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Volume 15, Issue 4, Apr 1994

    CONTENTS

  • GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs异质结附近类氢杂质束缚能及其受像势的影响

    李树深,袁伟,刘建军,孔小均

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 223

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    在有效质量近似下,利用一维化Euler方程方法计算了GaAs-Ga1-xAlxAs异质结附近类氢杂质基态及2p±态束缚能及其受像势的影响.在极限情况下,我们的结果可以重现已有的精确解.

  • 利用CBE技术在Si衬底上生长GaAs薄膜

    邢益荣

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 229

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    采用化学束外延(CBE)技术,以三乙基镓(TEG)和砷烷(AsH3)为源,在Si(001)衬底上生长GaAs薄膜.利用Hall效应、卢瑟福背散射(RBS)和高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)检测了外延层的质量.结果表明,GaAs薄膜具有n型导电性,载流子浓度为1.3×1015cm-3,其杂质估计是Si,它来自衬底的自扩散.外延层的质量随着膜厚的增加而得到明显的改善.在GaAs/Si界面及其附近,存在高密度的结构缺陷,包括失配位错、堆垛层错和孪晶.这些缺陷完全缓解了GaAs外延层和Si衬底之间因晶格失配引

  • Co/Ti/Si三元固相反应外延生长CoSi_2薄膜

    刘平,李炳宗,孙臻,顾志光,黄维宁,周祖尧,倪如山

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 235

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    研究采用Co/Ti/Si三元固相反应的方法生长外延CoSi2薄膜.通过选择适当的热处理条件,采用多步退火,在Si(100)和Si(111)衬底上均成功获得外延CoSi2薄膜.实验用XRD、TEM、RBS/channeling等测试技术分析CoSi2薄膜外延特性,得到的CoSi2薄膜的RBS/chnneling最低产额Xmin达到10-14%.实验对CoSi2/Si(111)样品,分别沿Si衬底的<110>和<114>晶向进行背散射沟道测量.结果发现,沿Si<110>晶向得到的CoSi2背散射沟道产额显著高

  • InP系量子阱相位调制器的理论设计

    陈建新,邬祥生

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 243

    Abstract PDF

    本文应用量子限制Stark效应理论计算了InP系量子阱中激子的波函数及激子的能量.在此基础上,计算了不同电场条件下激子能量的红移,以及吸收系数的变化.然后,根据K-K关系计算了折射率的变化,得到了一定强度外电场条件下,折射率变化与波长、组份及阱宽的关系.按照我们的计算,折射率变化可达2.54e-2.

  • p~-型多孔硅的拉曼光谱与结构特征

    王昕,何国山,张树霖,刁鹏,李经建,蔡生民

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 248

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    本文第一次在较宽的频率范围内研究了p-型多孔硅的拉曼光谱,观察到并试探性的指认了多孔硅的一级TA、LA和二级LA、TO声子峰;从上述拉曼谱和多孔硅结构关系的初步分析中了解到,p-型多孔硅在结构上是一种类似于纳米晶的硅材料.

  • GaAs微微秒光导开关的研究

    潘家齐,吕福云,袁树忠,李晓民,庄婉如

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 255

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    采用离子注入高纯LECGaAs材料,设计研制了共面线和微带线两种结构微微秒(ps)光导开关.其输出电脉冲响应时INFWHM为8—10ps,当光强为1mW时,电脉冲幅度为0.2V

  • γ辐照的半绝缘GaAs:Cr的电子顺磁共振研究

    傅济时,朱美栋,毛晋昌,吴恩,秦国刚,魏根栓,张钰华,王永鸿,马碧春

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 261

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    本文报道γ辐照的GaAs:Cr的光激发电子顺磁共振(EPR)研究结果.实验结果表明γ辐照不仅改变了其内硅谱线的光淬灭特性,同时还产生一条g值为2.08、线宽约3e-2T无光淬灭特性的新谱线,初步分析表明它可能来自于砷空位(VAs).

