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Volume 14, Issue 8, Aug 1993
Table of Content
CONTENTS
MOMBE法生长重碳掺杂p型GaAs/In_xGa_(1-x)As应变超晶格
齐鸣, 罗晋生, 白坚淳一, 山田巧, 野崎真次, 高桥清, 鹿岛秀夫, 德光永辅, 小长井诚
Chin. J. Semicond.  1993, 14(8): 461-467
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用沟道产额角分布技术研究硅中超固溶度激活杂质的失活机理
徐立, 钱佩信, 李志坚
Chin. J. Semicond.  1993, 14(8): 468-473
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p—Hg_(0.97)Mn_(0.03)Te的磁阻振荡及霍耳系数振荡
沈金熙, 郑国珍, 郭少令, 汤定元
Chin. J. Semicond.  1993, 14(8): 474-483
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强束流离子注入形成SOI结构时的温升效应的计算
田人和, 顾永俶, 卢武星, 张荟星
Chin. J. Semicond.  1993, 14(8): 484-491
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GaAs器件中载流子非稳态输运的蒙特卡罗模拟
王维航, 叶润涛, 郭妙泉, 余志平
Chin. J. Semicond.  1993, 14(8): 492-496
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BROS:带有电源网优化策略的积木块式版图布线系统
郑宁, 朱青, 冯之雁, 严晓浪, 洪先龙, 连永君
Chin. J. Semicond.  1993, 14(8): 497-504
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分子束外延生长p型ZnSe-ZnTe超晶格
徐梁, 王海龙, 沈爱东, 崔捷, 陈云良, 沈玉华
Chin. J. Semicond.  1993, 14(8): 505-508
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质量分离低能离子束外延超薄硅单晶的初步研究
黄大定, 姚振钰, 壬治璋, 王向明, 刘志凯, 秦复光
Chin. J. Semicond.  1993, 14(8): 509-512
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快速热退火硅中微缺陷分析
徐立, 钱佩信, 李志坚
Chin. J. Semicond.  1993, 14(8): 513-516
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InGaAs/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应
刘伟, 张耀辉, 江德生, 王若桢, 周钧铭, 梅笑冰
Chin. J. Semicond.  1993, 14(8): 517-521
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自然氧化和电子辐照对多孔硅结构有序度的影响
官浩, 阎锋, 鲍希茂, 杨海强, 吴晓薇, 洪建明
Chin. J. Semicond.  1993, 14(8): 522-525
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