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Volume 10, Issue 7, Jul 1989

    CONTENTS

  • RF溅射碳化硅薄膜的结构研究

    王英华, 汤海鹏, 田民波, 李恒德

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 483

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    本文作者用RF溅射法获得碳化硅薄膜,利用AES、XPS、TEM和UPS等现代分析仪器研究了碳化硅薄膜的结构.溅射薄膜中Si∶C=1∶1.主要化学键形式为Si-C共价键,原子排布状态为非晶态,并且在短程结构中存在大量畸变与缺陷,薄膜为不理想非晶结构,带尾较长.

  • NMOS短沟DD结构热载流子效应的研究

    杨肇敏, 徐葭生

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 489

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    本文描述制作和研究有效沟长为1μm的砷-磷双注入NMOS管(简称DD管).用工艺模拟和器件模拟程序计算和优化了工艺.实验结果与模拟结果完全一致,说明在相同有效沟道长度下DD结构比普通NMOS管的热载流子效应小.

  • 射频溅射CoMnNi氧化物薄膜结构研究

    谭辉, 陶明德, 韩英, 张寒

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 497

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    按一定原子比的CoMnNi氧化物混合体,经压片、高温烧结,制成具有尖晶石结构的靶.采用射频溅射,分别在单晶硅、玻璃和氧化铝陶瓷衬底上淀积生长的CoMnNi多成份氧化物薄膜,是一种理想的宽温区热敏材料.扫描电镜能谱和俄歇谱分析表明薄膜中Co,Mn,Ni的原子比偏离靶材料的设计值;X射线衍射谱证明这种薄膜具有非晶结构或尖晶石结构.文章给出了退火后X射线衍射谱及傅利叶交换红外光谱和激光喇曼谱,讨论了生成非晶薄膜和尖晶石结构的条件.

  • 空心阴极离子淀积TiN薄膜特性研究

    高玉芝, 夏宗璜, 武国英, 张利春, 黄济群, 张德贤

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 503

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    本文用空心阴极离子淀积系统,在氮和氩的混合气体中淀积了TiN薄膜.X射线衍射方法、俄歇电子谱(AES)和电学测量等方法用来研究分析了TiN薄膜的结构、组分和薄膜电阻率.该TiN薄膜有很低的电阻率,其电阻率约为25μΩcm.Al/TiN/Si金属化系统经550℃、30分钟热退火后,卢瑟富背散射(RBS)分析结果表明,没有发现互扩散现象,说明TiN在硅集成电路中是一种良好的扩散势垒材料.

  • PMMA的离子束曝光特性

    王宇钢, 赵渭江, 郑桂洲, 高玉芝

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 509

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    用B~+、F~+离子束曝光PMMA,实验得到灵敏度为(1-8)×10~(12)离子/厘米~2,饱和曝光深度t由能量损失的深度分布范围决定,且t≌R_p+2△R_p,阈值能量8_m=(30-330)焦耳/厘米~3,并估算了本实验条件下离子束曝光PMMA的分辨率d~(25-100)纳米.XPS分析结果表明,在剂量D>1×10~(13)离子/厘米~2时,PMMA表层中含氧量才显著减少,由此推想在离子束曝光常用剂量范围内,PMMA发生降解反应时并不伴随含氧侧基的脱落.

  • 注入氧形成的SOI结构中氧分布的模拟

    阮刚, 徐晨曦, 俞强

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 514

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    我们提出了一个用于模拟SIMOX注入分布的经验公式,用此公式对某些氧注入分布进行了模拟,其结果与有关理论计算及实验值相比符合较好.我们的经验公式既有一定精度又形式简单,非常适合于作为VLSI全工艺模拟器中的一部份.

  • 离子束增强沉积制备氮化硅薄膜的计算机模拟

    周建坤, 陈酉善, 柳襄怀, 杨根庆, 邹世昌

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 519

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    Monte-Carlo计算机模拟程序,SIBL,用来描述离子束增强沉积(IBED)制备氧化硅薄膜的生长过程,提供薄膜组分的深度分布及界面混合等有关信息.它是TRIMSP的发展,并利用了ZBL(Ziegler,Biersack,Littmark)最新的二体势和电子阻止本领.模拟计算中,用一个间断交替的薄膜生长过程(先沉积一层硅原子,然后注入一定量的氮离子)来代替实验上一个沉积原子和离子轰击同时进行的连续过程,且在注入一定量的离子后,对每层原子的组份,密度进行修正,使模拟达到动态化.计算结果表明,薄膜组份比随离子原子到达比的变化关系以及组份的深度分布和实验符合很好.

