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Volume 7, Issue 3, Mar 1986

    CONTENTS

  • GaAS/GaAlAs pnpn负阻激光器异质基区输运特性及载流子限制因子

    张权生, 吴荣汉

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 227

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    本文从求解连续方程出发,分析了作者们参与研制的GaAs/GaAlAs pnpn负阻激光器中含有双异质结激光器结构的晶体管异质基区的输运特性,讨论了各自的影响.求得了激射有源区中载流子限制因子的分析表达式.

  • 短栅GaAs MESFET中电子饱和速度

    杨悦非, 王渭源

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 237

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    本文根据0.3—1.1μm栅长GaAs MESFET直流特性的测试结果,计算了不同栅长器件中电子饱和速度.实验表明,短栅GaAs MESFET中电子饱和速度随负栅压增加而上升至速度过冲.结合器件结构,对实验结果作了讨论.

  • 用二次函数分段插值法计算扩展电阻修正因子

    舒畅, 包宗明

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 242

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    本文提出了一个新的扩展电阻薄层修正因子的计算方法——二次函数分段插值法.该方法不仅计算速度快、所需计算机内存容量小,而且计算精度也相当高,特别适合于用微型计算机进行计算.在APPLEII微机上采用BASIC语言编制的程序进行修正因子的计算,每算一次修正因子仅需4秒,修正35个点所需时间小于15分钟.

  • α-Al_2O_3-Si界面电子结构的研究

    沈清, 林理彬

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 248

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    本文用DV-SCC-X_a方法计算了α-Al_2O_3晶体及Si界面的电子结构,给出了对真实界面的模拟计算方法,讨论了界面模型和计算结果,得出了与实验相符的Al_2O_3-Si界面的定量结果,如电导率、能隙、态密度等.

  • LPE n-GaAlAs:Te中DX中心的导纳谱分析

    葛惟锟, 吴荣汉

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 254

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    在测量较深能级和最浅能级两种情况时,导纳谱(DLAS)得到的速率值具有完全不同的含义.对于前者,DLAS和DLTS结果一致,给出能级的热发射深度。△Eem;对于后者,DLAS和Hall结果一致,给出能级的热平衡深度△E_(eq).当深中心的晶格弛豫很大时,这种区分十分重要.用DLAS和DLTS技术测量了LPE法生长的n-ca_(0.7)Al_(0.3)As:Te 中的具有复杂性质的DX中心,可以分辨两个能级,△E_(em)分别为~0.35eV和~0.20eV,△E_(eq)分别约为0.10eV和36meV.

  • MOS电容微分量的频率特性——确定Si/SiO_2界面态密度分布及俘获截面的一种新方法

    许铭真, 谭长华

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 264

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    本文用单一能级界面态模型和均匀连续分布界面态模型研究了MOS电容微分量((de)/dv)与频率ω的关系,得到了归一化的(1-e/c_i)~3d/dV(e/ci)-V及(1-e/c_i)~(-3)d/dV(e/c_i)-ω解析式;用非均匀分布模型研究了界面电荷随机涨落的影响,并且,数字计算了相应的曲线.(1-e/c_i)~(-3)d/dV(e/c_i)-ω曲线是具有峰值的谱线,其峰值、峰位分别与界面态密度及发射时间常数相关.此谱线的峰值、峰位与 MOS栅压的关系对应界面态密度及发射时间常数的能量分布.这种方法与电导技术类似,具有可以同时得到态密度及俘获截面数据的优点.实验结果与理论计算结果相符合.

  • 采用统计试验法分段优化提取双极型晶体管GP直流模型参数

    张力, 夏武颖

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 275

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    本文讨论了一种提取GP直流模型参数的全局优化方法.即在已给的参数域内随机地投点试验,逐步收缩参数城,最后求得全域极值.参数在器件特性对其最灵敏的地方提取,以避免不灵敏参数在提取过程中的干扰.分段简化了模型方程,使计算量大大下降.这种方法在克服局部极值、不收敛和冗余参数方面都优于一般的迭代法.结果表明计算曲线和实测点拟合得相当好.

  • LSIS-II布图设计系统中的联接关系正确性验证子系统

    高春华, 庄文君

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 284

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    本文介绍了我所研制的LSIS-Ⅱ布图设计系统中的联接关系正确性验证子系统.此子系统系启发式验证系统,以十项验证原则为算法基础,并采用了分级检查的方法,以及为提高错误命中率,运用了定向自锁和区域自锁技术,获得了令人满意的效果,为利用LSLS-Ⅱ系统进行LSI/VLSI的设计奠定了可靠的基础.

  • 有向和无向混合图通道布线算法

    周电, 唐璞山

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 292

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    本文提出一种用于通道布线的有向和无向混合图模型.建立了在这个模型下的通道布线算法.算法充分考虑了约束关系的整体性.从水平约束同垂直约束的内在相关性出发,给出了这两种约束关系的转换方法.在将信号网分配到线轨(Track)中去时,算法着重考虑信号网之间的相对关系,避免过早地确定信号网的绝对位置,从而克服了在选择信号网先后次序时的盲目性.对文献中给出的“标准题目”的计算结果都达到了已知的最好结果.

