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Volume 3, Issue 3, Mar 1982

    CONTENTS

  • 高纯度砷化镓残留受主BA、DA峰的电子声子耦合

    陈廷杰, 吴灵犀, 徐寿定, 孟庆惠, 于鲲, 李永康

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 169

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    研究了高纯度LPE-GaAs和VPE-GaAs 在4.2K的光致发光谱.观测到1.44—1.46eV范围内有若干发射峰,它们是残留受主的BA、DA峰的一级声子伴线.由光致发光谱测定了GaAs中纵光学声子能量约为36meV.用一级声子线强度与零级声子线强度之比值定出了C_(As)、Si_(As)和Ge_(As)的s值.实验结果表明在高纯度GaAs中,对于同一种受主杂质,BA峰的s值大于DA峰的s值.

  • GaAs-AlGaAs异质结界面及开关现象的研究

    林世鸣, 王启明, 杜宝勋, 石忠诚, 高季林

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 175

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    在GaAs-AlGaAs DH异质结上观察到了开关记忆现象,其高阻态表现为正常的 p-n二极管的伏安特性,其低阻态表现为线性的欧姆特性,在两个状态具有记忆功能.我们提出了由于在界面处存在有界面态因而引起上述效应的模型:在反偏下由于界面的碰撞电离造成向低阻态的翻转,在正偏下由于电子重新填充界面态而达到高阻态的恢复.在单层生长的p-n异质结进行了DLTS测量,小电流正向I-V特性测量以及反向击穿电压等测量,实验结果支持了上述模型.由于上述开关记忆效应是在GaAs衬底上作成的,它又具有光电子学的特点(低阻态不发光,高阻态可伴随有光信息输出),因而可望有可能利用来设计具有新的功能的光电子器件.

  • p/p~+Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te液相外延层等离子体的红外反射光谱

    冷静, 杨永年, 袁诗鑫

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 182

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    本文报道了对具有高浓度衬底的P型Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te液相外延层(P-Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te/p~+-Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te),用红外光谱仪测量的实验反射光谱以及用解光导纳方程的方法所获得的计算反射光谱,然后用曲线拟合技术修改参数,使计算光谱与实验光谱一致,最后得出在这样的外延层中载流于浓度的分布具有如下形式:log P=az~2+bz+ c.P为载流子浓度,|z|为外延层内各截面到衬底之距离,a,b,c为常数且均大于零.

  • 由MOS结构对线性电压扫描的瞬态响应测定产生寿命和表面产生速度

    张秀淼, 包宗明, 苏九令

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 192

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    本文指出由MOS结构栅电流和高频电容对线性电压扫描的瞬态响应,可同时测定产生寿命和表面产生速度.对一些样品进行了测试,并与饱和电容法和 dC/dV法作了比较.

  • GD非晶硅中氧、氮对其光电特性的影响

    徐温元, 孙钟林, 王宗畔, 李德林

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 197

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    研究了以氧、氮或它们的混合气体作为掺杂材料所制备的a-Si 薄膜,并分析了掺杂后对其光电特性的影响.在我们的实验室中,不掺杂的样品是高阻和低光电导的,然而在GD制备过程中引入适量的氧或氮,可使其暗电导和光电导发生很大变化,在合适的条件下,其典型值可分别增加七个和四个数量级.文中给出了暗电导、光电导与掺杂量的关系;不同掺杂材料的电导激活能;红外吸收谱和隙态密度分布曲线等.文章最后对结果作了推测性的讨论.并认为,在GD法制备非晶硅薄膜过程中,微量的氧和氮是导致材料光电特性分散的一个重要因素.

  • 偏离<111>晶向的硅表面层中氧化层错的研究

    鲍希茂, 嵇福权, 黄信凡

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 202

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    本文用样品表面对(111)晶面的小角度偏离解释了高温退火和热氧化过程中出现的弧形和弓形OSF,分析了它们的形貌特征,并确定了弧形OSF的成核位置.讨论了表面弓形OSF的宽长比.发现随着长度的增长,弓形 OSF的宽长比从 1/2逐渐变为与长度成反比例.

  • 绝缘边界对扩展电阻测量的影响

    陈存礼

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 208

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    本文根据镜象法的原理,从理论上导出了不同情况下,直线形和圆形绝缘边界对扩展电阻测量影响的数学表达式,并用实验加以证实.在磨角的斜面上进行纵向杂质浓度分布的扩展电阻测量时,必须计及结附近绝缘边界的修正,以免导致错误.

  • 电化学C-V法测量半导体材料载流子浓度分布

    邵永富, 陈自姚, 彭瑞伍

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 215

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    本文讨论了影响电化学C-V法测量半导体载流子浓度分布的因素,其中包括接触面积、半导体种类、电解液种类和界面分辨率等.已经证明用直接补偿法可以有效地校正寄生面积对浓度分布测量的影响.在研究半导体和溶液种类的影响时,发现在同一种溶液中,各种GaAs的C-V特性均能符合Mott-Schattky方程式.在上述结果的基础上,我们将电化学C-V法成功地应用于测定P-N,高-低-高结构,GaInAsP发光材料和离子注入样品的载流子浓度分布,得到了满意的结果.

