|
Issue Browser

Volume 15, Issue 12, Dec 1994

    CONTENTS

  • 半导体激光器在微波场加热电子变温调制下的小讯号行为

    郭长志,陈水莲

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(12): 799

    Abstract PDF

    本文从理论上对半导体激光器在微波场加热电子变温调制下的小讯号行为进行了比较详尽的分析,并提出一个等价标准以便与通常的电流调制及其联合调制的小讯号行为进行确切的比较.结果表明,在小讯号条件下,微波场加热电子变温调制的幅频响应比通常的电流调制高约两个量级,以致在联合调制中,电流调制完全被前者淹没而起不了作用,而且前者的相频响应比后者大体上滞后四分之一周期.

  • AlN 和 SiO_xN_y 薄膜与其 GaAs 衬底间界面应力的喇曼光谱研究

    侯永田,张树霖,高玉芝,尹红坤,宁宝俊,李婷,张利春

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(12): 809

    Abstract PDF

    本文用喇曼散射方法研究了在GaAs衬底上用S-枪磁控反应溅射的AlN和PECVD淀积的SiOxNy薄膜的界面应力,并研究了这两种薄膜在N2和Ar气氛下的高温热处理对界面应力的影响.结果表明,与SiOxNy薄膜不同,在GaAs衬底上制备的AlN薄膜,其界面应力很小,而且经N2和Ar气氛下的高温快速热退火,仍具有较好的稳定性,从而表明AlN是GaAs集成电路技术中一种较好的绝缘介质、钝化层和保护材料.

  • δ掺杂的赝形HEMTs AlGaAs/InGaAs/GaAs傅里叶变换光致发光光谱

    沈文忠,唐文国,李自元,沈学础

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(12): 814

    Abstract PDF

    本文首次报道了δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管结构(HEMTs)Al0.30Ga0.70As/In0.15Ga0.85As/GaAs中的傅里叶变换光致发光光谱.观察到了n=1电子子带和n=2电子子带到n=1重空穴子带的强发光峰以及n=2电子子带到浅受主的弱发光峰,由于费米能级处在高于n=2电子子带的位置上,没有观察到属于费米边的发光峰,证实了理论上所预言的δ掺杂HEMTS系统具有转移效率高的优点.

  • Cs/InP(100)界面相互作用性质的研究

    徐世红,徐彭寿,刘先明,朱警生,麻茂生,张裕恒,许振嘉

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(12): 820

    Abstract PDF

    我们用X光电子能谱(XPS)和真空紫外光电子能谱(UPS)研究了碱金属Cs/InP(100)界面形成和电子结构特性.XPS和UPS测量表明,在Cs的覆盖度低于0.5ML时,Cs与衬底InP之间既没有化学反应也没有扩散.当Cs的覆盖度大于0.5ML时,In和P开始向表面扩散,且Cs与P发生弱的化学反应.饱和吸附的Cs/InP(100)界面在不同温度退火时,一部分Cs脱附,一部分仍留在InP体内.

  • MBE生长的PM-HEMT结构中深电子陷阱及其钝化/消除

    卢励吾,周洁,梁基本,孔梅影

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(12): 826

    Abstract PDF

    应用DLTS、SIMS和PL技术详细研究MBE生长的PM-HEMT结构中深能级.样品的DLTS谱表明在PM-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度和俘获截面的深电子陷阱,其能级位置分别位于导带下的0.64eV和0.79eV处.SIMS和PL谱表明深电子陷阱与AlGaAs层里的氧含量和光致发光(PL)响应有直接的联系.它们影响PM-HEMT结构的电性能.应用氢等离子体对深电子陷阱进行处理,结果表明,在一定条件下,PM-HEMT结构样品里的深电子陷阱能有效地被钝化/消除.

  • 超高真空CVD极低温低压硅外延与高分辨TEM分析研究

    叶志镇

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(12): 832

    Abstract PDF

    本研究利用一台新型的超高真空气相外延(CVD)设备,成功地在树底温度为550℃的(100)硅片上由硅烷热解法生长了外延层,实现了极低温低压外延新工艺.高分辨率的横断面透射电镜(XTEM)照片表明,低温硅外延层中缺陷明显有其特点,而绝大部分的缺陷都由衬底表面引起的,然后传播进入外延层.本文还对低温硅外延层中的缺陷特征及其形成机制与树底表面特性的关系进行了分析讨论

  • pH-ISFET 输出时漂特性的研究

    钟雨乐,赵守安,刘涛

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(12): 838

    Abstract PDF

    本文对pH-ISFET恒流输出时漂特性进行了一系列实验研究,获得时漂随器件浸泡时间的变化规律,指出造成时漂的原因之一,是敏感膜水化层带有负电荷,使器件出现附加阈值电压上ΔVT(t),而水化层厚度随浸泡时间而增加,造成ΔVT(t)的正向时漂.提出了器件阈值电压时漂的初步物理解释.

  • Zn-Se-Te 三元系富Te区的液固平衡以及ZnSe_0.52Te_0.48 薄膜在(100)InP衬底上的LPE法生长

    陈根祥,李洵,简水生

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(12): 844

    Abstract PDF

    本文运用R.A.S(RegularAssociatedSolutions)模型的基本原理,导出了简明的适用于AⅡ-BⅥ-CⅥ三元系富Ⅵ族区的液固平衡方程.并由此计算了Zn-Se-Te三元系富Te区的液固平衡曲线,计算结果与已有的实验数据符合.最后,对ZnSe0.52Te0.48在(100)InP衬底上的液相外延生长进行了实验研究.

  • 基区非均匀掺杂对 AlGaAs/GaAs HBT 电学特性影响的数值分析

    曾峥,吴文刚,罗晋生

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(12): 850

    Abstract PDF

    基于异质结漂移-扩散模型,考虑Fermi-Dirac统计和重掺杂能带窄变(BGN)效应,对具有非均匀掺杂基区的AlGaAs/GaAsHBT进行了数值模拟.结果表明,当基区非均匀程度较大时,非均匀掺杂引起的基区自建场远大于BGN效应产生的反向场.基区非均匀掺杂能提高电流增益,但提高的幅度随非均匀程度的增加而减慢.基区非均匀掺杂可明显改善截止频率fT,但同时也增加了集电结空间电荷区渡越时间τc,scR,使得fT在非均匀程度较大时开始下降.发射极-集电极offset电压在一定的非均匀程度下达到最佳值.

  • 聚合物膜中CdS超微粒的制备及光物理性质研究

    周晓文,李学萍,林原,肖绪瑞

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(12): 858

    Abstract PDF

    本文采用化学合成法在全氟羧酸阳离子交换膜中制备出了性能稳定,具有晶体结构的纳米尺寸的半导体CdS超微粒.分析结果表明制得的CdS超微粒在吸收和荧光光谱中均显示出显著的量子尺寸效应.随制备条件的不同,其吸收起始波长可从近500nm蓝移至400nm左右,荧光最大发射峰位也蓝移了100nm(700→600nm).单光子计数测得在膜中CdS超微粒子的荧光寿命(约1μs)明显长于胶体溶液中的CdS超微粒子寿命.

Search

Advanced Search >>

Issues