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采用ＧＳＭＢＥ工艺生长的单晶ＳｉＧｅＨＢＴ结构材料，经Ｘ射线双晶衍射，透射电镜和扩展电阻深度分布测量说明：该材料晶体完整性好，无应力弛豫，界面平整陡峭．发射区Ｎ型掺杂浓度２e１９～１e２０ｃｍ－３，厚度１００～２００ｎｍ；基区ＳｉＧｅ合金Ｇｅ组分０．０５～０．２０，Ｐ型掺杂浓度５e１８ｃｍ－３，厚度４０～１００ｎｍ；集电极浓度～１e１６ｃｍ－３．达到了生长ＳｉＧｅＨＢＴ材料的条件．

研究不同生长温度下的ＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ材料ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长，用光致发光和Ｘ射线双晶衍射等测试手段分析了其材料特性，得到了室温脉冲激射１．３μｍＡｌＧａＩｎＡｓ有源区ＳＣＨ－ＭＱＷ结构材料，为器件制作研究打下了基础．

用Ｅｖｅｒｓｏｎ腐蚀剂对ＣｄＺｎＴｅ材料的位错进行了腐蚀显示和观察，并对产生的腐蚀坑密度（ＥＰＤ）进行了统计分析，结果发现在同一样品表面不同位置上或在同一晶锭中不同区域内的位错密度分布都满足修正的瑞利分布．根据这一分布规律，从理论上得到了如何正确计算ＣｄＺｎＴｅ材料ＥＰＤ值的抽样检查方法，并就这一分布规律对材料性能及其探测器光敏元大小选取的影响进行了讨论．

含氮ＣＺ硅的电学性能完全有别于含氮的ＦＺ硅和无氮的ＣＺ硅，研究表明，含氮ＣＺ硅能形成一种与氮有关的新施主，它随氮氧复合物的形成而形成，随氮氧复合物的消失而消失．文章进一步研究了氮—新施主的结构模型，并对氮—新施主的形成和消除与热处理条件的关系进行了探讨．

结合硅片低温键合和中等剂量的氢离子注入，用智能剥离技术（Ｓｍａｒｔ－ｃｕｔ○Ｒ）成功地制备了７６ｍｍ的ＳＯＩ材料．用原子力显微镜（ＡＦＭ）测得表面粗糙度约为７ｎｍ，比普通的抛光硅片约大一个数量级．ＳＯＩ上层硅膜存在表面缺陷，包括未转移区和气泡等，这是由剥离前硅片键合界面存在的空洞引起．通过改进低温键合工艺，提高键合质量，可得到基本无宏观表面缺陷的ＳＯＩ材料．

提出了一种新型的ＭＯＳ栅控晶体管——ＭＯＳＧＣＴ。该结构在ＤＭＯＳ的一侧引入一个ＮＰＮ晶体管，使之在正向时具有ＤＭＯＳ与ＮＰＮ双极晶体管的混合特性，在关断时具有与ＤＭＯＳ相似的快速关断性。对耐压６００Ｖ的ＭＯＳＧＣＴ进行二维数值分析，其结果表明ＭＯＳ－ＧＣＴ的电流密度比ＤＭＯＳ提高４５％，且关断时间小于１００ｎｓ

提出了一种只使用单锁存器的ＣＭＯＳ静态Ｄ触发器结构．由于它比普通的主从型Ｄ触发器少一个锁存器，故所需的管子数少，从而节省了面积．该单锁存器型Ｄ触发器还具有对时钟上升时间不敏感的优点

