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Volume 16, Issue 2, Feb 1995

    CONTENTS

  • Mn/GaAs(100)界面磁性的光电子能谱研究

    张明,董国胜,朱兴国,徐敏,金晓峰

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(2): 81

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    利用X光电子谱(XPS)和紫外光电子谱(UPS),对室温下Mn在GaAs(100)清洁表面淀积后的电子结构进行了研究.实验结果表明,当锰的覆盖度θ≤θc(θc≈0.25nm)时,界面体系是半导体性的;而当θ>θc时,界面表现出金属性.我们认为这是铁磁交换积分导致3d能带分裂的结果.另外,从Mn3s芯能级的多重分裂来看,至少从θ>0.4nm开始,Mn的原子局域磁矩大小就不再变化.

  • 非晶氮化硅纳米粒子──Ⅱ:电子结构理论研究

    左都罗,李道火,夏宇兴

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(2): 87

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    本文研究了连续无规网络模型非晶氨化硅纳米粒子的电子结构.研究表明非晶氨化硅纳米粒子具有量子限制效应:能带分裂,最低电子跃迁能量随尺寸减小增大,是一种非晶量子点.无序度增大使能级增宽,价带顶下降.我们把这些结果和实验进行了比较,并讨论了局域长度与量子限制效应的关系.

  • 非平面InP液相外延生长的理论与实验

    李洵,陈根祥,简水生

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(2): 93

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    本文对用液相外延技术制作半导体激光器时所遇到的非平面InP固-液相界及在不同平面上满足不同的界面反应速度情况做了严格的理论分析,它可以对实际非平面InP生长所遇到的各种情况给出准确的解释.此外,对理论结果进行了数值模拟计算,对界面反应速度作适当拟合之后,得到了与实验一致的结果,从而验证了理论的正确性,可以其作为实际非平面InP液相外延生长时工艺设计与参数选择的依据.

  • InGaAs/GaAs应变量子阱中的激子发光动力学

    徐仲英,罗昌平,金世荣,许继宗,郑宝真

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(2): 101

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    本文详细测量并分析了InGaAs/GaAs应变量子阱中的激子发光衰退特性,研究了激子发光寿命与In组分和阱宽的关系.发现In组分增大时,激子寿命变短,而发光寿命与阶宽的关系不大.文章分析了影响发光寿命的诸多因素,指出在InGaAs/GaAs量子阱中,由合金无序造成的散射对激子发光寿命有重要的影响.

  • δ掺杂的赝配HEMTAlGaAs/InGaAs/GaAs结构的光电流谱

    沈文忠,黄醒良,唐文国,李自元,沈学础

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(2): 107

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    本文首次报道了δ掺杂的赝配高电子迁移率晶体管结构(HEMTS)Al0.30Ga0.70As/In0.15Ga0.85As/GaAs的光电流谱研究.实验观察到了n=1重空穴子带到n=1电子子带和n=2电子子带的激子吸收峰以及GaAs本征吸收相位变化所引起的光电流结构,并对光电流谱随温度和偏压变化的行为进行了讨论.

  • 用脉冲腐蚀制备发光多孔硅

    范洪雷,侯晓远,李喆深,张甫龙,俞鸣人,王迅

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(2): 113

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    采用脉冲腐蚀方法,研究多孔硅的动态腐蚀过程,测定了动态电流和时间的关系,提出并讨论了动态腐蚀机理.用脉冲腐蚀制备得到发光多孔硅,与直流腐蚀相比较,脉冲腐蚀能得到均匀性更好、发光更强的多孔硅,而且PL峰位有一定的蓝移,我们认为脉冲腐蚀是一种更优秀的制备方法,并对此作了初步的讨论.

  • 不同生长温度下Ge_(0.5)Si_(0.5)/Si应变层超晶格材料结构的X射线双晶衍射研究

    朱南昌,陈京一,李润射,许顺生,周国良,张翔九,俞鸣人

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(2): 118

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    本文通过X射线双晶衍射和双晶摇摆曲线的计算机模拟方法研究了在Si(001)上生长的Ge0.5Si0.5/Si应变层超晶格的结构及其完整性,结果表明:在350-550℃的低温生长条件下,可生长出较高质量的超晶棺材料,并且在350℃时质量最好.在这些样品的生长过程中界面上产生了不同程度的失配位错,并与生长温度有关.周期厚度有4%以内的波动,层与层之间有轻微的混元,观察到了超晶格卫星衍射峰的分裂现象,并进行了讨论.

