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Volume 19, Issue 12, Dec 1998

    CONTENTS

  • InGaAs/GaAs应变量子阱光伏谱激子峰展宽的研究

    吴正云, 王小军, 黄启圣

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(12): 881

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    实验得到不同温度下应变InGaAs/GaAs量子阱的光伏谱,通过理论计算与实验结果的比较,对各谱峰进行了指认.本文着重考察各样品中11H跃迁的激子谱峰的半宽随温度及阱宽的变化,讨论谱峰展宽机制中的声子关联、混晶组分起伏及界面不平整对线宽的影响.

  • γ-Al_2O_3/Si(100)薄膜高真空MOCVD异质外延生长

    昝育德, 王俊, 韩秀峰, 王玉田, 王维民, 王占国, 林兰英

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(12): 886

    Abstract PDF

    本文作者在自己组装的立式MOCVD设备上,成功地应用高真空生长技术,于1050℃的高温条件下,在硅上外延生长了γ-Al2O3薄膜.从RHEED看到(100)硅上生长的薄膜是(100)立方单晶γ-Al2O3的衍射图样;平移样品,图样并不发生变化.X射线双晶衍射看到,除了硅的(400)峰和(200)峰以外,只在2θ为45°处有一个低而宽的小峰.XPS谱给出氧的1s峰位为532.3eV,Al的2p峰位为75.4eV,将他们与α-Al2O3比较,对应峰位移动了约3.5eV.俄歇谱说明其铝氧组分比近于γ-Al2O3

  • GSMBE GaN膜的电子输运性质研究

    王晓亮, 孙殿照, 孔梅影, 张剑平, 曾一平, 李晋闽, 林兰英

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(12): 890

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    用NH3作氮源的GSMBE方法在晶向为(0001)的α-Al2O3衬底上生长了非有意掺杂的单晶GaN外延膜,GaN膜呈N型导电,室温时的最高迁移率约为120cm2/(V·s),相应的非有意掺杂电子浓度为9.1×1017cm-3.对一些GaN膜进行了变温Hal测试,通过电阻率、背景电子浓度以及Hal迁移率随温度的变化研究了GaN外延膜的导电机理.结果表明,当温度较低时,以电子在施主中心之间的输运导电为主;当温度较高时,以导带中的自由电子导电为主.

  • GSMBE生长掺杂Si及GeSi/Si合金及其电学性质研究

    刘学锋, 刘金平, 李建平, 李灵霄, 孙殿照, 孔梅影, 林兰英

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(12): 896

    Abstract PDF

    用气态源分子束外延法对Si及GeSi/Si合金进行了N、P型掺杂研究,结果表明,杂质在外延层中的掺入行为取决于生长过程中乙硅烷与相关掺杂气体的竞争吸附与脱附过程,所获得的N型及P型载流子浓度范围分别为1.5×1016~4.0×1019cm-3及1.0×1017~2.0×1019cm-3,基于对N型Si外延材料中迁移率与杂质浓度、温度的关系,我们用Klaassen模型对实验结果进行拟合,分析了不同散射机制,特别是少数载流子电离散射对迁移率的影响.此外,样品的二次离子谱及扩展电阻分析表明,N、P型杂质浓度纵向

  • 衬底温度对纳米Si-SiO_x薄膜的结构和组分的影响

    张仕国, 张伟, 袁骏, 樊瑞新

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(12): 903

    Abstract PDF

    本文报道用真空蒸发制备含氧硅薄膜的技术,研究了衬底温度对薄膜结构和组分的影响.实验发现在真空为5×10-3Pa、衬底温度在280~480℃范围内,随着温度的提高,薄膜由非晶、转化为纳米晶体、再转化为多晶,氧含量也随着温度的提高而增加,这可能是由硅原子在生长表面迁移率的增加和氧化速率的提高所致

  • 自动张量低能电子衍射对GaAs(-1-1-1)-(2×2)表面结构的研究

    邓丙成, 徐耕, 余招贤

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(12): 908

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    本文通过对GaAs(111)-(2×2)表面低能电子衍射(LEED)I-V曲线的分析,首次定量地给出了该表面的复杂结构.结构的主要特征是As三聚体单元吸附在表面T4位置并与下面的As原子相键接,且表面存在较大的表面弛豫.对10个非等价衍射束理论和实验强度曲线之间的比较得到很好的结果.

