Journal of Semiconductors

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Volume 26, Issue 5, May 2005

CONTENTS

Widely Tunable Sampled-Grating DBR Laser

Kan Qiang, Zhao Lingjuan, Zhang Jing, Zhou Fan, Wang Baojun, Wang Lufeng，and Wang Wei

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 853

A Novel Local-Dielectric-Thickening Technique for Performance Improvements of Spiral Inductors on Si Substrates

Yang, Rong，Li, Junfeng，Zhao, Yuyin，Chai, Shumin，Han, Zhengsheng，and, Qian, He

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 857

Sensitivity of Total-Dose Radiation Hardness of SIMOX Buried Oxides to Doses of Nitrogen Implantation into Buried Oxides

Zheng Zhongshan, Liu Zhongli, Zhang Guoqiang, Li Ning, Li Guohua, Ma Hongzhi, Zhang Enxia, Zhang Zhengxuan, Wang Xi

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 862

An Accurate 1.08GHz CMOS LC Voltage-Controlled Oscillator

Tang Zhangwen, He Jie, Jian Hongyan, and Min Hao

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 867

Design and Realization of a Monolithic GaAs 3Bit Phase Digitizing DAC

Zhang, Youtao，Xia, Guanqun，Li, Fuxiao，Gao, Jianfeng，and, Yang, Naibin

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 873

A New Low Voltage RF CMOS Mixer Design

Liu, Lu, and, Wang, Zhihua

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 877

Strained-Si pMOSFETs on Very Thin Virtual SiGe Substrates

Li Jingchun, Tan Jing, Yang Mohua, Zhang Jing，and Xu Wanjing

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 881

An Asynchronous Implementation of Add-Compare-Select Processor for Communication Systems

Zhao Bing, Qiu Yulin, Lü Tieliang, and Hei Yong

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 886

Theoretical Analysis of Effect of LUT Size on Area and Delay of FPGA

Gao, Haixia，Yang, Yintang，and, Dong, Gang

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 893

An Alternative Method for SU-8 Removal Using PDMS Technique

Li Jianhua, Chen Di, Zhang Jinya, Liu Jingquan, and Zhu Jun

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 899

液相外延HgCdTe薄膜组分均匀性对红外透射光谱的影响

王庆学, 魏彦锋, 杨建荣, 何力

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 904

高碳CZ硅中氧沉淀的两种成核长大机制

刘培东, 姜益群, 黄笑容, 沈益军, 李立本, 阙端麟

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 910

色散对GaN和ZnO的XRD摇摆曲线的影响

王立, 方文卿, 蒲勇, 郑畅达, 戴江南, 莫春兰, 江风益

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 917

SnO₂∶Sb薄膜的制备和光致发光性质

王玉恒, 马瑾, 计峰, 余旭浒, 张锡健, 马洪磊

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 922

硅纳米晶的制备和电荷储存特性

焦正, 李珍, 吴明红, 吕森林, 王德庆

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 927

Si基氨化ZnO／Ga2O3薄膜制备GaN纳米线

高海永, 庄惠照, 薛成山, 王书运, 何建廷, 董志华, 吴玉新, 田德恒

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 931

水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜

高欣, 孙国胜, 李晋闽, 赵万顺, 王雷, 张永兴, 曾一平

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 936

利用p型（100）硅片制备二维光子晶体的工艺

张晚云, 季家榕, 袁晓东, 叶卫民, 朱志宏

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 941

(100)定向CVD金刚石薄膜的制备及其电学性能

苏青峰, 夏义本, 王林军, 张明龙, 楼燕燕, 顾蓓蓓, 史伟民

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 947

VHF-PECVD制备微晶硅材料及电池

张晓丹, 赵颖, 朱锋, 魏长春, 高艳涛, 孙健, 侯国付, 薛俊明, 耿新华, 熊绍珍

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 952

渐变带隙结构在Ⅲ-Ⅴ族太阳电池中的应用

彭华, 周之斌, 崔容强, 叶庆好, 庞乾骏, 陈鸣波, 赵亮

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 958

p型GaN欧姆接触的比接触电阻率测量

薛松, 韩彦军, 吴震, 罗毅

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 965

微量铜-铁对硅片表面污染的初步分析

郑宣, 程璇

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 970

径向三重流MOCVD反应器输运过程的数值模拟

左然, 张红, 刘祥林

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 977

基于C-V, I-V, Q-V特性的铁电电容新模型

陈小明, 汤庭鳌

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 983

基于FC技术的AlGaN/GaN HEMT

陈晓娟, 刘新宇, 邵刚, 刘键, 和致经, 汪锁发, 吴德馨

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 990

一种简化的VBIC模型和InGaP/GaAs HBT宽带放大器设计

孙玲玲, 刘军

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 994

恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性

王彦刚, 许铭真, 谭长华, 段小蓉

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 999

pMOS器件的热载流子注入和负偏压温度耦合效应

刘红侠, 郝跃

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 1005

双极晶体管ΔVbe瞬态热阻测试法精度修正

李霁红, 贾颖, 康锐, 高成

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 1010

三沟道体电荷耦合器件在近红外光区光电特性的数值模拟

宋敏, 张颖, 王玉新, 郑亚茹

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 1015

50/100GHz AWG型光学梳状滤波器的设计与制备

窦金锋, 韩培德, 胡雄伟

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 1020

850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性

张永明, 钟景昌, 赵英杰, 郝永芹, 李林, 王玉霞, 苏伟

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 1024

MEMS多层膜残余应力全场光学在线测试

聂萌, 黄庆安, 李伟华

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 1028

焊料键合实现MEMS真空封装的模拟

程迎军, 蒋玉齐, 许薇, 罗乐

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 1033

一种改进的旋转式微机械结构

刘祖韬, 黄庆安, 李伟华

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 1040

一种2.4GHz 0.35μm CMOS Gilbert下变频器

崔福良, 黄林, 马德群, 洪志良

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 1045

一种2.4GHz的CMOS注入锁频倍频器

衣晓峰, 苏彦锋, 朱臻, 洪志良

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 1049

考虑缺陷形状分布的IC成品率模型

王俊平, 郝跃

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 1054

应用于MEMS的单晶硅上无电镀铜、镀镍工艺

韩翔, 李轶, 吴文刚, 闫桂珍, 郝一龙

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 1059

厚层抗蚀剂曝光模型及其参数测量

刘世杰, 杜惊雷, 段茜, 罗铂靓, 唐雄贵, 郭永康, 杜春雷

Chin. J. Semicond. 2005, 26(5): 1065