  • 热壁MOCVDHg_(1-x)Cd_xTe中的Hg蒸汽压和分配比

    丁永庆,彭瑞伍,韦光宇,陈记安,李贤春,张玉平,刘克岳,赵振香

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 264

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    本文改进和设计了新型可移动式加热电阻炉和反应器,避免了二乙基碲(DETe)与二甲基镉(DMCd)的直接反应,减了预沉积,在Te/Cd比的控制更为准确的条件下重复稳定地获得了x=0.2响应波长为10.6μm的Hg1-xCdxTe材料.其中有关组份x值的实验结果首次证明与Kisker的热力学模型基本相符.

  • MOCVD过程中回流现象的数值模拟

    张佳文,高鸿楷,张济康,杨永

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 268

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    在金属有机物化学汽相淀积过程中,反应器中的回流现象严重影响生长层的界面陡峭性.本文从关于MOCVD的流体力学基本方程出发,用二维有限差分和流函数涡量法求解方程,取得了不同条件下气流场的流谱.计算结果表明,减小反应器坛强、增加运载气体流量等方法可以消除回流.本文所用的流函数-涡量法具有简单、明了,运算速度快等优点.

  • 一种新型结构的LB膜化学场效应晶体管的气敏特性研究

    顾长志,孙良彦,张彤,文珂

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 273

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    合成了新型的有机半导体LB膜气敏材料(COTDMAPP),其LB多层膜拉制在场效应晶体管上,形成了具有LB-OSFET结构的化学场效应晶体管(ChernFET),该器件置于NO2,NH3,CO和H2S等有害气体中,结果表明在NO2气氛中元件漏电流IDS发生变化,并可检测到2ppm的NO2.这种器件的气敏特性在于FET的电流放大作用及LB膜的有序性的影响.

  • MOS结构低温负偏压温度不稳定性

    陆德仁,朱德光

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 277

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    本文报道了在氧等离子体中暴露过的热生长二氧化硅MOS结构,置于-170至100℃的环境中,经受-0.3至-10MV/cm电场作用1ms至100s的时效处理后,仍然表现出不稳定性的实验结果.1至10ms的时效时间是常规负偏压温度不稳定性试验时间的几百,乃至几十万分之一,用这样短的低温负偏压应力,研究了光照对MOS结构负偏压温度不稳定性的影响,实验与预想一致,N型MOS结构应力处理时,若无光照,时效时间短于10ms,处理后C-V曲线不位移,若有光照,C-V曲线向左位移0.15V左右.对于P型MOS结构,C-V

  • 稀土Er离子注入InP的退火及发光特性

    章蓓,陈孔军,王舒民,丁晓民,虞丽生,郑婉华,徐俊英,李仪

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 285

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    利用离子注入法,以7e14/cm2和1e15/cm2的剂量对InP进行稀土元素Er的掺杂,采用了两种未加淀积膜覆盖的退火方式,在10K下均观测到InP中Er3+1.54μm特征光致发光峰.光致发光(PL)和反射式高能电子衍射给出发光强度和晶格恢复程度与退火条件的依赖关系,结果表明Er3+在InP中的光激活性在很大程度上取决于InP晶格的恢复.

  • 用MOCVD在非平面衬底上生长的量子阱、量子线及其光学性质

    钱毅,郑婉华,郑联喜,张霞,胡雄伟,陈良惠,王启明

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 289

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    本文报道在650℃的衬底温度下实现了MOCVD在(100)面和(111)面上生长GaAs与Al0.4Ga0.6As的不同的选择性.这一衬底温度比国际上以前报道的要低,对制作适于光电器件的GaAs/AlGaAs量子阱层比较有利.用此技术,在GaAs非平面衬底上生长了GaAs/Al0.4Ga0.6As量子阱,并用扫描电镜、低温光致发光谱以及偏振激发的光反射率谱技术进行了研究.结果不仅证明了MOCVD外延生长GaAs和Al0.4Ga0.6As的独特选择性,也证明了在V字形沟槽底形成了量子线.

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