本文用RBS,AES和电特性测量等方法,研究了ZrN/n-GaAs肖特基势垒.结果表明ZrN/GaAs势垒有良好的电特性和高温稳定性.经850℃高温退火后,势垒高度为0.90eV,理想因子n=1.02.同时我们观察到,随着退火温度升高(从500℃升高到850℃),ZrN/GaAs势垒电特性有明显改进:肖特基势垒高度增大、二极管反向电流减小、二极管电容减小和反向击穿电压增大.以上特点表明,ZrN/GaAs是用于自对准高速GaAs集成电路的较为理想的栅材料.
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ZrN/n-GaAs肖特基势垒特性研究
张利春, 高玉芝, N.W.Cheung
Chin. J. Semicond. 1989, 10(3): 161
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器件模型参数优化提取的混合算法
Chin. J. Semicond. 1989, 10(3): 168
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本文论述了器件模型参数优化提取中常采用的L-M算法存在的一些问题.提出了用(LM-BFGS)混合算法提取器件模型参数,这对优化收敛有极大的加速作用.本文例举了大量实验函数的计算结果并结合MOSFET的参数提取,证明了该算法可以大大减少迭代的次数和计算非线性目标函数的次数.
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InGaAsP/InP准平面异质结双极晶体管及其与光器件的集成
Chin. J. Semicond. 1989, 10(3): 173
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本文采用计算机辅助分析等方法,讨论了InGaAs/InP异质结双极晶体管(HBT)结构参数与其性能的关系.在此基础上,提出了一种准平面、双集电区HBT,及其相应的制作工艺.初步测试了器件的性能,就其与材料质量的关系作了讨论.文章还提出和制作了一种采用这种HBT为电子器件的光电子集成电路(OEIC).
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MoSi_2硅化物的形成及电子结构的研究
Chin. J. Semicond. 1989, 10(3): 179
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利用XPS、UPS、AES、X-光衍射和拉曼散射等技术,研究了在稳态热退火条件下共溅射的Mo-Si合金膜,硅化物的形成及电子结构特性.
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Au、Al/a-Si:H热退火行为研究
Chin. J. Semicond. 1989, 10(3): 186
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本文借助改进的干涉增强喇曼散射技术、AES分析和高温金相显微镜在位观察研究了Au、Al/a-Si∶H系统的真空热退火行为.发现受金属复盖的a-Si∶H的晶化温度和其激活能均比未复盖的a-Si∶H要低得多;a-Si∶H上的Al-Si互溶温度也比C-Si上的低,并且该互溶作用在350℃退火后加剧;Al诱导的a-Si∶H晶化后,在表面上有一连续的低阻Si(Al)析出层,它可Al/a-Si∶H的肖特基结转为欧姆结.
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亚微米栅长调制掺杂场效应管(MODFET)的制造
Chin. J. Semicond. 1989, 10(3): 192
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本文简述了调制掺杂场效应管(MODFET)材料参数的设计原理,0.2μm栅长T型栅的制造工艺以及为了获得0.2μm栅长的器件所要求的电子束曝光的详细条件.虽然所用材料的缓冲层纯度不够高(～1×10~(15)cm~(-3)),但由于采用了T型结构,器件室温跨导值仍达到了200mS/mm,在77K为375mS/mm.
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用RC网络作延迟模型的开关级定时模拟
Chin. J. Semicond. 1989, 10(3): 198
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本文提出一种用RC网络作延迟模型进行开关级定时模拟的方案.此方案把开关级定时模拟划分为求解将来状态和计算状态变化的延迟两个步骤来进行.文中讨论了延迟模型的建立及延迟计算中的有关问题.按照所述方案,开发了一个适用于MOS VLSI逻辑模拟及延迟估算的计算机程序LOMOS.实践表明,LOMOS模拟出的信号延迟时间同电路模拟程序SPICEII相比误差通常在30％以内,模拟速度要快近三个数量级.
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钨硅化物砷化镓Schottky接触的形成和特性
Chin. J. Semicond. 1989, 10(3): 207
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本文报道了钨硅化物-砷化镓Schottky接触的形成过程和电学特性.实验表明,WSi_x/GaAs Schottky接触具有优越的I-V特性,势垒高度保持在0.8V,理想性因子实际上保持在1,并具有高温稳定性.研究表明,除了硅化物的成份,表面处理工艺和硅化物淀积技术也将对Schottky接触的I-V特性和热稳定性产生强烈的影响.本文提出利用对GaAs衬底的溅射腐蚀和在淀积过程中加以负的衬底偏置能显著地改进金属层与衬底的粘附性.
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退火对Ar~+激光再结晶多晶硅/二氧化硅界面性质的影响
Chin. J. Semicond. 1989, 10(3): 217
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本文对CW Ar~+激光再结晶SOI结构材料进行了氢等离子体退火和CW CO_2激光退少.结果表明,两种退火方法都可以明显地降低背界面的界面态陷阱密度.氢等离子体处理对晶粒间界引入的界面态退火效果更显著,而CO_2激光辐照对应力引入的界面态退火作用更明显.
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MBE高掺Be p-GaAs中E_g+△_0等高于带边的发光
Chin. J. Semicond. 1989, 10(3): 222
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我们在MBE高掺Be的GaAs中观察到了E_g+△_0和X_1~c-Γ_(15)~v之间之间跃迁的发光,讨论了高掺杂p-GaAs的E_g+△_0与本征GaAs的差别,在10-200K温度范围研究了E_g+△_0的温度依赖关系,并对X_1~c-Γ_(15)~v这一间接跃迁过程进行了讨论.
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漏轻掺杂MOSFET的源漏穿通
Chin. J. Semicond. 1989, 10(3): 227
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测量和分析了1μm LDD MOSFET的穿通特性,与常规结构的MOSFET加以比较.结果表明,LDD结构能够有效地抑制DIBL效应、大幅度地提高短沟道MOSFET的源漏穿通电压.此外,还给出LDD MOSFET源漏穿通机制的定性解释.
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As~+、Si~+双注入GaAs瞬态退火的行为
Chin. J. Semicond. 1989, 10(3): 230
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研究了不同能量、剂量As~+、Si~+双注入于SI GaAs中,As~+注入对注Ss~+有源层的影响.首次给出了双注入样品瞬态退火后有源层的激活率和载流子迁移率,退火前后材料的沟道谱.实验表明,As~+、Si~+双注入样品比Si~+单注入样品在较低退火温度下就能激活Si~+,在适当高温下能得到性能良好的有源层.
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衬底对a-Si:H激光结晶的影响
Chin. J. Semicond. 1989, 10(3): 233
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文章报道了a-Si∶H在石英,SiO_2/Si,WSi_2/Si和Al/Si四种不同衬底上激光结合的结果.
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紫外光/臭氧干法去除光刻胶
Chin. J. Semicond. 1989, 10(3): 236
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本文介绍紫外光/臭氧干法去除光刻胶的工作机理及实验装置;列出这种方法去除三种不同型号的国产负性光刻胶的去胶速率及利用俄歇光电子能谱仪分析去胶效果的能谱曲线;最后,对紫外光/臭氧干法去胶方法作了评价.
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