  • GaAs MESFET单片集成电路工艺研究

    王立模, 罗浩平, 李其忠, 杨凤臣, 江锋, 瞿志仁, 陈凌云, 马洪芳

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 222

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    用缓冲场效应晶体管逻辑(BFL)电路,研究了GaAs MES FET单片集成电路的工艺.为提高单片电路的集成度,给出了设计平面器件最小欧姆接触长度的直读曲线.对磷酸系腐蚀液的工艺特性进行了研究,并与其他几种常用的腐蚀液进行了比较.采用盐酸浸泡法结合栅区深腐蚀技术,明显地改善了肖特基势垒结的特性.利用俄歇能谱仪对Au-Ti-GaAs肖特基势垒结的热退化失效进行了分析,并提出了改善措施.已制出管芯平均传输时延小于100ps的GaAs单片集成门电路.

  • 复合型GaAs材料在10.6μm吸收特性的研究

    王桂芬, 张光寅, 张春平

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 230

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    <正> 随着高功率CO_2激光器的迅速发展,从不同的物理性质和化学性质的材料中,选择最适宜的红外激光器窗材料是一个重要问题.从目前应用的几种激光器窗材料来看,KC1和NaC1机械性能差,易潮解,Ge的吸收系数较大,都不是较好的高功率激光器窗材料.因而进一步提高GaAs的性能,就仍有其实际意义. 自1979年以来,冶金部有色金属研究总院采用液封直拉工艺,研制成复合型半绝缘GaAs材料,此种材料的吸收系数低,透射率高,热稳定性能良好,能承受高功率CO_2激光,而且大大降低了成本,可作为一种优良的千瓦级CO_2激光器窗材料.我们利用光声光谱方法,对有色金属研究总院研制的复合型半绝缘 GaAs材料在10.6μm的红外吸收进行了研究,并与掺Cr半绝缘单晶等材料作了对比,测量结果表明,复合型半绝缘GaAs

  • 磷化铟与氧化膜界面物理性质的研究

    陈克铭, 仇兰华, 崔玉德, 陈维德, 简萍清

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 233

    Abstract PDF

    <正> 利用φ550型AES和ESCA与离子溅射相结合方法,研究了n型InP(100)晶面,浓度 10~(16)cm~(-3),迁移率约 2500cm~2/V·s的单晶片上低温淀积SiO_2热氧化膜和阳极氧化膜与本体InP界面区的光电子能谱随深度的变化,及其各种氧化物和俄歇信号的深度分布.在深度分析中Ar作溅射气体,离子枪工作电压为2keV,离子流密度为8μA,电子束电压为3keV,其束流为5μA.同时用椭圆偏振光测厚仪,测定了两种氧化膜的厚度和折射率及介电常数,并且还测定了它们的击穿电压,其结果列于表1.

  • SOS外延膜的光吸收研究

    章熙康, 顾隆道

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 238

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    <正> SOS(蓝宝石上外延硅)膜是异质外延,由于点阵失配、外延后冷却时产生的热应力及自掺杂效应,外延膜的结晶质量及半导体性能对于衬底制备及外延工艺参数非常敏感.Druminski等根据SOS膜的光谱反射吸收测量,提出用一光吸收因子F_A来表征硅膜的结晶质量.F_A定义为

  • 用DLTS研究中子嬗变掺杂硅中的电子陷阱

    吴书祥, 晏懋洵, 杜光庭, 孟祥提

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 241

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    <正> 硅单晶的中子嬗变掺杂(NTD),是硅原子俘获热中子发生(n,r)反应而实现嬗变掺磷的.这一核反应过程是~(30)Si(n,r)~(31)Si→~(31)P+β~-(T_(1/2)=2.6h).由于NTD工艺具有掺杂均匀、易于精确控制等优点,日益受到注意.在大功率器件制造中已显示了它的优越性,人们正在研究将其用于制造高质量探测器等.NTD工艺会引入辐照损伤.~(30)Si原

  • 不同金属栅极的M-SiO_2-Si系统可动离子界面陷阱能量分布的研究

    王阳元, 张利春, 吉力久, 倪学文

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 245

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    <正> 在当前大规模集成电路和微波、功率晶体管的发展中,电极已不复限于铝.诸如钛、铝、铜、金等已被广泛采用.特别是钼栅LSI的发展使人们对可动离子在M-SiO_2-Si系统中的运动动力学性质感兴趣.大量实验已证明可动离子在SiO_2中的输运性质和在界面陷阶中的分布,不能用单能极模型来描述,而是在陷阱中,按能量有一个分布.本文就是利用我们提出的,直接从实验TSIC曲线求出可动离子界面分布的近似方法,研究了用不同金属材料作为栅电极时,M-SiO_2-Si系统中可动离子的输运性质和它们在界面陷

