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Volume 13, Issue 9, Sep 1992

    CONTENTS

  • n型砷化镓外延层中1.48eV发射带的时间分辨光谱的研究

    段家忯

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(9): 523

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    用VPE技术生长的n型砷化镓外延层在1.48eV能量位置有一个发射带,与我们熟知的1.49eV发射带有相似的光学特性.低温下的辐射寿命及时间分辨光谱测量进一步证实了它是由一个中性施主与中性受主对的复合发射产生的,并且来源于杂质硅.

  • 不连续类氧化层界面多晶硅发射极晶体管理论模型

    魏希文, 李建军, 马平西, 邹赫麟, 王阳元, 张利春, 吉利久

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(9): 528

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    本文提出了一个不连续类氧化层界面多晶硅发射极晶体管理论模型,根据多晶/单晶硅界面的性质空穴分别以隧道方式或热发射方式通过界面的不同部位.计算机模拟的结果得到了类氧化层界面的连续性、多晶硅膜厚、类氧化层两边的界面态密度、类氧化层厚度和多晶/单晶硅界面杂质浓度峰值等参数与多晶硅发射极晶体管(PET)电学特性的关系.

  • 半导体激光器功率输出特性的理论分析及实验研究

    刘德明, 黄德修, 黄菊仙

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(9): 539

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    本文从理论上及实验上分析研究了半导体激光器(LD)功率输出特性与其腔面反射率之间的关系.研究结果表明,通过改变LD腔面反射率,可以使其输出功率增大,也可以使其转变为新的光电器件,如超辐射发光二极管(SLD)或行波半导体激光放大器(TW-SLA)等等.在大量实验数据的基础之上建立了LD输出功率曲线阈值与腔面反射率关系的经验公式,确定了LD最佳输出功率腔面反射率以及SLD和TW-SLA的工作条件.

  • 簿全耗尽SOI膜N沟道MOSFET强反型电流模型

    程玉华, 王阳元

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(9): 547

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    本文在仔细分析薄膜SOI器件特点及其特殊物理效应的基础上,发展了电路模拟所需要的N沟道薄全耗尽SOI膜MOSFET强反型电流模型.模拟计算和实际SOI器件测试结果之间的对比证实,在合理提取器件参数的情况下,该模型公式可较好地描述薄膜SOI器件的电流特性.

  • CMOS倒相链瞬态对延迟模型分析

    郝跃

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(9): 554

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    本文提出利用单极点响应波形逼近方法,构造CMOS例相链瞬态对延迟时间模型;考虑了不同负载电容和载流子迁移率对响应函数的影响.该模型的解析性决定了瞬态分析时间短,参数分析灵活.它尤为适合对CMOS电路的最优化设计.精度分析表明该模型适合集成电路的性能分析和设计.

  • 亚微米MOS场效应管的完全解析二维模型

    汤庭鳌, C.A.Paz de Araujo

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(9): 564

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    本文对二维非线性泊松方程这一基本问题进行了求解.采用一个微分算符将泊松方程分解成自由载流子部份和掺杂分布部份.自由载流子部份正是著名的刘维方程,具有解析解。掺杂分布部份采用“相似变换”的方法予以求解.将包含自由载流子影响的完全的二维电势分布用于亚微米MOS场效应管,得到了阈值电压的解析模型.它能很好地说明短沟道效应.本解析模型的特点是其完整性及简单性.它能很方便地用于器件模拟,也能推广到三维情况.

  • 红外透射光谱测量重掺杂化合物半导体裁流子浓度方法的研究

    何秀坤, 王琴, 李光平, 阎萍, 汝琼娜, 李晓波

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(9): 573

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    文报道了用红外透射光谱测量重掺杂化合物半导体n-GaAs和n-InP 载流子浓度的研究结果.给出了载流于浓度N和透射光谱截止波长λ_c的关系曲线,对应的经验公式为:对于 n-GaAs,N=1.09 × 10~(21)λ_c~(3.0623);n-InP,N=3.58 × 10~(20)λ_c~(-2.6689).本方法载流子浓度测量范围为 1.0×10~(17)≤N≤2.0 ×10~(19)cm~(-3),测量误差 ±10~15%.文中对测量条件进行了讨论,并给出了GaAs:Si样品载流子浓度径向分布的测量结果.

  • 霍尔器件的一种新的工作模式

    易明銧

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(9): 579

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    本文提出了霍尔器件的一种新的工作模式,称为单端短路霍尔电流输出模式.理论分析表明,在这种模式下霍尔器件的磁灵敏度将提高一倍.用镓砷与铟锑霍尔器件进行了实验.实验结果与理论满意的一致.

  • Ga_(1-x)In_xSb/GaSb应变层超晶格的MOVPE生长

    陆大成, 汪度, 刘祥林, 万寿科, 王玉田

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(9): 584

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    本文报道用常压金属有机物气相外延方法在 GaSb衬底上生长 Ga_(1-x)In_xSb/GaSb应变层超晶格材料.X射线双晶衍射谱和反射电子显微像表明超晶格结构的周期性,GalnSb阱的组分均匀性和异质结界面质量较好.观察到当In含量提高时起源于超晶格-衬底界面处的失配位错.低温光荧光测量显示出因量子尺寸效应导致的带间跃迁向高能方向的移动.

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