  • HgCdTe多载流子体系的定量迁移率谱分析

    桂永胜, 郑国珍, 张新昌, 褚君浩

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(12): 913

    Abstract PDF

    本文利用定量迁移率谱分析技术,通过研究样品霍尔系数和电阻率对磁场强度的依赖关系,获得了样品中参与导电的电子和空穴的浓度和迁移率,结果表明了定量迁移率谱分析方法具有很高的准确性和可靠性,并且它对样品中少子的贡献非常敏感.该方法可以成为一种分析半导体材料和器件的电学特性常规的测试手段

  • 适用于MPEG2标准的二种VLSI模块设计

    叶波, 俞颖, 章倩苓

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(12): 919

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    本文提出了MPEG2视频解码器主要功能模块的专用VLSI结构.其中包括一种新的适用于MPEG2标准的IDCT实现方法,对于8点一维IDCT,只用7个变量乘常系数乘法器和10个加/减法器,在4个时钟周期内能处理完8点数据;通过合理分配画面存储结构,提出了一种新的流水线的运动补偿预测结构.用VHDL语言进行仿真,并用1.0μmCMOS单元库进行综合,满足MPEG2MP@ML视频解码的实时处理要求

  • 单片集成低通波数字滤波器

    李天望, 王晓悦, 晁英伟, 洪志良

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(12): 927

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    本文报告了采用硬件复用技术集成的波数字低通滤波器,其中所有的加、减法和乘法都在一个带超前进位链的ALU单元上分时进行.采用全定制方式进行版图设计,并用3μmCMOS工艺(单层金属)进行流片,芯片面积为6.12mm×5.28mm,测试结果表明,该滤波器的通带纹波系数小于0.00007dB,阻带衰减大于112dB.

  • 凹陷沟道SOI器件的实验研究

    张兴, 王阳元

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(12): 931

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    本文较为详细地描述了凹陷沟道SOI器件的结构和工艺制造技术,采用凹陷沟道技术制备的SOI器件的性能明显优于常规厚膜部分耗尽和常规薄膜全耗尽SOI器件的性能.采用该技术已成功地研制出沟道区硅膜厚度为70nm、源漏区硅膜厚度为160nm、有效沟道长度为0.15~4.0μm的高性能凹陷沟道SOIMOSFET,它与常规薄膜全耗尽SOIMOSFET相比,跨导及饱和漏电流分别提高了约40%.

  • 多孔硅对硅中缺陷的吸除效应

    黄宜平, 竺士炀, 包宗明, 何奕, 钟回周, 吴东平

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(12): 936

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    研究了在硅片背面采用阳极化方法形成的多孔硅层对硅片中浅底蚀坑和氧化层错的吸除效应.结果表明,该多孔硅层对硅中的缺陷形成有明显的吸除作用.采用XTEM分析了多孔硅和衬底硅之间的界面特性,发现在界面处存在一个“树枝”状无序结构的过渡区,分析认为该过渡区是一个吸除中心

  • 开管镓扩散系统的研究及在电力半导体器件中的应用

    裴素华, 薛成山, 赵善麒

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(12): 940

    Abstract PDF

    探讨了一种新颖开管扩镓系统的基本原理和实施方法,用于各类晶闸管的制造,使器件具有触发参数一致性好,通态特性优良,dv/dt、di/dt耐量高等特点.实践证明,该系统是一项值得在电力半导体器件制造行业推广的新工艺

  • Application of Low and Ultra-Low Pressure Reverse Osmosis Membranes to Water Treatment

    Wen, Ruimei

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(12): 945

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    Itiswelknownthatreverseosmosis(RO)isapressure-drivenprocessofwaterflowingacrossasemipermeablemembranefromthesolu...

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