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Volume 13, Issue 12, Dec 1992

    CONTENTS

  • 几种适用于VLSI离子注入新工艺的模型研究,

    牛国富, 阮刚

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(12): 721

    Abstract PDF

    本文采用能较精确模拟沟道效应的两个Pearson-IV 分布的线性组合来模拟硅中B注入分布,提出了一个基于剂量匹配求解等效厚度的两层结构注入分布修正射程表达式,用该式对B注入 MoSi_2/Si、CoSi_2/Si,P注入CoSi_2/Si 进行了模拟和验证,本文还给出了利用等效厚度概念导出的多层结构注入修正射程递推表达式,并以 Pol_7-Si/SiO_2/Si三层结构为例进行了验证。

  • 含Co半磁半导体中铁杂质的红外吸收光谱

    朱景兵, 陆卫, 刘普霖, 史国良, 刘卫军, 沈学础, W.Giriat

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(12): 729

    Abstract PDF

    本文首次报道半磁半导体Zn_(0.97)Co_(0.03)S和Zn_(0.95)Co_(0.05)Se中铁杂质的红外吸收光谱.对Zn_(0.97)Co_(0.03)S:Fe,实验发现了 ZnS中 Fe~(2+d)电子跃迁谱中未观察到的位于 2999.8cm~(-1)的新话线;对Zn_(0.95)Co_(0.05)Se:Fe,实验发现了ZnSe中Fe~(2+d)电子跃迁谱中未观察到的位于2778cm~(-1)的新话线.变温与磁光研究以及理论分析表明,新的吸收谱线起源于Fe~(2+)-Co~(2+)对Fe~(2+d)电子的A_1(~5E)、T_1(~5E)→T_2(~5T_2)跃迁.与d-d电子互作用相比,Co~(2+)引起的晶格畸变对Fe~(2+)跃迁的影响可忽略不计.

  • 用数值法分析TF-SOI-MOS管沟道区的电势分布

    汤庭鳌, 郑大卫, 黄宜平, C.A.Paz de Araujo

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(12): 736

    Abstract PDF

    本文对 TF-SOI/MOS管,采取双栅极模型,用有限元和有限差分法分别求解沟道区的电势分布,得到了前栅(front gate)及背栅(back gate)MOS体电势二维分布.总结了指导TF-SOI-MOS 器件研制的要点.并对TF-SOI-MOS器件数值模拟方法进行了讨论.

  • BiCMOS比较器宏单元

    杨肇敏, 乌力吉, 徐葭生

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(12): 742

    Abstract PDF

    本文描述了两种结构的BiCMOS比较器宏单元的设计和制造.制成的五种比较器均达到了设计要求:静态功耗小于5mW,灵敏度优于5mV,模拟得到最高采样时钟频率为60MHz.(C_L=5pF).在与同类全 CMOS比较器比较中充分显示了 BiCMOS结构的优越性.

  • H在Pt/Si上的化学吸附对Pt/Si界面特性的影响

    徐国定, 张涛

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(12): 750

    Abstract PDF

    本文在一维紧束缚近似下,利用格林函数方法和复能积分技术,研究了H在 Pt/Si上的化学吸附对 Pt/Si界面特性的影响。分别以紧束缚的 d轨道模型和sp杂化轨道模型描述金属 Pt和衬底Si,计算了在H被吸附前、后 Pt/Si的界面能和吸附前、后 Pt的厚度对局域在Si一边的界面电子态密度的影响.

  • 快速热退火多晶硅薄膜压阻特性研究

    曹子祥, 黄永宏, 王思杰, 陈怀溥

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(12): 756

    Abstract PDF

    本文首先系统的研究了用 LPCVD工艺在温度为 625℃、气相硼硅原子比分别为 1.6 × 10~(-3)和2.0×10~(-3)时淀积的、其后又分别经900℃、1050℃、1150℃ 10秒钟快速热退火(RTA)处理的多晶硅薄膜压阻特性.然后,基于上述结果,着重研究了气相硼硅原子比分别为 1.6×10~(-3)、2.0 × 10~(-3)、4.0 ×10~(-3)和5.0 × 10~(-3)时淀积,其后只经1150℃ 10秒钟快速热退火处理的多晶硅薄膜压阻特性.在上述淀积条件下,与900℃ 30分钟常规热退火(FA)相比较,得到了快速热退火的最佳条件.

  • 显示GaAs/AlGaAs缺陷的新方法——超声AB腐蚀

    陈诺夫

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(12): 763

    Abstract PDF

    本文提出了一种采用超声 AB腐蚀方法显示 GaAs/AlGaAs单晶缺陷的新方法.该方法可以在自然光环境、常温下显示位错露头、位错线、层错、微沉淀及生长条纹等多种晶体缺陷,分辨率高,腐蚀坑形状规则,操作简便.

  • Pb/Si(001)系统界面反应的ELS研究

    赵汝光, 贾金峰, 杨威生

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(12): 767

    Abstract PDF

    用可调探测深度电子能量损失谱(TRLS)及俄歇电子谱(AES)研究 Pb/Si(001)系统界面反应.结果表明:在室温下,Pb与Si发生相互作用、强烈互混,形成界面相,其厚度约(15±3)A,同时此相有确定的Pb/Si原子比,其根据是这个相有能量确定的、峰宽很窄的体等离激元峰,此峰能量为10.7eV,峰宽与Si的体等离激元峰相似.互混发生在氧污染很小的条件下,仅0.6ML 的氧就足以阻止互混的发生,形成陡变的无相互作用的 Pb/Si 界面.

  • 多孔硅量子约束效应导致的红外多光子激发荧光

    王健, 蒋红兵, 王文澄, 郑家骠, 张甫龙, 郝平海, 侯晓远, 王迅

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(12): 773

    Abstract PDF

    采用超短脉冲近红外光(1.06μm)激发,首先在多孔硅表面观察到了较强的可见区荧光产生.荧光强度与激发光强度的三次方关系表明,有效的荧光产生起源于三阶非线性光学效应的增强.对多孔度低的样品观察不到这种荧光发射.通过与多孔硅的紫外光(355 nm)激发谱的比较,我们把这种有效的多光子激发过程归结为来源于多孔硅的量子约束效应.

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