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Volume 13, Issue 5, May 1992

    CONTENTS

  • CdTe:Sm晶体红外吸收光谱的研究

    韩平, 马可军, 刘普霖, 史国良, 朱景兵, 刘卫军, 沈学础

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(5): 263

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    本文报道了CdTe: Sm晶体红外吸收光谱的研究结果.根据立方晶体场理论和Sm离子4f能级间的跃迁特性,分析确定了 CdTe:Sm晶体中 Sm~(2+)、Sm~(3+)离子在晶格中的位置类型及其晶体场特性,用点电荷模型计算了不同位置的Sm~(3+)周围的晶体场参数.

  • ELO/SOI膜上短沟道MOSFET的研究

    陈南翔, 张旭光, 张美云, 李映雪, 王阳元

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(5): 270

    Abstract PDF

    在 ELO/SOI膜上制备出了短沟道 MOSFET.电子及空穴场效应迁移率分别为 360 cm~2/V.s及 200 cm~2/V.S.PMOS及 NMOS晶体管的亚阈值斜率分别为 190mV/dec和 220mV/dec,漏泄电流为10~(-10)A/μm数量级.本文讨论了 SOI-MOSFET的器件特性.

  • GaAs MESFET栅的取向效应——Ⅱ.实验

    黄庆安, 童勤义, 吕世骥

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(5): 274

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    研究了(100)GaAs衬底上,离子注入自对准 WSi_x栅 GaAs MESFET的阈值电压漂移与栅长和取向的关系。当栅长小于2μm时,栅不同取向的阈值电压差别很大.本文同样将解析模型与已有的(111)GaAs衬底的实验进行了比较.结果表明解析模型与实验符合较好.

  • 低阈值1.5μm平面掩埋脊型(PBR)分布反馈激光器

    王圩, 张静媛, 汪孝杰, 田慧良, 缪育博, 张济志, 王宝军

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(5): 279

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    采用质子轰击的PBR 结构,研制了室温阈电流小于15mA,高稳定单纵模输出的1.5μmDFB激光器.为今后研制长寿命无致冷1.5μmDFB激光器组合件奠定了基础,在大温度范围(-40-+60℃)和大工作电流范围(1.2-3I_(th)内可稳定单纵模工作,边模抑制比(SMSR)可达30dB以上.静态线宽一般为30-40MHz,最窄可低于20MHz.器件经50℃恒功加速老化实验,外推20℃连续工作时间已超过3000小时无显著退化迹象.本器件已首次在国内做为信号源成功地用在140Mb/S相干光通信系统上.

  • 形成SOI结构的ELO技术研究

    李映雪, 张旭光, 张美云, 陈南翔, 王阳元, 李树杰, 都安彦

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(5): 287

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    本文研究了在常压外延系统中,利用 SiCl_4/H_2/Br_2体系在SiO_2上外延横向生长(ELO)单晶硅技术.比较了Br_2和HCl对硅的腐蚀速率,发现前者对娃的腐蚀速率约比后者慢一个数量级,指出Br_2的引入有着重要意义.给出了Br_2和H_2对Si和SiO_2的腐蚀速率曲线,讨论了外延横向生长速率对SOI结构的材料表面形貌的影响.在该 SOI膜上制造了 MOS/SOI器件,其N沟最大电子迁移率为360cm~2/V.s(沟道掺杂浓度为 1×10~(16)/cm~3),源-漏截止电流为 9.4×10~(-10)A/μm.

  • 关于薄SiO_2的高场弛豫电导与击穿机制的研究

    许铭真, 谭长华, 王阳元

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(5): 293

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    薄SiO_2的早期高场弛豫电导与原生电子陷阱的俘获及新生正电荷的产生密切相关;中、后期的电导弛豫与新生电子陷阱的产生-俘获过程相关,新生电子陷阱遵从单分子产生规律.一个“新生电子陷阱-新生SiO_2/Si_2O,界面陷阱相关击穿”模型,用以解释薄SiO_2的后期弛豫电导突变失控和不可逆转的失效——脉冲热击穿.

  • 快速退火Co/Si固相反应及CoSi_2薄膜特性研究

    刘平, 李炳宗, 姜国宝, 黄维宁, 沈孝良, R.Aitken, K.Daneshvar

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(5): 302

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    本文研究了利用离子束溅射、快速退火等技术,通过 Co/Si 固相反应,形成高电导均匀CoSi_2薄膜.对Co/Si 固相反应过程,氧在其中的行为等进行了分析.制备的COSi_2薄膜电阻率达15μΩcm.在快速退火条件下,Co/(111)Si固相反应形成的薄膜具有择优晶向,表明存在固相外延机制.在 4—300 K范围内,对 CoSi_2薄膜的电学输运性质进行了系统研究,CoSi_2具有正值霍尔系数,表明其具有空穴导电机制.低温载流子霍尔迁移率达到 56 cm~2/V.3。

  • CoSi_2中As~+和BF_2~+注入杂质再分布形成硅化物化浅结性能研究

    徐立, 张国炳, 陈文茹, 武国英, 王阳元, 龚里

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(5): 309

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    向CoSi_2膜中分别注入As~+和BF_2~+杂质,以这种掺杂硅化物作为扩散源,用快速热处理使注入杂质再分布至CoSi_2下面的硅衬底中,能制作出结深为0.12μm的硅化物化N~+-P和 P~+-N浅结.本文研究了所制作的浅结性能,井从注入杂质在 COSi_3/Si系统中的再分布行为,讨论了浅结形成机理.

  • GaAs/GaAlAs超晶格的Wannier-Stark效应

    张耀辉, 江德生, 李锋, 周均铭, 梅笑冰

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(5): 316

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    我们用光电流谱方法在室温和低温下观察了短周期GaAs(35A)/Ga_(0.7)Al_(0.3)A_3(35A)超晶格的Wannier-Stark效应.在中等电场下,观测到了反映等能量间距的“Stark梯”的谱形.并且发观了激子态由于场致局域化导致的由准三维向准二维转变.我们详细地讨论了跃迁强度随电场的变化,与应用夏建白等提出的计算模型得出的结果十分符合,证明了光电流谱中的结构,即使在较低的 10~4V/cm的电场下是由于 Wannier局域化引起,而不可能是鞍点激子引起的.

  • 用静压光致发光研究GaAs/AlAs超短周期超晶格导带最低能级的特性

    李国华, 刘振先, 韩和相, 汪兆平, 江德生, Klaus. Ploog

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(5): 322

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    在77 K下,0—30 kbar 静压范围内研究了 GaAs/AlAs超短周期超晶格的静压光致发光.测得(GaAs)_1/(AlAs)_1的光致发光峰的压力系数为-1.35 meV/kbar。表明它的导带最低能级具有体材料X谷的特性而不是大多数理论计算所预计的L谷特性.测得(GaAs)_2/(AlAs)_1的光致发光峰的压力系数是8.69meV/kbar.表明它是 GaAs/AlAs超晶格中周期最短的Ⅰ类超晶格.

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