|
Issue Browser

Volume 14, Issue 3, Mar 1993

    CONTENTS

  • MBE-GaAs/Si材料应变层的调制光谱研究

    胡雨生, 胡福义, 汪乐, 李爱珍, 范伟栋

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(3): 133

    Abstract PDF

    本文采用光调制反射光谱(PR),双晶衍射(DCRD),光荧光激发光谱(PL)等技术研究了MBE-GaAs/Si异质结材料GaAs层的应变情况,以及从不同温度快速热退火后GaAs/Si(PR)谱的变化可看出GaAs外延层应变随退火温度增大而增大,GaAs能隙则随之下降,考虑到应力随温度变化因素后这些不同的测试方法所得的结论与(PR)谱结果基本一致。因此用室温光反射调制光谱对于检测室温下GaAs/Si材料的质量,剩余应力等是方便而有力的方法。

  • 多孔硅的电致发光研究

    张甫龙, 郝平海, 史刚, 侯晓远, 丁训民, 黄大鸣, 王迅

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(3): 139

    Abstract PDF

    本文研究了多孔硅的电致发光现象。在多孔硅上淀积了半透明金膜后,当正向偏压加到15V、电流密度100mA/cm~2时,观察到了稳定的电致可见光发射现象。伏安曲线的测量表明它有明显的类似二极管的整流特性。

  • 微乳状液中CdS超微粒制备与光学特性研究

    李守田, 邹炳锁, 张岩, 肖良质, 李铁津, 赵家龙, 张继森, 黄世华, 虞家琪

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(3): 143

    Abstract PDF

    采用微乳状液法合成了不同粒径的CdS超微粒子,其粒径在纳米范围内。光谱结果表明,CdS有明显的量子尺寸效应。首次发现室温下CdS超微粒的激发与发射光谱的分立峰结构,并且还发现,表面包覆活性剂分子后的CdS超微粒,表面态发光被显著地减弱,空间限域激子态发射增强,这可能有助于提高三阶非线性光学响应。

  • 亚微米MOSFET热载流子蜕变的二维计算机模拟和分析

    张锡盛, 何新平, 李志坚

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(3): 148

    Abstract PDF

    本文建立了包括热载流子发射和界面电荷生成的热载流子蜕变模型,考虑了界面电荷对发射的反馈影响。以PISCES程序为基础,建立了模拟热载流子蜕变的二维程序。模拟并分析了0.75μm MOSFET在不同偏压下的蜕变,模拟结果和实验符合得相当好。

  • p型GaP与Pd/Zn/Pd欧姆接触的冶金性质及界面特性

    张福甲, 彭军

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(3): 154

    Abstract PDF

    用扫描电镜、X射线衍射谱、能量色散谱及Ar~+离子溅射刻蚀的各元素的俄歇剖面分布,对Pd为基底的P型GaP的欧姆接触层的性质进行了研究。从而揭示了这种金属──半导体接触层形成良好欧姆电极的表面形貌、相变反应、界面状态及各冶金成份在界面层中的变化规律。

  • 淀积参数对ITO膜电阻率的影响

    张怀武, 许武毅, 过壁君

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(3): 160

    Abstract PDF

    本文研究了基体偏压、氧分压强和淀积后退火对ITO膜电阻率的影响,通过比较理论结果和实验结果,弄清了这几个参数影响ITO膜电阻率的机理,并确定出最佳镀制参数。

  • BF_2~+注入硅分子效应的椭偏谱多层分析

    朱文玉, 李晓勤, 林成鲁, 陈树光, 徐运海

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(3): 166

    Abstract PDF

    把离子注入层设想成由50多层的微分薄层构成,用以研究BF_2~+的分子效应。我们在1.6—5.0eV光子能量范围内,测量了不同剂量也(3×10~(13)-5×10~(15)ion/cm~2),147keV BF_2~+分子离子77K注入硅以及相应的B~+、F~+注入硅样品的椭偏谱。由实验测得的离子注入样品的椭偏光谱、多层薄膜光学模型、有效介质近似理论(EMA)和计算软件,可分析离子注入硅的损伤分布、表面自然氧化物的非均匀性和界面组份。其分析结果与背散射沟道技术和透射电子显微镜的测定结果相一致。研究中发现,低温BF~2~+注入的损伤层和非晶层都首先在样品表面形成,与B~+、F~+注入损伤相比,BF_2~+注入存在显著的分子效应。

  • 含氮CZ硅力学行为研究

    石志仪, 谢书银, 佘思明, 李立本, 张锦心

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(3): 174

    Abstract PDF

    用抗弯强度方法测定不同含氮量的原生和经550℃,750℃及900℃不等时热处理后直拉硅(NCZ-Si)的力学性能变化,结合红外光谱分析热处理过程氧、氮含量及形态的改变,认为在含氮直拉硅中,氮是以聚集在位错周围的氮氧硅络合物及氮氧硅沉淀初期微粒等多种形式钉扎位错的。

  • MOCVD生长CdTe薄层的缺陷研究

    彭承, 陆叶华, 孙恒慧, 唐文国, 李自元

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(3): 181

    Abstract PDF

    用光激电流瞬态谱(PICTS)和光致发光光谱(PL)对在半绝缘GaAs衬底上MOCVD生长的CdTe薄层的缺陷进行了研究。发现CdTe薄层中存在热激活能约为0.12eV和0.27eV的二个能级。对照光致发光光谱的实验结果及有关体单晶CdTe的缺陷报道,初步分析认为第一个能级是受主能级,它由CdTe薄层中的剩余杂质所引起,而另一个能级则可能与材料的晶格缺陷有关。

  • 非晶碳膜电子辐照性质的研究

    顾书林, 何宇亮, 王志超

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(3): 185

    Abstract PDF

    使用不同剂量的电子束(1.0×10~(13)—6.0×10~(14)Rad,13Mev)对用PECVD法淀积的a-C:H薄膜进行了电子辐照改性研究。广角X光衍射、红外吸收、喇曼散射和共振核反应对样品结构的实验结果表明:在此剂量强度范围内,辐照使非晶碳膜的结构和成分有不同程度的变化。同时金刚石和石墨的晶粒和成分也有一定的变化。从氢的激活作用角度对以上结果进行了解释。

  • 气相色谱法测定薄膜中氢含量

    吕惠云, 陈克铭

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(3): 189

    Abstract PDF

    本文介绍用气相色谱法测定氮化硅膜,非晶硅膜,氮化硼膜中的总氢含量及不同温度下氢的热释放率。该方法灵敏度高,简便准确可靠,样品量少,并且不需作特殊处理,可进行定量测定。

  • p-InGaAs/n-InGaAs MSM光电探测器研究

    史常忻, A.Mesquida Kusters, A.Kohl, R.Muller, K.Heime

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(3): 194

    Abstract PDF

    本文首次对具有p-InGaAs肖特基势垒增强层的p-InGaAs/n-InGaAs MSM光电探测器做了较系统研究。实验结果表明:具有20nm厚增强层器件的暗电流为3.5×10(-11)A(5伏,30×40μm~2);而具有40nm厚增强层器件的FWHMM为350ps(6伏)。

Search

Advanced Search >>

Issues