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Volume 16, Issue 4, Apr 1995

    CONTENTS

  • 分布反馈式半导体激光器耦合系数计算与垂向结构设计

    罗毅,蒲锐,彭吉虎

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 241

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    本文推导出增益耦合型分布反馈式(DFB)半导体激光器TE、TM模耦合系数K的计算公式.分析了DFB激光器的横模,讨论了k与DFB激光器横模、光栅级数、占空比及吸收光栅层厚的关系.最后得出含吸收光栅的GaAlAs/GaAs增益耦合型DFB激光器在采用三级光栅时的优化设计结果为:占空比0.16,吸收层厚50um.

  • GaAs/AlGaAs二维电子气(2DEG)散射机理研究

    杨斌,陈涌海,王占国,梁基本,廖奇为,林兰英

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 248

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    本文采用三角阱近似,计算了GaAs/AlGaAs二维电子气(2DEG)电子只占据基态子带时,由极性光学声子、声学形变势、声学压电势、远程电离杂质、本底电离杂质、合金无序以及界面粗糙等七种主要的散射机制决定的电子迁移率与温度、2DEG浓度、本底电离杂质沈度、以及界面不平整度等的关系.理论计算结果与实验符合很好.就作者所知考虑上述七种散射机制计算2DEG电子迁移率的工作,以前未见报道.

  • GaAs-Al_xGa_(1-x)As异质结构界面光激光发过剩电子的热辅助隧穿俘获

    何礼熊

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 253

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    在71—163K的不同稳定温度下,对GaAs-Al0.3Ga0.7As调制掺杂异质结构界面的光激发过剩电子的浓度,作了10-5-103秒时间范围的瞬变测量.一个包含了热声子辅助隧穿,Si掺杂的AlxGa1-xAs层DX中心俘获势垒分布和隧穿后电子的能量弛豫过程的理论计算可以定量地解释实验结果.

  • 不同单晶硅衬底的多孔硅的拉曼和光致发光谱研究

    贾霖,王昕,张树霖,李经建,陈泳,刘忠范,蔡生民

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 258

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    用拉曼谱和光致发光谱研究了不同掺杂类型和掺杂浓度的单晶硅衬底上制备的多孔硅(PS).根据拉曼谱估计了不同衬底PS的硅残留体的尺寸,结果与其它实验的结论相符.把由拉曼谱得到的PS尺寸和由光致发光谱得到的PS荧光峰能量相对比,发现单纯的量子限制模型不能统一解释不同衬底PS的光发射现象.

  • 低补偿度n-Hg_(1-x)Cd_xTe的弱局域效应

    韦亚一,郑国珍,沈金熙,沈杰,郭少令,汤定元

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 263

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    本文在多次实验中选择的低补偿度n-Hg1—xCdxTe样品上测量了0—10mT弱磁场范围的横向磁阻和纵向磁阻,观测到了三维电子系统中弱局域导致的负磁阻修正效应.初步讨论了样品尺寸、磁场与电流的相对取向以及温度对弱局域效应的影响.

  • 多孔硅光致发光谱中双峰结构随激发光波长的变化与发光机制

    段家忯,姚光庆,张丽珠,张伯蕊,宋海智,秦国刚

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 268

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    在室温下系统地观测了多孔硅样品的光致发光谱随激发光波长的变化.在激发波长为260—320nm范围内,光致发光谱出现明显的双峰结构,两峰峰位分别位于610nm和700nm波长附近.当激发波长由260nm开始逐渐增加时,短波峰与长波峰强度之比先增加,随后达极大值,它略大于1,以后,此比值急剧减小,逐渐趋于零,即只存在单一长波峰.以上现象难于用量子限制模型解释.假设在包围纳米硅粒的二氧化硅层中存在两种发光中心,可以用量子限制/发光中心模型来解释上述实验现象.

  • 阶梯衬底内条形附加吸收区结构超辐射发光二极管

    邢进,刘素平,姜秀英,赵方海,曲轶,杜国同

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 272

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    报道了一种结构新颖的“阶梯衬底内条形附加吸收区结构超辐射发光二极管”,测得了器件在直流和宽脉冲条件下的工作特性.

