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Volume 19, Issue 4, Apr 1998

    CONTENTS

  • (001)GaAs衬底上异质外延的立方GaN薄膜与界面

    顾彪, 徐茵, 孙凯, 秦福文

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(4): 241

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    用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学气相沉积(ECR-PAMOCVD)法,在低温条件下,在(001)GaAs衬底上异质外延,生长了立方晶GaN薄膜.高分辩电镜(HREM)观测与X射线衍射(XRD)测量结果表明:GaN薄膜具有典型的闪锌矿结构;三种方法测得其晶格常数为0.451~0.457nm;在GaN/GaAs界面处的生长模式为异质外延;GaN薄膜中的位错主要为堆垛层错与刃形位错;随着远离界面,GaN中位错密度与镶嵌组织迅速减少.

  • Be基Ⅱ-Ⅵ族宽带四元合金的晶格参数与带隙参数

    王善忠, 何力, 沈学础

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(4): 245

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    分析了三元合金bowing参数的计算公式,指出Z值应当为替换原子的价电子数;通过与实验值的比较,将三元合金分为共阳离子型和共阴离子型两类;对共阳离子体系忽略库仑屏蔽作用,库仑屏蔽参数Scr取零,对共阴离子体系具有较强的屏蔽作用,Scr取0.30.用二元化合物的晶格常数、带隙参数插值计算获得了三元合金的晶格常数、带隙参数.用三元合金的晶格常数、带隙参数插值获得了四元合金的晶格常数、带隙参数,直观地给出了带隙、晶格常数与组分的关系.本文同时修正了A1-x-yBxCyD型四元合金带隙的计算公式.

  • Si(5,5,12)——一个大元胞的稳定表面

    邢益荣, 胡晓明

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(4): 254

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    利用常规的LEED和高分辨率的SPA-LEED技术研究了标称(337)的Si表面原子结构.经过反复的离子轰击(700eVAr+)和1300K退火之后的这种表面形成稳定的(5,5,12)晶面,即结构周期为(337)+(225)+(337)的有序的原子排列.这一事实说明:Si(5,5,12)是比Si(337)更为稳定的晶面.LEED和SPA-LEED图像证实,稳定的Si(5,5,12)表面为(2×1)原子再构,即沿[110]方向的周期是体内结构周期的两倍,而沿[665]方向的周期与体内结构周期相同.

  • 不同偏置电压下SiGe HBT Early电压的理论研究

    钱伟, 金晓军, 张炯, 林惠旺, 陈培毅, 钱佩信

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(4): 261

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    Early电压VA和直流增益β是双极器件在模拟电路中应用的重要参数,本文研究了在器件不发生大注入效应和雪崩倍增效应的条件下,SiGeHBT中基区Ge含量以及VCE对器件的Early电压VA的影响,并用数值计算的方法得到了在其它参数相同的情况下,器件的Early电压VA随基区中Ge含量和偏置电压VCE的变化规律,表明Early电压VA是随VCE和Ge含量的增加而增加的.这些结果对SiGeHBT在模拟集成电路中的设计和应用提供了指导.

  • 半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量

    王玉田, 陈诺夫, 何宏家, 林兰英

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(4): 267

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    本文利用X射线双晶衍射Bond方法,精确测量了各种条件下生长的半绝缘GaAs的晶格参数.建立了过量As在晶体中存在的间隙原子对模型,在理论上找到了影响半绝缘GaAs晶格参数的根本原因.并建立了半绝缘GaAs晶格参数与化学配比的关系,实现了化学配比的无损测量.这对于GaAs单晶的制备和相关光电子器件的研究具有重要意义.

  • CdZnTe晶片中Te沉淀相的观察与研究

    朱基千, 褚君浩, 张小平, 李标, 程继健

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(4): 275

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    用透射电子显微镜、红外显微镜、红外光谱及差示扫描量热法观察研究了CdZnTe晶体中的Te沉淀相.讨论了CdZnTe晶体中的Te沉淀/夹杂的成因和区别,及其对红外透射比的影响;CdZnTe晶体的红外透射光谱和差示扫描量热法结果表明,当晶体中Te沉淀相含量(wTe)大于0.6wt%时,其红外透射比低于55%,并随wTe值的增大而下降;此结果可用Ⅱ-Ⅵ族半导体价带内光吸收机制解释.

