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Volume 25, Issue 5, May 2004
Table of Content
CONTENTS
电吸收调制器和DFB激光器一种改进的双有源层堆积集成方法(英文)
胡小华, 李宝霞, 朱洪亮, 王宝军, 赵玲娟, 王鲁峰, 王圩
Chin. J. Semicond.  2004, 25(5): 481-485
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离子注入高温退火对4H-SiC MESFET特性的影响(英文)
杨林安, 张义门, 于春利, 张玉明, 陈刚, 黄念宁
Chin. J. Semicond.  2004, 25(5): 486-491
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AlGaN/GaN/InGaN对称分别限制多量子阱激光器的优化设计(英文)
陆敏, 方慧智, 张国义
Chin. J. Semicond.  2004, 25(5): 492-496
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SCDI结构快闪存储器件Ⅱ:实验与器件特性(英文)
欧文, 钱鹤
Chin. J. Semicond.  2004, 25(5): 497-501
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金属沾污对超薄栅氧(2. 5nm)特性的影响(英文)
王刘坤, Twan Bearda, Karine Kenis, Sophia Arnauts, Patrick Van Doorne, 陈寿面, Paul Mertens, Marc Heyns
Chin. J. Semicond.  2004, 25(5): 502-507
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CEE-Gr:一个在多约束下进行性能优化的总体布线器(英文)
张凌, 经彤, 洪先龙, 许静宇
Chin. J. Semicond.  2004, 25(5): 508-515
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一个超薄氧化物nMOSFET器件的直接隧穿电流经验公式(英文)
张贺秋, 许铭真, 谭长华
Chin. J. Semicond.  2004, 25(5): 516-519
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采用精确时延模型基于路径的缓冲器插入时延优化(英文)
张轶谦, 周强, 洪先龙, 蔡懿慈
Chin. J. Semicond.  2004, 25(5): 520-525
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多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响
陆敏, 方慧智, 黎子兰, 陆曙, 杨华, 章蓓, 张国义
Chin. J. Semicond.  2004, 25(5): 526-529
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一种新型磁场MWECR-CVD和氢化非晶硅薄膜制备
殷生毅, 陈光华, 吴越颖, 王青, 刘毅, 张文理, 宋雪梅, 邓金祥
Chin. J. Semicond.  2004, 25(5): 530-534
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垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体时固液界面形状的控制
李万万, 桑文斌, 闵嘉华, 郁芳, 张斌, 王昆黍, 曹泽淳
Chin. J. Semicond.  2004, 25(5): 535-541
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一种高性能CMOS带隙电压基准源设计
朱樟明, 杨银堂, 刘帘曦, 朱磊
Chin. J. Semicond.  2004, 25(5): 542-546
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考虑源漏隧穿的DG MOSFET弹道输运及其模拟
郑期彤, 张大伟, 江波, 田立林, 余志平
Chin. J. Semicond.  2004, 25(5): 547-551
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光读出热成像芯片的优化设计与ANSYS模拟
冯飞, 焦继伟, 熊斌, 王跃林
Chin. J. Semicond.  2004, 25(5): 552-556
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聚合物热光可变光衰减器
李鹰, 江晓清, 李锡华, 唐奕, 王明华, 张涛, 沈玉全
Chin. J. Semicond.  2004, 25(5): 557-561
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施主型界面态引起深亚微米槽栅PMOS特性的退化
任红霞, 张晓菊, 郝跃
Chin. J. Semicond.  2004, 25(5): 562-567
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薄栅氧高压CMOS器件研制
刘奎伟, 韩郑生, 钱鹤, 陈则瑞, 于洋, 仙文岭, 饶竞时
Chin. J. Semicond.  2004, 25(5): 568-572
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新型高频硅光电负阻器件的特性模拟及测试分析
朱胜利, 姚素英, 郑云光, 李树荣, 张世林, 郭维廉
Chin. J. Semicond.  2004, 25(5): 573-578
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出纤功率30W的激光二极管线列阵光纤耦合器件
王晓薇, 方高瞻, 马骁宇, 冯小明, 孙海东, 刘媛媛, 刘斌, 肖建伟
Chin. J. Semicond.  2004, 25(5): 579-582
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亚0.1μm栅长CMOS器件和电路的研制
刘文安, 黄如, 张兴
Chin. J. Semicond.  2004, 25(5): 583-588
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高铝Al_xGa_(1-x)As氧化层对垂直腔面发射激光器的影响
康香宁, 宋国峰, 叶晓军, 侯识华, 陈良惠
Chin. J. Semicond.  2004, 25(5): 589-593
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VLSI成品率重心游移算法的一个几何解释
荆明娥, 郝跃
Chin. J. Semicond.  2004, 25(5): 594-596
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T形结构在位测量薄膜中残余张应力的理论研究
徐方迁, 徐联, 何世堂
Chin. J. Semicond.  2004, 25(5): 597-600
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一种用于标准单元版图交替移相掩模相位兼容性规则检查的工具
高根生, 史峥, 陈晔, 严晓浪
Chin. J. Semicond.  2004, 25(5): 601-606
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一种使用遗传算法在高层次综合中完成互连优化的方法
王磊, 粟雅娟, 魏少军
Chin. J. Semicond.  2004, 25(5): 607-612
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