  • 在多数载流子对边区作非饱和填充的条件下测量深中心分布的理论与实践

    陈开茅, 秦国刚

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 298

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    本文提出在多数载流子对边区作非饱和填充的条件下求深中心分布的理论与实践.过去在对边区作饱和填充的条件下求分布的方法须要知道测量温度下深能级的实际位置,而通过热发射率测定的却是表观激活能,由后者精确求出前者有时是相当困难的.传统方法还须知道费米能级作为距离的函数,在有多个浓度较高深能级情况下,由C-V法难以求得这函数.本法无须知道深能级与费米能级位置,因而避免了上述困难.对硅中金受主应用了本方法.

  • 电子辐照激活硅中不激活铜的DLTS测量方法

    陈开茅, 钱思敏, 兰李桥

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 308

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    一般情况下,硅中的铜只有很小—部分是电激活的.因此当硅中含铜量微小时,就难于用DLTS等方法来测量它.本文提出一个用电子辐照使硅中不激活的铜电激活并用DLTS测量的方法.这对于检测硅材料中铜污染很有用处.文中还提出一个能比较准确地估算深能级平均浓度的公式.

  • GaAs、InP阳极氧化薄膜的光电子能谱、俄歇电子能谱分析

    周勉, 王渭源

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 314

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    使用一种新的不含水的阳极氧化液生长出厚度均匀、重复性好的~10~2A GaAs、InP阳极氧化膜.XPS和 AES分析表明:GaAs 氧化膜表面和膜内组分均匀,Ga_2O_3/As_2O_3=1; InP一氧化物界面过渡区较窄,未见到富p现象.

  • 200ps脉冲激发的MBEGaAs-Ga_(1-x)Al_xAs多量子阱异质结的光致发光特性

    徐仲英, 许继宗, 李玉璋, 郑宝真, 徐俊英, 庄蔚华, 陈宗圭

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 319

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    本文报道微微秒激光脉冲激发下分子束外延(MBE)生长的GaAs-Ca_(0.6)Al_(0.4)As多量子阱异质结构的光荧光特性.同时观察到发生在n=1,2,3电子子能带和相应重空穴子能带之间的激子跃迁.实验数据和理论计算符合较好.在理论计算中,我们考虑了实际势阱的有限深度和GaAs Γ_s~c导带的非抛物线性质.用所述计算方法确定阱宽可达到相当满意的精度.

  • 1.3微米InGaAsP/InP双沟道平面掩埋异质结激光器

    赵嵩山, 王德超, 吴友宇, 王玉章

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 324

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    用过冷法两次液相外延生长制作了波长 1.3微米InGaAsP/InP双沟道平面掩埋异质结激光器(DC-PBHLD).室温最低阈值电流15mA,典型值20mA;最高连续工作温度80℃,输出光功率2mW.4倍阈值电流时,仍可得到稳定的单纵模输出.

  • 溅射GaAs SOI电子束退火再结晶及MBE GaAs SOI高频感应石墨棒热退火再结晶

    朱蔚雯, 王渭源

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 327

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    本文首次报道了溅射GaAs SOI电子束退火再结晶以及MBE GaAs SOI高频感应石墨棒热退火再结晶.对实验所得SOI样品,用ED和TEM分析GaAs 薄膜的结晶性,用X-射线衍射测量薄膜表面的择优取向,用霍耳效应测量定出载流子浓度和迁移率.

  • 两种新型的非晶半导体多层结构

    陈治明, 王建农, 梅向阳, 孔光临

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 331

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    利用辉光放电方法制成两种在国内外迄今未见报道的非晶半导体多层结构,即分别以超薄层a-Si:H/a-C:H和μc-Si:H/a-Si:H作为重复单元的多周期重复结构.样品的断面透射电镜分析显示了明晰的层间界面状况以及各子层的平整性和均匀性.由光吸收测量观察到a-Si:H/a-C:H结构中a-Si:H吸收边的“兰移”,将此现象归结为量子尺寸效应.

  • 中子辐照硅单晶中一组新的红外吸收峰

    祁明维, 施天生, 白国仁, 谢雷鸣, 蔡培新, 高集金, 李石岭

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 334

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    N型中子辐照区熔硅单晶中,在与双空位(V_2~-)有关的2770cm~(-1)吸收峰的低频侧发现一组文献中从未报道过的新的吸收峰.对这组吸收峰的性质及其退火行为进行了研究.

  • 1.3微米低阈值大功率基横模BH InGaAsP/InP激光器

    王圩, 张静媛, 田慧良, 汪孝杰

    Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 337

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    我们采用二次液相外延技术,成功地研制出1.3微米低阈值,大功率,基横模BH InGaAsPInP激光器,其室温连续工作阈电流低至 10mA,单面微分量子效率达到 31%,最大线性光功率输出为20mW~*/facet以上,在2.5倍阈值的工作电流下仍可稳定的基横模工作.

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