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Volume 19, Issue 10, Oct 1998

    CONTENTS

  • 信息高科技领域中的半导体光电子学

    王启明

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 721

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    本文从信息传输与处理、入网与交换、存储与读出、获取与显示等重要技术领域评述介绍了当代信息高科技的最新进展与未来的需求,着重揭示半导体光电子学在未来信息高科技发展中的关键作用与地位,以及当今研究与发展的主流方向

  • 五元系组分空间的几何表示以及晶格常数与能带和互溶隙的计算

    徐自亮, 徐万劲, 李力, 杨澄清, 刘弘度

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 729

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    本文将五元系分为两大类;并提出用三维空间中的立体图形展示五元系化合物的组分分布;提出了五元系化合物的晶格常数和禁带宽度以及互溶隙范围的计算公式,并在此基础上计算了与GaAs衬底晶格匹配的AlGaInPAs的等禁带宽度曲线和互溶隙的范围.

  • 半导体GaN/MgAl2O4中缓冲层的透射电子显微分析

    韩培德, 杨海峰, 张泽, 段树坤, 滕学公

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 736

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    运用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HREM)对金属有机化学气相沉积(MOCVD)的(0001)GaN/(111)MgAl2O4异质结构中的缓冲层进行了观察和分析,发现在该衬底上最初的低温沉积是一厚度为5nm的六方相岛状界面薄层

  • 富硅量不同的富硅二氧化硅薄膜的光致发光研究

    马书懿, 秦国刚, 马振昌, 宗婉华, 吴正龙, 姚光庆, 孟祥提

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 740

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    以硅-二氧化硅复合靶作为溅射靶,改变靶上硅与总靶面积比为0%,7%,10%,20%和30%,用射频磁控溅射方法在p型硅衬底上淀积了五种富硅量不同的二氧化硅薄膜.所有样品都在300℃氮气氛中退火30分钟.通过X射线光电子能谱、光吸收和光致发光测量确定出:随着硅在溅射靶中面积比的增加,所制备的氧化硅薄膜中纯硅(纳米硅)的量在增加,纳米硅粒的平均光学带隙在减小;但不同富硅量的二氧化硅膜的光致发光谱峰都接近于1.9eV,随硅在溅射靶中面积比增加,发光峰有很小的红移,其红移量远小于纳米硅粒的平均光学带隙的减少量.

  • Fe_2O_3-SnO_2双层薄膜对氨气敏感特性及其机理研究

    戴国瑞, 何秀丽, 王宗昌, 南金

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 745

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    本文报道了以Fe(CO)5和SnCl4为源,采用PECVD技术淀积Fe2O3-SnO2双层薄膜,将该薄膜淀积在陶瓷管上,对氨气的敏感特性进行了测量,并讨论了敏感机理.

  • 有机薄膜衬底ITO透明导电膜的结构和光电特性

    赵俊卿, 马瑾, 李淑英, 马洪磊

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 752

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    我们用反应蒸发法在氧分压2×10-2Pa、衬底温度80~240℃条件下蒸发铟-锡合金,在有机薄膜衬底上制备出ITO膜,并研究了其结构和光电特性随制备衬底温度的变化.制备膜的最佳取向为(111)方向,迁移率为20.7~36.7cm2·V-1·s-1,载流子浓度为(1.7~4.4)×1020cm-3,适当调节制备参数,可得电阻率为6.63×10-4Ω·cm、在可见光区透过率达82%的有机薄膜衬底ITO膜

  • 深亚微米薄膜全耗尽SOI MOSFET的强反型电流模型

    汪红梅, 奚雪梅, 张兴, 王阳元

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 756

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    本文在分析FDSOIMOSFET特殊物理结构的基础上提出了一个新的适用于深亚微米器件的强反型电流物理模型.模型包括了大部分的小尺寸器件效应如迁移率下降、沟道调制、载流子速度饱和、漏致电导增强(DICE)和串联S/D电阻等.该模型最大的优越性在于线性区和饱和区电流可以用同一个简单的表达式描述,确保了电流及其高阶导数在饱和点连续.将模型模拟计算结果与实验结果进行了对比,当器件的沟道长度下降到深亚微米区域时,二者吻合得仍然很好

