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Volume 14, Issue 8, Aug 1993

    CONTENTS

  • MOMBE法生长重碳掺杂p型GaAs/In_xGa_(1-x)As应变超晶格

    齐鸣, 罗晋生, 白坚淳一, 山田巧, 野崎真次, 高桥清, 鹿岛秀夫, 德光永辅, 小长井诚

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(8): 461

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    ,罗晋生,白■淳一,山田巧,野崎真次,高桥清,鹿岛秀夫,德光永辅,小长井诚 中文摘要 本文采用以TMG、固体In和固体As作为分子束源的MOMBE法,首次成功地生长了空穴浓度高达1×10~(20)/cm~3数量级的重碳掺杂p型GaAs/In_xGa_(1-x)As(x=0.3)应变超晶格(SLS)结构,用XRD、Raman、PL和Hall测量等方法分析了样品特性,讨论了结构参数对应变弛豫及SLS特性的影响,结果表明,所得样品不仅具有很高的空穴浓度,而且具有较窄的等效禁带宽度,可望用于GaAs系HBT基区的制作。

  • 用沟道产额角分布技术研究硅中超固溶度激活杂质的失活机理

    徐立, 钱佩信, 李志坚

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(8): 468

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    用快速热退火技术可以获得很高的、超过杂质在硅中固溶度的亚稳态载流子浓度。但是,超固溶度杂质的失活会引起亚稳态载流子浓度的弛豫。本文应用RBS沟道产额角分布技术分析了失活杂质原子在硅晶格中的定位情况,进而从这些晶格定位的实验结果出发,讨论了硅中超固溶度激活杂质的失活机理。

  • p—Hg_(0.97)Mn_(0.03)Te的磁阻振荡及霍耳系数振荡

    沈金熙, 郑国珍, 郭少令, 汤定元

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(8): 474

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    p型零禁带Hg_(0.97)Mn_(0.03)Te在深低温(T<4.2K)弱磁场(B<0.6T)区出现磁阻振荡及霍耳系数振荡。用补充了交换互作用项的P-B模型拟合计算了各峰值位置,表明此组份Hg_(1-x)-Mn_xTe的重空穴价带b_v(-1)已交叠到导带a_c(1)之上。霍耳系数出现清晰的振荡行为,拟合计算表明这是由于费米能级为受主能级所钉扎引起的载流子浓度的振荡。

  • 强束流离子注入形成SOI结构时的温升效应的计算

    田人和, 顾永俶, 卢武星, 张荟星

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(8): 484

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    本文考虑了瞬态的热传导过程,用有限差分方法计算了恒流、脉冲、扫描三种离子注入形成SOI结构时的温升效应。计算结果表明,当能量大于150keV和注入剂量率超过1×10~(15)/cm~2·s时,对于一般的散热系统来说(传热系数H≈2×10~(-2)W/cm~2K),温升效应将是严重的。恒流、脉冲、扫描三种注入方式比较起来,以扫描注入的温升和温度波动为最严重,恒流注入为最低。目前,在低束流情况下,大多采用热靶(400—700℃)来制造 SIMOX或SIMNI材料,本文的计算结果指出,当剂量率超过8×10~(14)/cm~2·s时,晶片温度将超过1000K(H取2×10~(-2)W/cm~2K),这时将没有必要再用热靶,用室温靶就能满足温度要求。本文给出的理论计算方法对其它材料(如金属、陶瓷等)仍可应用。

  • GaAs器件中载流子非稳态输运的蒙特卡罗模拟

    王维航, 叶润涛, 郭妙泉, 余志平

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(8): 492

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    本文用多粒子蒙特卡罗方法对GaAs器件中的载流子非稳态输运过程进行了模拟,解释了载流子速度过冲效应对亚微米器件性能的影响。给出了一种由P集电区、P~+缓变基区和AlGaAs/GaAs异质发射结组成的N~+P~+PN新结构,预计将对缩短基区-集电区渡越时间有明显的作用。

  • BROS:带有电源网优化策略的积木块式版图布线系统

    郑宁, 朱青, 冯之雁, 严晓浪, 洪先龙, 连永君

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(8): 497

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    本文简述了一种积木块式版图布线系统。它的特征是基于通道的定义和排序,动态地完成布线任务。它包括:一种层次式的自上而下的电源网布线和电源网的系统实现策略;一种结合了总体压缩的高效的多子图合并的总体布线方法。有效地匹配了通道的容量与布线区域的密度;带有通道压缩的L型通道和直通道的一体化通道布线完成了详细布线;环形通道的布线完成了包括电源网在内的I/O压焊块的连接。在测试标准例子的结果比较表明BROS要优于其它的BBL布线系统。

  • 分子束外延生长p型ZnSe-ZnTe超晶格

    徐梁, 王海龙, 沈爱东, 崔捷, 陈云良, 沈玉华

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(8): 505

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    一种p型应变层超晶格已用调制掺杂技术实现,这种超晶格材料是由不掺杂的ZnSe层和掺Sb的ZnTe层交替生长组成的,电学性质已由霍尔效应测量获得。p型应变层超晶格的空穴迁移率为220—250cm~2/V·s,空穴浓度为3—5×10~(14)/cm~3。

  • 质量分离低能离子束外延超薄硅单晶的初步研究

    黄大定, 姚振钰, 壬治璋, 王向明, 刘志凯, 秦复光

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(8): 509

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    采用质量分离的低能离子束外延(MALE-IBE)技术进行超薄硅外延生长,在600C下获得单晶硅外延层,厚度2000A,过渡区宽度小于500A。有较好的电学性质。

  • 快速热退火硅中微缺陷分析

    徐立, 钱佩信, 李志坚

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(8): 513

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    本文通过高剂量注砷硅的一系列快速热退火实验,分析了注入晶格损伤恢复情况和二次缺陷生长过程。在实验结果的基础上综合研究了快速热退火硅中的微缺陷过程。

  • InGaAs/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应

    刘伟, 张耀辉, 江德生, 王若桢, 周钧铭, 梅笑冰

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(8): 517

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    本文利用光电流谱方法研究了10—300K温度范围内In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应,在室温及低温下均观察到明显的吸收边场致“蓝移”现象,并对Stark-ladder激子跃迁的能量位置及振子强度随电场的变化给予详细讨论。实验结果表明,利用In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层超晶格的Wannier-Stark效应可以制作0.98μm波长范围的电光调制器和自电光双稳器件。

  • 自然氧化和电子辐照对多孔硅结构有序度的影响

    官浩, 阎锋, 鲍希茂, 杨海强, 吴晓薇, 洪建明

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(8): 522

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    多孔硅在空气中自然氧化形成Si—O—Si键,引起晶格畸变,导致有序度下降,氧化层用HF去除,有序度可恢复。大束流电子束辐照直接引起晶粒无序化,其有序度不能在HF浸泡中恢复。

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