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Volume 13, Issue 2, Feb 1992

    CONTENTS

  • AlGaAs/GaAs-MQW激光器光增益谱理论和实验

    张敬明, 陈良惠, 曾安, 肖建伟, 徐俊英, 杨国文, 李文康, 徐遵图

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(2): 67

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    本文简明地描述了由载流子带内弛豫加宽的半经典的密度矩阵理论.根据该理论计算了AlGaAs/GaAs多量子阱激光器的线性偏振光增益及量子阱宽L_x、Al_xGa_(1-x)As势垒层x值和带内弛豫时间τ_(in)对TE增益的影响.实验测量了多量子阱激光器的偏振光增益谱.理论与实验进行了比较.

  • 黄昆X射线漫散射的实验研究

    蒋四南

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(2): 75

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    本文描述了黄昆X射线漫散射的实验方法及其所需的实验条件,并利用它研究了离子注入CaAs中点缺陷所引起的黄昆散射,在同一GaAs晶片上的不同部分分别注入Mo和Er,浓度均为1×10~(15)cm~(-2),注入电压为500keV,经850℃退火30分钟后分别在77K的条件下进行黄昆散射测量,实验观测到注入Er元素比Mo元素引起的黄昆散射要强,这一结果表明Er元素在GaAs中大多处于间隙状态,而Mo元素在GaAs中大多处于替换状态.

  • 半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe压力光致发光研究

    姜山, 沈学础, 李国华

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(2): 84

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    采用金刚石对顶砧压机,在77K和不同压力下测量了半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe(x=0.25,0.40,0.60)的光致发光光谱.分别在x=0.25和x=0.40的Cd_(1-x)Mn_xTe和Cd_(0.4)Mn_(0.6)Te中观察到两种不同性质的复合发光。根据发光峰的能量位置及其随压力的变化可以判定在Cd_(0.75)Mn_(0.25)Te和Cd_(0.6)Mn_(0.4)Te中的发光峰对应于带间复合发光,而Cd_(0.4)Mn_(0.6)Te中的发光峰对应于Mn离子3d↓能级到杂化价带的复合发光.

  • 热壁外延ZnSe/GaAs薄膜生长机理的研究

    王杰, 李喆深, 蔡群, 陆春明, 沈军, 王迅

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(2): 90

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    本文用四极质谱(QMS)、X射线光电子谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)等手段,对单一源热壁外延(HWB)ZnSe/GaAs 薄膜的生长机理作了一些研究.这些研究主要包括 ZnSe源的蒸发情况以及在不同衬底温度条件下,外延薄膜的化学配比状态.

  • GaAs中Si~+注入的X射线双晶衍射研究

    朱南昌, 陈京一, 李润身, 许顺生, 夏冠群, 胡素英

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(2): 95

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    本文用X射线双晶衍射术,结合摇摆曲线的计算机模拟和电学测量,研究了 180keV Si+注入GaAs(100)样品及其退火过程中的结构变化.结果表明,注入态时Si原子基本上处在基体中的间隙位上,使点阵产生膨胀,在退火过程中逐渐进入替代位,但这一替代过程进行得并不彻底.当剂量高于 1×10~(13)cm~(-2)时,注入态就显著地产生了间隙Si原子进入替代位的过程.当剂量达到 1×10~(15)cm~(-2)时,经 800℃ 0.5 小时的炉退火仍然不能消除离子注入所引起的损伤和应变,大量Si原子留在间隙位上,使激活率难以提高.分析表明,空位和应力在Si原子从间隙位到替代位的过程中起了很大的作用,是GaAs中Si离子注入产生饱和现象的.主要原因.

  • 低阈值InGaAsP/InP PBH双稳激光器

    张权生, 吴荣汉, 林世鸣, 高洪海, 高文智, 吕卉, 韩勤, 段海龙, 杜云, 芦秀玲

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(2): 103

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    一种平面掩埋异质结构(PBH)InGaAsP/InP双区共腔双稳激光器业已研制成功.器件具有良好可控的光学双稳特性.激射波长1.3μm.直流L/I特性显示典型的迴滞曲线.导通阈电流的最低值为26mA,优于文献报道的最好值.在通态电流跨度内,器件以单纵模激射.数字光放大增益G≥30dB.导通时间τ_(on)<100ps,关断时间τ_(on)<1ns.

  • 具有MIS结构的n-AlGaAs/InGaAs/n-GaAs双调制掺杂赝HEMT

    相奇, 罗晋生, 曾庆明, 周均铭, 黄绮

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(2): 109

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    本文设计和研制了具有MIS结构的n-AlGaAs/InGaAs/n-GaAs 双调制掺杂赝HEMT.它结合了MISFET和双调制掺杂赝HEMT的特点.1μm栅长器件的最大漏电流密度达400mA/mm,栅反向击穿电压高达15V.器件还显示了良好的微波射频特性.

  • 转换效率为20%的μgPE硅太阳电池研究

    陈文浚

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(2): 116

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    高效硅太阳电池研究在最近几年里取得了重大进展.以低阻区熔硅单晶为基体,国外有几个研究小组先后报道了高于20%的光电转换效率.机电部十八所在这个领域所做的努力取得了相近的结果,4cm~2硅太阳电池的AM_(1.5)效率已达到20.3%。 本文介绍了近期在电池结构设计及工艺上的改进.

  • 梯形凸台衬底内条形半导体激光锁相列阵

    张世林, 梁惠来, 原小杰, 杨德林

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(2): 124

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    在P型GaAs梯形凸台衬底上,利用一次液相外延技术,研制出内条形半导体激光锁相列阵.在直流工作条件下,单面最大输出功率超过136mW,平行于结平面方向远场半角宽度2.1°,器件最高激射温度超过80℃.

  • 高稳定单纵模的1.55μm DFB激光器

    董志江, 杨新民, 周宁, 马磐, 刘坚, 杨桂生

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(2): 127

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    采用一级全息光栅和二步液相外延法研制出高稳定单纵模工作的1.55μm分布反馈(DFB)激光器.20℃时连续工作阈值电流I_(th)为40mA,单纵模光功率为7.5mW.在70℃高温和 1GHz正弦信号调制下保持边模抑制比(SMSR)大于 30dB的单纵模工作,最高SMSR大于38dB.线宽△v为30MHz.单纵模产率Y_(SLM)48%.70℃环境下通电100mA连续24小时老化后,阈值电流变化率△I_(th)/I_(th)(20℃)≤10%,SMSR未劣化.该DFB激光器首次在国内实用化五次群光纤通信系统(传输码635Mb/s、RZ)上实现70.7km普通光纤无中继传输.

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