  • Si/Si_(1-x)Ge_x应变层异质结双极晶体管(HBT)交直流特性的仿真研究

    郭宝增

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 765

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    本文报道了Si/Si1-xGex应变层异质结双极晶体管(HBT)交直流特性的仿真结果.通过用叠代法求漂移-扩散方程的数值解,确定器件的直流特性.再利用瞬态激励法,求解器件的交流特性参数.将基区Ge摩尔含量x为0.2、0.31的HBT的模拟结果分别与有关文献报道的实验结果进行了比较,两者的结果符合良好

  • MOS器件鸟咀区非本征电容研究

    戚盛勇, 俞权, 彭军

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 773

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    在MOS结构的窄沟器件、倒比器件中,鸟咀区下的势垒层所构成的非本征电容Cgb0对集成电路的高频特性有较大影响,但由于它与本征电容并联,且有杂散电容的影响,不易测准.本文研究了精确测量Cgb0的方法,同时也发现它的值不是常数,并给出了Cgb0随Vgb变化的经验公式.

  • 超薄SiO_2膜电子隧穿及低场传输电流的温度关系

    冯文修, 陈蒲生, 黄世平

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 777

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    在N-Si〈100〉衬底制作了10nm超薄SiO2作介质膜的MOS结构.研究了温度从100~450K电子从Si界面积累层F-N隧穿超薄SiO2的I-V特性及低场传输电流随温度的变化关系.研究结果表明:在较低的温度下,电流与温度基本无关;而在较高的温度下,电流随温度指数增加.为从理论上解释这些实验结果,认为在F-N隧穿电场范围,电流密度J1∝F2exp(-β/F),而在低场范围电流J=J0+J2,J2∝Fexp(-Φ2/kT).J0为低场漏电流.J1从实验数据可以求出,电子从N型Si〈100〉隧穿超薄SiO

  • 含F栅介质的击穿特性研究

    张国强, 郭旗, 余学锋, 任迪远, 严荣良

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 784

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    本文研究了MOS结构击穿电压与极性和栅面积之间的相互依赖关系、栅介质中F离子的引入对击穿电压的影响.结果表明,击穿电压受热电子贯穿方向制约;栅面积与击穿电压之间无明显依赖关系;一定量的F离子引入栅介质对击穿电压大小不造成多大影响.用一定模型解释了实验结果

  • GaAs/AlAs超晶格室温下的输运机制及自维持场畴振荡

    武建青, 江德生, 孙宝权

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 788

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    在GaAs/AlAs(10nm/2nm)弱耦合掺杂超晶格I-V曲线的第一个平台上,我们首先观测到了直流偏压下的室温微波振荡.观测到的最高振荡频率可达142MHz.这种由级联隧穿引起的振荡在测试温度范围14~300K内始终存在.经分析发现:由于垒层仅有2nm,电子隧穿通过垒层的几率很高,相比之下,电子越过势垒而产生的热离子发射电流要小得多.在温度低于300K时,超晶格内的纵向输运机制是级联共振隧穿和声子辅助隧穿.这是室温仍然能观测到自维持振荡的主要原因.由于实现振荡所施加的偏压比较低(在室温下偏压范围大约为

  • 1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器

    陈博, 王圩, 张静媛, 汪孝杰, 周帆, 朱洪亮, 边静, 马朝华

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 793

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    本文在国内首次报道了采用直接刻蚀有源区技术在应变多量子阱有源区结构基础上制作了1.3μmInGaAsP/InP部分增益耦合DFB激光器,器件采用全MOVPE生长,阈值电流10mA,边模抑制比(SMSR)大于35dB,在端面未镀膜情况下器件单纵模成品率较高

  • 准泡发射区基区SiGe异质结双极晶体管

    张进书, 钱伟, 陈培毅, 钱佩信, 罗台秦, 王于辉, 孙同乐, 王庆海, 高颖, 梁春广, 冯明宪, 林其渊

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 798

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    本文报道一种新开发的与Si平面工艺兼容的准泡发射区基区工艺,以及由此工艺制备的适于大功率微波应用的SiGe异质结双极晶体管(HBT).SiGeHBT的电流增益为50,BVCBO为28V,BVEBO为5V.在900MHz共射C类工作状态下,连续波输出功率5W,集电极转化效率63%,功率增益7.4dB.

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