  • 深亚微米薄层SOI/MOSFET’s热载流子效应分析

    曹建民, 吴传良, 沈文正, 黄敞

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(4): 280

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    本文从二维模拟热载流子注入电流入手,讨论了不同硅层厚度、栅氧厚度和掺杂浓度对薄层深亚微米SOI/MOSFET’s热载流子效应的影响.模拟结果表明,对于不同的硅层厚度,沟道前表面漏结处的载流子浓度对热载流子效应起着不同的作用,有时甚至是决定性的作用.沟道前表面漏结处的载流子浓度和沟道最大电场一样,是影响薄层SOI/MOSFET’s热载流子效应的重要因素,这也就解释了以往文献中,随着硅层减薄,沟道电场增大,热载流子效应反而减小的矛盾.模拟也显示了在一定的硅层厚度变化范围内(60~100nm),器件热载流子效应

  • 反向关态电流在热载流子蜕变效应研究中的应用

    张炯, 李瑞伟, 钱伟

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(4): 287

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    本文研究了nMOSFET’s器件的反向关态电流(Iofr)特性.我们发现,刚受过热载流子应力的器件Iofr呈现一个突然的增高,而在随后的一段时间里(我们定义其为弛豫时间)又呈指数下降,这一现象是由于在热载流子应力过程中注入的热空穴的消散造成的.所以我们认为Iofr不但可以作为热空穴注入的有力证据,而且可以作为热空穴研究的有效手段.

  • 一种用于模式识别的新型多功能开关电流模糊处理器

    林谷, 石秉学

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(4): 291

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    本文首次提出了一种用于模式识别的新型多功能开关电流模糊处理器.该模糊处理器不仅可以求出最大综合隶属度相应的标准模式,而且可以按综合隶属度大小的顺序依次输出综合隶属度以及相应的标准模式,这将十分有利于系统性能的改善.该处理器可以进行绝对拒识和相对拒识的判断,大大提高了系统的可靠性.另外,为了提高该处理器的自适应能力,将综合函数中的权重设计为可调节的.PSPICE模拟结果表明该处理器具有高精度、高分辨率等特点.在电路上,该处理器结构简单、灵活,模块化的设计使处理器的规模易于扩展.同开关电容技术相比,开关电流技

  • 用显微喇曼扫描成像(mapping)法测集成电路中CoSi_2电极引起的应力

    李碧波, 黄福敏, 张树霖, 高玉芝, 张利春

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(4): 299

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    本文用显微喇曼光谱方法,在μm尺度上对集成电路中由多晶硅衬底上生长CoSi2所引起的应力进行了测量,并对这种应力的类型和大小与含有CoSi2的电路结构间的关系做了研究.结果表明,CoSi2所引起的应力为压应力,其大小随着面积的减小而增大,在边界处的应力与CoSi2区域中心处的应力类型相反,数值大一倍.

  • 性能驱动系统划分的均场退火方法

    胡卫明, 何厚武, 严晓浪

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(4): 304

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    本文通过把时延约束条件转化为一个布尔矩阵,利用这个布尔矩阵构造能量函数的时延约束项,从而解决了用神经网络处理时延约束这类不等式约束的难题,并据此提出了一个性能驱动的VLSI系统划分的均场退火算法.算法不仅考虑了模块间的连接关系,还考虑了版图的物理结构,是一种逻辑与版图相结合的划分方法.实验表明,该算法具有较强的寻优能力

  • 三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化

    牛智川, 周增圻, 韩勤, 吴荣汉

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(4): 311

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    本文首次报道了在腐蚀图形的(311)A衬底上,一种新型三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化研究.原子力显微镜三维图象清晰地显示出在原腐蚀凹面图形之间的平面区域,MBE选择性生长形成了均匀的三角形收缩结构,其尖角沿[233]方向,收缩面由对称的{111}A面构成.低温阴极荧光谱和图象测试研究结果表明:这种点状外延结构存在三个分离的荧光发射区域,分别对应于三个不同的激发光波长.说明这种点结构中量子阱层厚度的变化引入了量子阱限制能量的横向变化.低温微区光致发光谱测试得到高度可分辨的三个发光峰

  • S_2Cl_2钝化的GaAs表面的同步辐射光电子能谱研究

    胡海天, 丁训民, 袁泽亮, 李哲深, 曹先安, 侯晓远, 陆尔东, 徐世红, 徐彭寿, 张新夷

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(4): 316

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    前已发现,将GaAs(100)晶片浸入S2Cl2或S2Cl2+CCl4溶液是实现GaAs表面钝化的一种有效途径.用同步辐射光电子能谱研究这种表面能直接测量S2p芯能级谱,从而揭示,在浸泡后的表面存在多种形态的含硫化合物.AsxSy是其中的主要成分,但轻度退火就能去除.随着退火过程中S原子从As-S转移到Ga-S,Ga3d谱中始终出现两个与Ga-S相关的分量,表明稳定的钝化同表面Ga-S键的存在联系在一起

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