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Volume 13, Issue 1, Jan 1992

    CONTENTS

  • PICTS方法研究SI-GaAs中深能级缺陷性质

    龚大卫, 陆昉, 孙恒慧

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(1): 1

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    本文用 PICTS方法配合退火实验对各种 LEC SI-GaAs材料的缺陷进行了测量,对照文献已有的各种结果,分析和讨论了一些缺陷的成因和可能结构.认为其中的W_1 可能是与As_(Ga)有关的 EL3缺陷,W_4为热应力产生的缺陷.P_1 与V_(Ga)有关.在原生富砷样品的PICTS谱中存在负峰N,实验发现它的存在与样品表面状况无关.若考虑该缺陷同时与两种载流子作用,理论计算与实验符合较好.在有些样品中用PICTS方法观察到EL2峰,对于原生样品,发现经快速退火后EL2的体内浓度减小.

  • 硅中与钼有关能级的研究

    周洁, 卢励吾, 韩志勇, 吴汲安

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(1): 8

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    利用深能级瞬态谱(DLTS)技术,并通过电子辐照、等时热退火等物理过程,鉴别了Si中与钼有关能级的本质.钼在Si中产生两个主要能级E(0.53)和H(0.36),前者为受主态,后者为施主态,这两个能级都与替位Mo原子有关.

  • Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格X-射线双晶衍射的运动学研究

    段晓峰, 冯国光, 王玉田, 褚一鸣, 刘学锋, 盛篪, 周国良

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(1): 14

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    本文利用X射线双晶衍射对应变层超晶格进行了研究.我们从超晶格的台阶模型出发,运用运动学理论,推导出了X射线衍射强度的表达式,清楚地揭示了合金成分x,应变,层厚比与迴摆曲线强度分布的关系.对Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格双晶X射线衍射强度的模拟结果与实验结果符合很好.

  • ZnSe-ZnS应变超晶格的质量鉴别

    江风益, 潘传康, 范广涵, 范希武

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(1): 22

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    本文报道一种鉴别ZnSe-ZnS应变超晶格质量的方法——低密度激发下的光致发光.文中讨论了ZnSe-ZnS应变超晶格的深中心发射是否受到抑制,与其结晶质量有着强烈的依赖关系.当阱宽、垒宽小于它们的临界厚度时,深中心发射能被大大抑制.这种鉴别 ZnSe-ZnS超晶格质量的方法,比看激子峰半高宽可以更灵敏地了解超晶格的质量.

  • 用正偏电容测量研究SBD的界面态

    陈弘毅

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(1): 28

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    本文描述使用以阻抗测量仪为中心的正偏电容测量系统提取金属-半导体接触界面态参数的方法.该方法用来分析了分子束外延 CoSi_2层与N型Si接触和TiW 合金层与N型GaAs接触的界面态.

  • Ar~+激光结晶非晶硅膜电学性质研究

    张向东, 黄信凡, 陈坤基

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(1): 36

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    本文使用TEM分析、X射线衍射以及电导和霍耳效应联合测量等手段研究了Ar~+激光结晶a-Si:H膜的结构和电学性质.结果表明a-Si:H液相激光结晶膜(LP-LCR)的平均晶粒尺寸达数十微米,呈<111>择优取向,室温电导率为1.5(Ω·cm)~(-1),电子霍耳迁移率达36cm~2V~(-1)s~(-1),是一种有应用前景的薄膜.

  • 声电输运器件的沟道特性研究

    邹英寅, 凌明芳, 陈抗生

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(1): 42

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    为实现砷化镓声电输运,必须在外延层中建立电子输运沟道.本文对金属-n型外延层-半绝缘衬底结构的输运沟道给出耗尽分析的解析表达式,分析了外延层厚度、掺杂浓度、偏置电压等参数对输运沟道耗尽特性的影响,以及器件表面存在氧化层时对器件工作特性的影响.

  • SIMNI/SOI结构的高温工艺稳定性

    李金华, 林成鲁, 林梓鑫, 薛才广, 邹世昌

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(1): 49

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    SIMNI样品在不同温度下作不同时间的N_2,O_2,H_2+ O_2的退火、氧化或外延,以考察SIMNI/SOI结构的工艺稳定性.不同注入剂量的 SIMNI样品在 1000-1200℃的 H_2气氛中烘烤,以考祭高温H_2对该结构的影响.实验结果表明,在高温下,N_2、O_2、H_2+O_2等工艺气氛中,SIMNI结构的电学性质、埋层厚度等都稳定可靠;高温H_2对SIMNI结构的表层Si和埋层Si_3N_4 都有损伤作用.实验指出,提高注N~+剂量有助于提高SIMNI/SOI结构在高温H_2中的稳定性.该结果对 SIMNI/SOI器件工艺和外延工艺有一定的指导意义.

  • μc-Si:H/a-Si:H多层膜的制备及性质

    郑家贵, 冯良桓, 蔡伟, 黄天荃, 蔡亚平, 罗昭和, 周心明

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(1): 55

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    我们通过切换耦合电极的方法制备了μc-si:H/a-Si:H多层膜.这种多层膜的电导率呈各向异性,暗电导温度关系曲线可近似地看成由两条直线组成.随着 μc-Si:H亚层厚度的减小,喇曼谱中晶态峰降低,暗电导温度曲线的弯折点移向高温段.我们用纯电阻模型和单量子阱模型进行了讨论.

  • 差值取样谱函数定理及其在研究MOS陷阱弛豫效应方面的应用

    许铭真, 谭长华, 王阳元

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(1): 62

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    本文利用Rolle定理证明了一个差值取样谱函数定理.阐明了,只要陷阱弛豫原函数满足这个定理的必要条件,则其差值取样转换函数——弛豫谱函数就一定具有谱峰特征.这个定理也为差分取样谱技术提供了相应的数学模型。给出了几个例证.

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