对不同栅氧化物ｎ－ＭＯＳＦＥＴｓ的ＧＩＤＬ（Ｇａｔｅ－ＩｎｄｕｃｅｄＤｒａｉｎＬｅａｋａｇｅ）特性在不同热载流子应力下的退化行为进行了研究．发现ＧＩＤＬ的漂移对栅电压十分敏感，在ＶＧ＝０．５ＶＤ的应力条件下呈现最大．通过对漏极附近二维电场及载流子分布的模拟，引入“亚界面陷阱”概念，对所涉及的机理提出了新见解，认为：在应力期间，亚界面和体氧化物空穴陷阱的解陷分别相应于ＶＧ＝０．５ＶＤ和ＶＧ＝ＶＤ两种典型应力下ＧＩＤＬ的漂移．实验还观察到Ｎ２Ｏ氮化，特别是Ｎ２Ｏ退火ＮＨ３氮化的ｎ－ＭＯＳＦＥＴｓ比常规热氧化ｎ

研究了背栅效应对全平面选择离子注入自隔离ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的阈值电压及其均匀性的影响．结果表明，背栅效应使ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的阈值电压绝对值变小，均匀性变差．

研制了１．５５μｍ波段低偏振灵敏度的半导体光放大器（ＳＯＡ）．其有源区材料采用张应变和压应变交替排列的混合应变量子阱结构，由ＭＯＣＶＤ生长．张应变量子阱加强了ＴＭ模式的增益，改善了ＳＯＡ的偏振灵敏度．腔长为４００μｍ的单端耦合ＳＯＡ，在１６０ｍＡ偏置下，增益大于１６ｄＢ，偏振灵敏度约为１．８ｄＢ．

对基于半导体光放大器交叉增益调制型全光波长转换器的频响特性作了理论分析，并获得了反映注入光参数对波长转换频响特性影响的解析表达式．数值结果表明，波长转换的频率响应带宽依赖于光放大器驱动电流、注入光波导的光功率以及转换波长间隔

用人工神经网络方法对电子回旋共振等离子法化学气相沉积（ＥＣＲＰｌａｓｍａＣＶＤ）镀膜工艺建立了一个介质膜折射率ｎ关于气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）的数学模型．在给定气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）时模型预测的成膜折射率与实验值符合得很好．

介绍了性能驱动多层布线有约束分层的思想，给出了相应的形式化描述，提出了一种神经网络求解算法．算法以通孔最少为优化目标，以通孔能够连接任意两层之间的线段、不同线网的线段不能在同一层上相交和一线网的通孔不能在它所穿过的层上与其它线网相交为约束条件．算法通过换位矩阵把问题映射为神经网络，并建立了问题的能量函数，再用均场退火方程迭代求解．每条线段只能分配到一层上的约束用神经元归一化的方法处理．另外，算法不仅还能够考虑线网的时延关键性，以进一步减少系统时间延迟，而且还可以防止相互串扰的线网分在同一层上．

Ｗｉｔｈｔｈｅａｄｖａｎｃｅｏｆｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｎａｎｏｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎｔｅｃｈｎｉｑｕｅａｎｄｔｈｅｎｅｅｄｆｏｒｕｌｔｒａ－ｌａｒｇｅｓｃａｌｅｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｏｐｔｉｃａｌｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｄｅｖｉｃｅｓ，ｍｉｃｒｏｃａｖ...

Ｒｅｃｅｎｔｌｙ，ｔｈｅｓｔｕｄｙｏｎｔｈｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆｔｈｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓｐｒｅ－ｐａｒｅｄｂｙｓｏｌ－ｇｅｌｍｅｔｈｏｄｈａｓｂｅｅｎｍａｄｅｉｎｃｌｕｄｉｎ...

根据少子衰退的加速度分布，提出了一种测量半导体中少子漂移迁移率的新方法．实测了窄禁带半导体碲镉汞的少子迁移率和扩散长度．

通过磁控溅射法制备纯Ｆｅ膜，再在Ｓ气氛中用热硫化法使其转变成为多晶ＦｅＳ２薄膜，硫化压力分别为４０、６０、８０和１００ｋＰａ，并研究了硫化压力对ＦｅＳ２薄膜的结构和光学性能的影响．研究发现，在８０ｋＰａ条件下，结晶状况达到最佳，光吸收系数较高，禁带宽度可达到０．９ｅＶ．