|
Issue Browser

Volume 12, Issue 10, Oct 1991

    CONTENTS

  • ZnSe-ZnTe应变层超晶格的分子束外延生长及特性分析

    沈爱东, 崔捷, 陈云良, 徐梁, 王海龙

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(10): 583

    Abstract PDF

    运用MBE/FWIII设备成功地生长了高质量的ZnSe-ZnTe应变层超晶格.对材料的特性进行了俄歇电子能谱、低角度X射线衍射、光荧光及拉曼光谱等分析测试.并首次观测到ZnSe层内6个LO声子限制模.

  • MBE GaAs/Si材料应力性质的研究

    胡福义, 李爱珍, 王建新

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(10): 588

    Abstract PDF

    用光致发光谱及高分辨率的X射线双晶衍射对 MBE GaAs/Si异质结材料进行研究,发现GaAs外延层和Si衬底存在一定的晶向偏离,整个GaAs外延层呈现双轴张应力,这是GaAs和Si的晶格失配导致的双轴压应力和热膨胀系数失配导致的双轴张应力的总结果.本文根据一定的物理假设,推导出GaAs外延层中的平均应力,表明应力与材料所处的温度相关.据此,本文进一步用光致发光谱测量了25K至 260K温度范围内的应力,发现应力随温度的增大而下降,与理论公式反映的规律吻合.

  • 用激光衍射计量技术对CdTe单晶生长的研究

    杨柏梁, 张传平, 黄锡珉, 于锡玲

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(10): 596

    Abstract PDF

    本文首次把激光衍射计量技术应用到晶体的高温气相生长动力学的研究工作中来.在闭管无籽晶升华法制备CdTe单晶的实验过程中,实时、连续、精确地测定了生长速率,并讨论了生长速率随过饱和度(△T)及生长时间的变化关系.实验测试精度达 10~(-6)m/s.

  • 外腔半导体激光器电光调谐研究

    黄德修, 柳清菊, 周宓, 余思远, 刘德明

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(10): 601

    Abstract PDF

    本文提出了外腔半导体激光器的电光调谐理论,讨论了偏振色散耦合因子与调谐范围及阈值电流变化率之间的相互关系,并从实验上验证了上述理论分析结果,连续调谐范围达到了92A,且输出为单纵模.

  • Si单晶的光学限制特性

    田建国, 张春平, 张光寅

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(10): 609

    Abstract PDF

    我们观察到了Si单晶对调 Q Nd:YAG的 1.06 μm脉冲激光的光学限制效应,并对其机理进行了分析.

  • 氧离子和氮离子共注入硅形成SOI结构的俄歇能谱研究

    俞跃辉, 林成鲁, 邹世昌, 卢江

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(10): 614

    Abstract PDF

    本文中研究了O~+(200keV,1.8 ×10~(18)cm~(-2))和 N~+(180keV,4 ×10~(17)cm~(-2))共注入Si形成 SOI(Silicon on Insulator)结构的界面及埋层的微观结构.俄歇能谱(AES)和光电子能谱(XPS)的测量和研究结果表明:O~+和N~+共注入的SOI结构在经1200℃,2h退火后,O~+和N~+共注入所形成的绝缘埋层是由SiO_2相和不饱和氧化硅态组成;在氧化硅埋层的两侧形成氮氧化硅薄层;表面硅-埋层的界面和埋层-体硅的界面的化学结构无明显差异.这些结果与红外吸收和离子背散射谱的分析结果相一致.对这种SOI结构界面与埋层的形成特征进行了分析讨论。

  • 用XPS研究快速热退火形成TiSi_2的热氧化

    陈存礼, 李建年, 华文玉

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(10): 619

    Abstract PDF

    用XPS结合AES、SEM、XRD分析研究了快速热退火形成的TiSi_2经100—1000℃、20—60 的热氧化行为.TiSi_2表面由SiO_2+ TiO_2组成的混合层随着氧化温度的升高或是氧化时间的延长向SiO_2层过渡.提出一个“氧化时间两个阶段”的模型解释了实验结果.

  • 量热式集成传感器的热电模拟及实验研究

    黄金彪, 童勤义

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(10): 625

    Abstract PDF

    本文把最热式传感器中的热传输看成行波,利用热电模拟及传输线分析方法,计算了热传输函数并得到了实验的验证,在此基础上进一步计算了传感器的增益稳定裕度、相对不平衡度和闭环增益等性能,为传感器的设计提供了重要的依据.该方法具有准确、直观、求解方便等优点.最后本文给出了上述理论计算为基础设计的集成温度传感器的实验结果.

  • YBa_2Cu_3O_(7-x)超导薄膜的离子束改性

    李贻杰, 任琮欣, 陈国梁, 陈建民, 邹世昌

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(10): 633

    Abstract PDF

    本文主要研究了离子注入对YBa_7Cu_3O_(7-x)薄膜超导性质的影响.测量了Ar离子注入剂量与超导转变温度T_c之间的关系.实验结果表明,高质量的YBa_2Cu_3O_(7-x) 超导薄膜具有一定的抗辐照性.随着注入剂量的增加,临界电流密度I_c下降很快,但零电阻转变温度T_c却下降较慢.分析和讨论了离子注入对YBa_2Cu_3O_(7-x)中一维Cu-O链和二维Cu-O面的影响,探讨了离子束改性手段在YBa_2Cu_3O_(7-x)超导薄膜图形加工中应用的可能性.

  • 间接耦合光电探测结构的光致负阻特性

    何民才, 钟哲, 陈炳若, 黄启俊, 陈畅生, 龙理, 杨恢东, 蔡本兰

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(10): 637

    Abstract PDF

    本文报道了间接耦合光电探测结构所产生的光致负阻现象及初步实验结果.

  • MOVPE生长GaAs薄层的线偏振光吸收系数的电流感生变化

    王德煌, 王威礼, 李桂棠, 段树坤

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(10): 641

    Abstract PDF

    MOVPE生长不掺杂GaAs薄层的线偏振光吸收系数电流感生变化△α的实验结果表明,△α随光波长λ呈脉冲线型非线性变化;注人电流增加,△α明显增大,且△α(λ)谱极大值位置向长波端有一个小移动以至△α(λ)谱线半值全宽也有增宽.λ=900nm处,△α值基本上随电流线性增加.

  • 小面积高效率非晶硅单结太阳能电池

    廖显伯, 郑怀德, 李海峰, 刁宏伟, 熊华, 孔光临

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(10): 644

    Abstract PDF

    本文报道我们在非晶硅单结太阳能电池方面进一步的研究成果.我们在透明SnO_2电极与 p a-SiC_π:H层之间增加了一层高掺杂的超薄接触层(CL),用 MIS背面隧道接触取代MS接触,使单结非晶硅电池的能量转换效率在1cm~2面积上达到11.19%(AM1.5,100mW/cm~1).

Search

Advanced Search >>

Issues