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Volume 20, Issue 12, Dec 1999

    CONTENTS

  • GSMBE原位生长SiGeHBT材料

    黄大定, 刘金平, 李建平, 林燕霞, 刘学锋, 李灵霄, 孙殿照, 孔梅影, 林兰英

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1049

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    采用GSMBE工艺生长的单晶SiGeHBT结构材料,经X射线双晶衍射,透射电镜和扩展电阻深度分布测量说明:该材料晶体完整性好,无应力弛豫,界面平整陡峭.发射区N型掺杂浓度2e19~1e20cm-3,厚度100~200nm;基区SiGe合金Ge组分0.05~0.20,P型掺杂浓度5e18cm-3,厚度40~100nm;集电极浓度~1e16cm-3.达到了生长SiGeHBT材料的条件.

  • 生长温度对长波长InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长的影响

    陈博, 王圩

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1054

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    研究不同生长温度下的InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长,用光致发光和X射线双晶衍射等测试手段分析了其材料特性,得到了室温脉冲激射1.3μmAlGaInAs有源区SCH-MQW结构材料,为器件制作研究打下了基础.

  • Cd Zn Te晶体中位错分布特性研究

    顾惠明, 杨建荣, 陈新强, 何力

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1059

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    用Everson腐蚀剂对CdZnTe材料的位错进行了腐蚀显示和观察,并对产生的腐蚀坑密度(EPD)进行了统计分析,结果发现在同一样品表面不同位置上或在同一晶锭中不同区域内的位错密度分布都满足修正的瑞利分布.根据这一分布规律,从理论上得到了如何正确计算CdZnTe材料EPD值的抽样检查方法,并就这一分布规律对材料性能及其探测器光敏元大小选取的影响进行了讨论.

  • 硅中的氮氧复合物及其施主行为

    刘培东, 张锦心, 李立本, 阙端麟

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1064

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    含氮CZ硅的电学性能完全有别于含氮的FZ硅和无氮的CZ硅,研究表明,含氮CZ硅能形成一种与氮有关的新施主,它随氮氧复合物的形成而形成,随氮氧复合物的消失而消失.文章进一步研究了氮—新施主的结构模型,并对氮—新施主的形成和消除与热处理条件的关系进行了探讨.

  • O76mm智能剥离SOI材料的制备及其表面缺陷的分析

    竺士炀, 黄宜平, 李爱珍, 吴东平, 王瑾, 茹国平, 包宗明

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1071

    Abstract PDF

    结合硅片低温键合和中等剂量的氢离子注入,用智能剥离技术(Smart-cut○R)成功地制备了76mm的SOI材料.用原子力显微镜(AFM)测得表面粗糙度约为7nm,比普通的抛光硅片约大一个数量级.SOI上层硅膜存在表面缺陷,包括未转移区和气泡等,这是由剥离前硅片键合界面存在的空洞引起.通过改进低温键合工艺,提高键合质量,可得到基本无宏观表面缺陷的SOI材料.

  • 一种新型的MOS栅控晶体管——MOSGCT

    刘海涛, 陈启秀, 白玉明

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1075

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    提出了一种新型的MOS栅控晶体管——MOSGCT。该结构在DMOS的一侧引入一个NPN晶体管,使之在正向时具有DMOS与NPN双极晶体管的混合特性,在关断时具有与DMOS相似的快速关断性。对耐压600V的MOSGCT进行二维数值分析,其结果表明MOS-GCT的电流密度比DMOS提高45%,且关断时间小于100ns

  • 一种单锁存器CMOS静态D触发器的设计

    莫凡, 俞军, 章倩苓

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1081

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    提出了一种只使用单锁存器的CMOS静态D触发器结构.由于它比普通的主从型D触发器少一个锁存器,故所需的管子数少,从而节省了面积.该单锁存器型D触发器还具有对时钟上升时间不敏感的优点

  • 热载流子应力感应n-MOSFETsGIDL特性退化的机理

    徐静平, 黎沛涛

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1087

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    对不同栅氧化物n-MOSFETs的GIDL(Gate-InducedDrainLeakage)特性在不同热载流子应力下的退化行为进行了研究.发现GIDL的漂移对栅电压十分敏感,在VG=0.5VD的应力条件下呈现最大.通过对漏极附近二维电场及载流子分布的模拟,引入“亚界面陷阱”概念,对所涉及的机理提出了新见解,认为:在应力期间,亚界面和体氧化物空穴陷阱的解陷分别相应于VG=0.5VD和VG=VD两种典型应力下GIDL的漂移.实验还观察到N2O氮化,特别是N2O退火NH3氮化的n-MOSFETs比常规热氧化n

  • 背栅效应对GaAsMESFETV_(th)均匀性的影响

    刘汝萍, 赵建龙, 夏冠群, 吴剑萍, 顾成余, 詹琰

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1093

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    研究了背栅效应对全平面选择离子注入自隔离GaAsMESFET的阈值电压及其均匀性的影响.结果表明,背栅效应使GaAsMESFET的阈值电压绝对值变小,均匀性变差.