  • 砷化镓在O_2~+与Cs~+离子轰击下二次离子发射的研究

    陈新,陈春华,王佑祥

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(2): 125

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    本文研究了各种实验参数对O-SIMS和Cs-SIMS中GaAs二次离子发射的影响,和样品室中氧分压对GaAs二次离子发射的增强效应.实验表明,与Ar-SIMS不同,O-SIMS和Cs-SIMS中随Ep增加二次离子的强度反而有所下降,而样品室注入氧可以提高正二次离子产额,但需要达到较高的氧分压:10-3Pa.二次离子能量分布测量表明,对O-SIMS,二次离子强度在Vbias=30V左右达到最大值,对Cs-SIMS,二次离子强度在Vbias=-20V左右达到最大值.

  • K对InP(100)表面催化氧化反应的同步辐射光电子能谱研究

    季航,赵特秀,王晓平,吴建新,徐彭寿,陆尔东,许振嘉

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(2): 133

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    利用同步辐射光电子能谱研究了K对P型InP(100)表面的催化氧化反应过程.对于O2/K/InP(100)体系的P2p、In4d和价带光电子能谱研究可知,在氧吸附的过程中,O和P、In之间发生了化学反应,O更易于与K在吸附过程中与InP(100)衬底之间的界面反应形成的K-P化合物中的P健合.碱金属K的存在并不直接和O发生作用,而是起到一种催化剂的作用,增加了电荷向氧传输的能力.使得O2的分解和吸附变得更加容易.在In4d芯能谱中,In-O之间的反应并不是很明显,而在价带谱中则可以明显地看到In-O之间反

  • 赝高电子迁移率晶体管结构的光反射谱研究

    刘伟,江德生,张耀辉,金珊,王若桢

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(2): 139

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    本文利用变温光反射谱和室温光伏谱研究了赝高电子迁移率晶体管结构中二维电子气的行为,发现二维电子气的屏蔽作用对低指数子带较为显著,而对较高子带则弱得多,同时带填充效应在不同温度下对临界点跃迁能量及跃迁强度也有不同影响.

  • 多孔硅中两种不同的光致发光谱

    廖良生,鲍希茂,闵乃本,王水凤,曾庆城

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(2): 145

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    采用连续变化的单色光作为激发光源,测量了多孔硅的光致发光(PL)谱和光致发光激发(LPE)谱.结果表明,多孔硅存在两种不同的PL谱.一种是人们通常观察到的PL谱,其峰位可随多孔硅量子尺寸的变小以及激发光波长(λex)的变短而蓝移,我们称其力量子限制型光致发光(QPL)谱.另一种是其峰位波长处于蓝紫光范围且峰位基本上不随多孔硅的量子尺寸和λex而变化的PL谱,我们称其为非量子限制型光致发光(NQPL)谱.多孔硅还存在与PL谱相对应的两种不同的PLE谱.与QPL谱对应的PLE谱是双峰谱,与NQPL谱对应的PL

  • 一种硅基集成微晃动马达

    孙曦庆,谢会开,刘理天,李志坚,钱佩信

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(2): 149

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    本文介绍一种硅基集成微晃动马达.该微马达的制作工艺非常简单,主要包括四次光刻(共三块版)、两次LPCVD多晶硅膜淀积和两次LTOSiO2膜淀积.微马达转子和定子由厚度为4.2μm的多晶硅膜形成,转子与定子之间的空气间隙为2.0—2.5μm,转子的半径为40—50μm.初步测量结果表明,微晃动马达的最低驱动电压为49V,最高转速估计可达600rpm。

  • 用低能离子束淀积技术在硅(111)衬底上生长氧化铈外延薄膜

    黄大定,秦复光,姚振钰,刘志凯,任治璋,林兰英,高维滨,任庆余

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(2): 153

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    采用质量分离的低能双离子束淀积(IBD)技术,在硅(111)衬底上共淀积,生长了氧化铈外延薄膜.椭圆偏振仪测得,膜厚2000A.俄歇能谱仪测得,外延层内铈、氧分布均匀,具有很好的正化学比.X射线双晶衍射得到明显的氧化铈(111),(222)峰,半高宽≤23″。

  • Band-Inhomogeneity in GaAs Single Crystal Grown in Space

    周伯俊

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(2): 158

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    A band type inhomogeneity with 1.2-2.0 mm width in GaAs single crystal grown in space was revealed by using electrical plate technique. The striations have not been found in this area by anodic etching.

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