  • IGBT的寄生晶闸管发射结分流电阻

    曹茂旺,陈治明

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 276

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    为了设计具有最小寄生晶闸管发射结分流电阻Rp的大电流IGBT,针对圆形、方形、条形等发射极图形设计.建立了Rp的计算公式模型,并据此讨论了在各种图形设计中的Rp与p阱高浓度深层扩散的结深和表面杂质的关系,以及图形及其尺寸对Rp大小的影响.

  • HEMT的静态和小信号解析模型

    张义门,龚仁喜,张玉明,吴拥军

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 282

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    本文在提出一个新的二段非线性2DEG模型的基础上,建立了HEMT的静态和高频解析模型.对交流波动方程采用Bessel函数法得到精确解.由直流特性和表征高频特性的参数和实验数据的比较表明,本模型与实验符合得相当好.

  • 自对准硅化物CMOS/SOI技术研究

    奚雪梅,徐立,武国英,李映雪,王阳元

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 291

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    在CMOS/SIMOXSOI电路制作中引入了自对准钴(Co)硅化物(SALICIDE)技术,研究了SALICIDE工艺对SOIMOSFET单管特性和CMOS/SOI电路速度性能的影响.实验表明,采用SALICIDE技术能有效地减小MOSFET栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻,改善单管的输出特性,降低CMOS/SOI环振电路门延迟时间,提高CMOS/SOI电路的速度特性.

  • 碱金属Rb在InP(100)表面的催化氧化作用

    徐彭寿,徐世红,朱警生,刘先明,麻茂生,张裕恒,许振嘉

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 296

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    我们用XPS和UPS研究了氧在Rb复盖的和清洁的InP(100)表面的吸附行为.实验结果表明,碱金属可以使衬底的氧化能力大大增加.在氧的暴露量低于1L时,氧主要吸附在碱金属原子之间的InP衬底上,且位于Rb原子层之下.当氧暴露量增加时,氧主要还是吸附在Rb覆盖层下面,这时衬底开始氧化.在清洁表面,氧主要吸附在In原子上.样品退火后,Rb部分脱附,同时,衬底的氧化物相(InPO4)含量增加.

  • 真空紫外光直接光CVD法低温生长SiO_2薄膜及其性质

    杜开英,陈义

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 303

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    使用真空紫外(VUV)光直接光CVD工艺,在低温(50-150℃)下成功地淀积出了优质的SiO2薄膜.测试结果表明:淀积膜的红外吸收峰与高温热生长膜的相符合;氧和硅原子的组分非常接近化学计量比;光折射率在1.42-1.55之间;介电常数大于3.6;击穿电场强度在1e7V/cm的量级;用氯氟酸腐蚀液(参考配方:HF:H2O=1:12)测得膜的平均腐蚀速率约为1.27um/s.试用表明,当使用本实验工艺于硅器件的表面钝化、涂覆及层间隔离,替代PECVD和热CVD工艺时,器件的击穿特性和反向漏电流均明显地改

  • GaAs/AlAs波纹超晶格中的激子局域化研究

    袁之良,徐仲英,许继宗,郑宝真,江德生,张鹏华,杨小平

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 309

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    本文首次报道(311)面上生长的GaAs/AlAs波纹超晶格中的激子局域化效应.在这种结构中,波纹异质结界面的缺陷,包括周期微扰和表面不平整将引入较深的激子束缚能级,因此低温下其发光能量相对于(100)样品发生明显的红移.在Ⅱ类超晶格中,局域化能级成为X能谷电子向能谷输运的通道,从而加强了X-电子态混合,使实验观察到的X跃迁表现出跃迁的某些性质.

  • 注C~+硅多孔结构的蓝光发射

    廖良生,鲍希茂,闵乃本

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 314

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    对单晶硅进行C+注入,注入能量为50keV,注入剂量为1e15~1e17/cm2.在N2中经950℃退火1小时后,注入层形成尺寸为1~3μm的β-SiC沉淀.进而采用电化学腐蚀方法将样品制成多孔结构.在紫外光激发下,样品可以发射强度较大的蓝光,光强是通常多孔硅的数倍以上,谱峰处于480nm和505nm附近.这一方法简便有效地实现了硅基材料的蓝光发射.

  • High-field Nonlinear Perpendicular Transport in a GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As Short-period Superlattice

    徐士杰,刘剑,郑厚植,李月霞,李承芳,郑海群

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 317

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