  • 1.55μm波段低偏振灵敏度半导体光放大器

    段子刚, 黄格凡, 张哲民, 刘德明, 黄德修

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1098

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    研制了1.55μm波段低偏振灵敏度的半导体光放大器(SOA).其有源区材料采用张应变和压应变交替排列的混合应变量子阱结构,由MOCVD生长.张应变量子阱加强了TM模式的增益,改善了SOA的偏振灵敏度.腔长为400μm的单端耦合SOA,在160mA偏置下,增益大于16dB,偏振灵敏度约为1.8dB.

  • 交叉增益调制型全光波长转换器频响特性的小信号分析

    孙军强, 黄德修, 易河清

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1102

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    对基于半导体光放大器交叉增益调制型全光波长转换器的频响特性作了理论分析,并获得了反映注入光参数对波长转换频响特性影响的解析表达式.数值结果表明,波长转换的频率响应带宽依赖于光放大器驱动电流、注入光波导的光功率以及转换波长间隔

  • ECR Plasma CVD淀积介质膜折射率的神经网络模拟

    李玉鉴, 谭满清, 茅冬生, 陆建祖

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1109

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    用人工神经网络方法对电子回旋共振等离子法化学气相沉积(ECRPlasmaCVD)镀膜工艺建立了一个介质膜折射率n关于气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)的数学模型.在给定气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)时模型预测的成膜折射率与实验值符合得很好.

  • 性能驱动的多层布线有约束分层及其神经网络求解方法

    胡卫明, 严晓浪

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1115

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    介绍了性能驱动多层布线有约束分层的思想,给出了相应的形式化描述,提出了一种神经网络求解算法.算法以通孔最少为优化目标,以通孔能够连接任意两层之间的线段、不同线网的线段不能在同一层上相交和一线网的通孔不能在它所穿过的层上与其它线网相交为约束条件.算法通过换位矩阵把问题映射为神经网络,并建立了问题的能量函数,再用均场退火方程迭代求解.每条线段只能分配到一层上的约束用神经元归一化的方法处理.另外,算法不仅还能够考虑线网的时延关键性,以进一步减少系统时间延迟,而且还可以防止相互串扰的线网分在同一层上.

  • Ultralow Threshold Lasing in InGaAs/InGaAs PMQ WMicrodisk Laser

    Ning Yongqiang, Wu Shengli,Wang Lijun, Lin Jiuling, Fu Dehui, Liu Yun, Wu Dongjiang, Zhao Jiamin), Liu Xingyuan, Jin Yix

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1122

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    Withtheadvanceofsemiconductornanofabricationtechniqueandtheneedforultra-largescaleintegratedopticalelectronicdevices,microcav...

  • Fluorescence Properties of Cd(OH)_2-activated CdSandCuS-coated CdSNanocry stals

    Chen Hongming, Huang Xinfan, Xu Ling, He Yong, Chen Kunji

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1125

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    Recently,thestudyonthecharacterizationofthesemiconductornanocrystalspre-paredbysol-gelmethodhasbeenmadeincludin...

  • 测量半导体中少子漂移迁移率和扩散长度的新方法

    李言谨, 方家熊

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1129

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    根据少子衰退的加速度分布,提出了一种测量半导体中少子漂移迁移率的新方法.实测了窄禁带半导体碲镉汞的少子迁移率和扩散长度.

  • 硫化压力对FeS_2薄膜结构和光学性能的影响

    徐文雷, 孟亮, 刘茂森

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1132

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    通过磁控溅射法制备纯Fe膜,再在S气氛中用热硫化法使其转变成为多晶FeS2薄膜,硫化压力分别为40、60、80和100kPa,并研究了硫化压力对FeS2薄膜的结构和光学性能的影响.研究发现,在80kPa条件下,结晶状况达到最佳,光吸收系数较高,禁带宽度可达到0.9eV.

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