑞, 于洋, 饶竞时, 仙文岭

  Chin. J. Semicond.  2003, 24(7): 758
  

  一种适用于高速串行数据通信的发送器

  叶菁华, 陈一辉, 郭淦, 洪志良

  Chin. J. Semicond.  2003, 24(7): 763
  

  一个易于系统集成的变步长反馈数字DC-DC变换模块

  原钢, 石寅

  Chin. J. Semicond.  2003, 24(7): 769
  

  一种开关电流电路时钟馈通的补偿技术

  李拥平, 石寅

  Chin. J. Semicond.  2003, 24(7): 775
  

  不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

  任迪远, 陆妩, 余学锋, 郭旗, 张国强, 胡浴红, 王明刚, 赵文魁

  Chin. J. Semicond.  2003, 24(7): 780
  

Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved