本文对SiCl_4氢还原的复杂化学反应体系的平衡状态作了计算.给出体系在低压(P=0.1大气压、P=0.01大气压)和常压(P=1大气压),温度T从900K至1500K,及不同初始成分条件下的平衡成分图、产率图、外延生长控制参数的阈值图,并提出了有关改进低压硅外延工艺的参考性意见.
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低压硅外延生长的热力学研究
Chin. J. Semicond. 1982, 3(5): 343
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低压化学汽相淀积氮化硅膜的成份和抗氧化能力的测定
Chin. J. Semicond. 1982, 3(5): 351
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本文介绍用低压化学汽相淀积(LPCVD)技术生长的氮化硅膜的组份及其抗氧化能力的测定.我们研究了SiCl_4-NH_3体系淀积的氮化硅膜.采用俄歇电子能谱仪(AES)和二次离子质谱仪(SIMS)测定膜的组份比和膜中的氧含量,特别是用(AES)法详细分析了氮化硅膜的抗氧化能力.
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关于砷化镓自生长氧化膜的研究
Chin. J. Semicond. 1982, 3(5): 359
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本文研究了砷化镓阳极氧化和热氧化的规律,并测量了自生长氧化膜的x光衍射谱、红外吸收光谱、折射率、线胀系数和杨氏模量.这些数据表明,GaAs自生长氧化膜可应用于以GaAs为衬底的平面光学器件及集成光学,同时,利用热氧化膜时,必须考虑应力及光弹性效应.
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(AlGa)As/GaAs DH激光器低温负阻的研究
Chin. J. Semicond. 1982, 3(5): 366
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在室温至 77K范围内测量了 AlGaAs/GaAs DH激光器的正向伏安特性.发现有些激光器在低温下具有负阻的特性. 采用类 Schottky模型对DH激光器中的N-Al_(0.3)Ga_(0.7)As/n-GaAs异质结的电流传输特性进行分析,认为负阻现象是由于N型(AlGa)As层掺杂浓度偏低,N-n异质结在低温DH激光器正向偏置较大时,电子从n区隧道击穿N-n异质结势垒,或空穴从P型有源区注入N区引起的.此外N-AlGaAs层的施主杂质Sn的电离能很大也对低温负阻有贡献.
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一种新的CMOS负阻器件
Chin. J. Semicond. 1982, 3(5): 376
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本文提出了一种新的,能够产生电流控制型负阻特性的CMOS集成电路结构,并进行了理论分析,导出了负阻特性的特征参数表达式.实验结果与理论分析满意一致.
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GaAs中速度过冲特性的分析
Chin. J. Semicond. 1982, 3(5): 385
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借助玻尔兹曼输运方程和双温度电子转移模型分析了GaAs中的速度过冲特性,获得了与Monte Carlo计算机模拟一致的结果.利用曲线拟合技术给出了电子漂移速度、电子温度与渡越距离的简单关系式.
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场控P-N结击穿特性
Chin. J. Semicond. 1982, 3(5): 395
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本文通过对典型场控P-N结结构的分析,给出硅突变结击穿电压(BV_R)与覆盖在结上面的场绝缘层介质类型(K_i)、介质厚度(d)、场板偏压(V_F)、平带电压(V_(FB))、衬底杂质浓度(N_B)、结曲率半径(r_i)等参数之间的定量关系表达式.实验表明.实际测量的数据与用本文中公式所计算的结果符合得很好.预示,用同样的方法,也可以推导出场控缓变P-N结的击穿电压表达式.
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高频C-V方法测量埋沟电荷耦合器件的沟道电势
Chin. J. Semicond. 1982, 3(5): 404
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本文提出通过栅控二极管在不同偏压下的高频C-V特性曲线,确定埋沟电荷耦合器件(BCCD)随栅压变化的沟道电势.对不同样品进行了高频C-V测量,并求出沟道电势与栅压的变化关系.同时,用直流I-V法进行了测量,结果与高频C-V方法所得到的结果非常接近.根据BCCD一维耗尽近似理论模型,进行了计算机模拟,结果表明,理论与实验结果符合得比较好.
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用光谱法研究砷离子注入硅的退火
Chin. J. Semicond. 1982, 3(5): 410
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<正> 近年来,有一些工作研究用椭偏光法测定离子注入硅.这些都是在单一波长下进行测量的.但是,离子注入损伤只在样品表面一薄层内,即使均匀光吸收介质层(相当于高注入剂量情况),也有折射率n、消光系数k和层厚d待求.莫党等近来发展了一种测定离子注入硅的椭偏光谱法,测定各波长的椭偏参数,然后用分区法对均匀吸收介质层模型进行计算,不必用剖层法配合,可求出d和光学常数的色散关系.在此基础上
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硅单晶漩涡缺陷的铜缀饰腐蚀显示
Chin. J. Semicond. 1982, 3(5): 413
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通过对铜在硅中行为的研究,我们提出了漩涡缺陷的铜缀饰腐蚀显示工艺.本工艺适用于各类无位错硅单晶的漩涡缺陷显示,不但操作方便,而且显示灵敏,结果的重复性好.
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