  • 一种制作亚微米间隔的方法

    谢可勋, 蒋建飞, 谢缨

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 525

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    本文研究了利用光刻图形转移过程中,湿法化学刻蚀存在的侧向钻蚀,通过对钻蚀程度的控制获得小于0.5μm的线条间隔.

  • 窄禁带半磁半导体Hg_(1-x)Mn_xTe的磁化强度

    陈辰嘉, 王学忠, 刘继周, R.R.Galazka

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 529

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    本文报道用提拉法测量Hg_(1-x)Mn_xTe单晶磁化强度的实验结果.在低温1.5K-30K范图内,磁场强度为0-7万高斯下,测量了不同组分x=0.06,0.08,0.12,0.16的Hg_(1-x)Mn_xTe磁化强度与组分,温度和磁场强度的关系.采用分子场近似模型,用类布里渊函数,最小二乘法对实验结果进行了拟合和分析.结果表明在本文x值范围内,理论与实验符合较好,证实了锰离子间存在强的反铁磁交换耦合.

  • 用Raman光谱研究掺氧多晶硅的微结构

    王云珍, 潘尧令

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 534

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    本文用Raman谱特征和Raman峰强度的变化,揭示掺氧多晶硅(SIPOS)的微结构:对于各种氧含量(从8%到38%)的SIPOS生长膜是一种无序结构,其中元素Si呈无定形相.高温(T>900℃)热退火后,薄膜经历了一个再结晶过程,并出现了微晶区,Si微晶尺寸随退火温度的提高而增大.膜中氧浓度增加对微晶生长有抑制作用,故膜中氧含量增加将使Si晶粒度减小,或者相应的使薄膜再结晶的温度提高.

  • 非均匀掺杂衬底MOS结构少子产生寿命的测量

    黄庆安, 史保华, 顾英, 张德胜

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 538

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    本文分析了非均匀掺杂衬底MOS电容对线性扫描电压的瞬态响应,提出了三角波C-V技术测量非均匀掺杂MOs电容少子产生寿命的方法.该方法简单、且不需知道衬底的掺杂分布.

  • SI GaAS中S~+注入的电学特性

    夏冠群, 关安民, 耿海阳, 王渭源

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 542

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    本文研究了经常规热退火和快速热退火后SIGaAs中S~+注入的电学特性.热退火后,GaAs中注入S~+的快扩散和再分布不决定于S~+或砷空位V_(AS)的扩散而决定于离子注入增强扩散.使用快速热退火方法能抑制注入S~+在GaAs中的增强扩散,明显减小S~+的再分布,可以获得适合于制造GaAs MESFET器件的薄有源层.

  • 短沟道MOS FET亚阈值电流的解析模型

    陈登元, 汤庭鳌, C.A.Paz de Araujo

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 547

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    利用二维泊松方程的解析解,得到了短沟道MOS FET亚阈值电流的解析模型.在弱反型区,解析模型的结果与数值模拟的结果符合较好.

  • GaAsP混晶中Fe杂质能级的无序分裂

    黄启圣

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 553

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    GaAsP混晶中Fe杂质基态与激发态的光离化截面的幅度比S(x)随组分x有规律地变化,本文提出一种理论估算,认为它是Fe能级无序分裂的结果.

  • Si/GaP(111)和(-1-1-1)界面的研究

    黄春晖

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 556

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    本文报道用EHT方法计算Si/GaP(111)、(111)和(110)界面的电子结构,得到它们的价带不连续值△E_v分别为:0.88eV、0.97eV和0.87eV,这和Si/GaP的实验结果:△E_v=0.80eV和0.95eV相符合.不同晶向△E_v相差达0.1eV.分析Si和GaP价带顶位置的变化情况,发现对Si/GaP(111),界面态对价带顶的影响不大.但对于Si/GaP(111)异质结,由于界面态的影响,使Si价带顶明显上移.此时,界面态对△E_v的非线性影响不可忽略。

  • 硅中氢分子和空位型缺陷间的相互作用

    施天生, 白国仁

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 561

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    利用MNDO方法和模型硅晶体计算了硅中氢分子和空位型缺陷问的相互作用能.得到了晶体硅中氢分子和空位型缺陷倾向于相互结合,含氢空位型缺陷可成为硅中氢和空位聚集的核心的结论.

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