  • 用背散射和沟道技术分析异质外延硅层的缺陷

    承焕生, 徐志伟, 赵国庆, 周筑颖, 郁元桓

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 248

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    <正> 近几年来,在绝缘体上进行外延硅层生长得到了很大的重视.其中以蓝宝石和尖晶石为基体的外延硅层研究得较多,因为这种外延层较薄(典型值~1μm),基体绝缘性好,耐辐照性能强;用这样的材料做MOS集成电路,具有高频性能好、耐辐照的优点,特别适用于宇航环境.但这种外延层(称异质外延)不容易做得好,这种外延层中往往存在着大量堆垛缺陷和孪晶薄层.在实践中,人们常需采用各种有效的实验手段来测试外延层的质量,以研究工艺过程中有关条件对质量的影响,从而选择最佳的工艺条件.

  • 用DLTS研究注氧硅中深中心缺陷

    张玉峰, 张丽珠, 吴书祥, 杜永昌

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 251

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    <正> 近年来,离子注入在半导体中产生的缺陷及其退火行为被广泛地研究,DLTS技术提供了一个高灵敏度测量低浓度深中心缺陷的方法本文用DLTS技术测量了注氧硅中缺陷的热退火和CW-CO_2激光退火行为.

  • 第三届全国半导体物理会议

    屈逢源

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 255

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    <正> 第三届全国半导体物理会议于1981年12月15日至19日在江苏省无锡市召开.出席这次会议的有领导部门、高等院校、研究所、工厂等66个单位的133名代表.大会共收到论文摘要180余篇,报告内容涉及电子态、表面、界面、输运现象、深能级杂质和缺陷、非晶态、半导体光学性质、器件物理、离子注入、激光退火和辐射效应等. 代表们认为,这次会议和第二届会议比较,有以下几个特点.表现在,半导体物理的研究面比以前

  • 第二届《全国集成电路和硅材料学术年会》

    冯应章

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 255

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    <正> 由中国电子学会半导体与集成技术学会和电子材料学学会联合主办的第二届《全国集成电路和硅材料学术年会》已于一九八一年十二月十二日至十七日在广州召开.出席会议的代表有370名. 年会收到学术论文报告330篇,其中263篇分别在硅材料质量研究、硅材料物理及测试,双极电路、MOS电路、集成电路工艺、CAD测试与专用设备、工艺监控与理论分析、CVD和激光退火等8个分会上进行了交流,王守武、林兰英、王守觉、黄敞在大会上分别作了题为《介绍国外大规模和超大规模集成

  • 全国中、大规模集成电路设计及分析学术会议

    冯应章

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 256

    Abstract PDF

    <正> 中国电子学会半导体与集成技术学会委托四机部1424所筹备的全国中、大规模集成电路设计及分析学术会议于1981年11月28日至12月3日在昆明市召开.在云南省科委、电子局领导机关的关心和云南省半导体器件厂的大力支持下,学术会议开得比较成功. 来自全国近80名代表参加了这次会议.会议共收到论文摘要108篇,在会上报告了44篇.通过这次学术会议,可以看到我国中、大规模集成电路的设计、研制、分析测试及计算机辅助设计技术已有了较大的进展,其中双极256位、1024位 ROM;MOS 4K静态、16K动态随机存贮器的研制成果,

  • 第四届全国砷化镓及有关化合物学术交流会

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 256

    Abstract PDF

    <正> 中国金属学会举办的第四届全国砷化镓及有关化合物学术交流会,于1981年11月25日至28日在上海召开.参加会议代表共139名.会议收到论文及工作报告共117篇. 这次会议的报告内容涉及材料和器件.在材料方面,砷化镓的纯度、完整性和深能级的研究取得可喜的结果,还开展了磷化铟材料的研制,晶体生长和多元固溶体外延也取得进展.在微波及光电器件的研究上达到了一个新水平. 会议期间,还举行了三次座谈会,分别讨论了半导体化合物的科研和今后的发展;原材料及辅助材

  • 1981年国际砷化镓和有关化合物学术会议

    王渭源, 邹元爔

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 257

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    <正> 1981年9月20日-23日在日本召开的国际砷化镓和有关化合物学术会议是自1966年以来的第九届国际会议。正式代表394人,论文94篇,最新进展(摘要)14篇。中国代表共11人。 正式会议共三天。最受重视的是 GaAs IC.第一次全体会议有6篇论文是关于 GaAs IC的,另外2篇与IC有关的文章,报告单位包括美国Rockwell和HUGHES,日本NTT、三菱和电子综合技术所,法国 THOMSON-CSF等单位。从报告内容可看出:GaAs IC速度比硅 IC快,集成度已达到 LSI,

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