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Volume 20, Issue 9, Sep 1999

    CONTENTS

  • Ge_(0.4)Si_(0.6)/Si多量子阱与Ge/Si短周期超晶格样品中的深中心

    王海龙, 司俊杰, 封松林

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(9): 737

    Abstract PDF

    用深能级瞬态谱(DLTS)研究了分子束外延生长的Ge0.4Si0.6/Si多量子阱与Ge/Si应变超晶格样品中深能级中心的性质.在两种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少数载流子中心.在Ge0.4Si0.6/Si多量子阱样品中深中心E2的能级位置为EC-0.30eV,E3的能级位置为EC-0.22eV.并且在正向注入下随着E2峰的消失观测到一个少数载流子峰SH1,其能级位置为EV+0.68eV.在Ge/Si应变超晶格中,深中心H1的能级位置为EV+0.44eV,深中心H2的能级位置为EV+0.24eV

  • n-Ge中单峰型反常霍尔效应的理论研究

    姜坤, 姜伟

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(9): 745

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    理论分析表明不同于n-Ge中双反转型和凹陷型反常霍尔效应,n-Ge中的单峰型反常霍尔效应是由于样品中的反型区形成一逾渗集团.在此基础上的定量计算结果与Konorova的实验结果相当一致

  • 一个Ga_(1-x)Al_xAs的折射率模型

    孔军, 张文俊, 杨之廉

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(9): 748

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    我们开发了一个高纯Ga1-xAlxAs的室温折射率模型,适用于直接禁带以上和以下部分,并在禁带处连续.对与1.2和1.8eV之间的能量的光子,模型与实验符合得很好.该模型也可推广到GaInAsP等其它半导体材料

  • Closed Analytical Solution of Breakdown Voltage for Planar Junction and Lateral Curvature Effect

    He Jin, Wang Xin, Chen Xingbi

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(9): 753

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    Itiswellknownthatthebreakdownvoltageforaplanarjunctiondependsontheradiioftheedgeandofthecornerstoagreatextent.B...

  • 用改进的气相物理输运法制备高品位CdTe单晶

    杨柏梁, 石川幸雄, 一色实

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(9): 759

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    以超高纯Te和重复区熔法获得的超高纯Cd为原料,用改进的气相物理输运法制备了高质量的CdTe单晶.改进的PVT有效地抑制了生长安瓶封装时产生的原料氧化和沾污,提高了生长速率和稳定性.利用电子回旋共振,光致发光等方法的测试结果表明,所获得的高品位CdTe单晶的中性施主杂质浓度仅为5e14cm-3,4.2K下电子回旋迁移率高达2.5e5cm2/(V·s).

  • 红外半导体材料HgMnTe的缺陷腐蚀

    李宇杰, 刘晓华, 介万奇

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(9): 765

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    窄禁带、含Hg的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶体的电性能受缺陷影响很大,蚀坑密度又是缺陷电学性质研究中重要的相关参数.本文从腐蚀机理出发,研究了HgMnTe的腐蚀工艺,探索出一种适合于HgMnTe的腐蚀液.从实验结果来看,该腐蚀液可显示不同晶面上的多种缺陷,如位错、晶界、孪晶、杂质和沉淀等,而且腐蚀质量高.以此为基础,我们还分析了ACRT和Bridgman两种方法生长的HgMnTe晶体中缺陷的形貌特点及分布情况

  • 低压应用中的SOI栅控混合管的设计考虑

    黄如, 杨兵, 王阳元

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(9): 770

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    本文采用数值模拟方法,在考虑短沟效应、开态电流、关态电流和开路电压增益等因素的基础上,首次给出GCHT低压工作下(0.8V)的设计容区图,清晰地反映了各效应对参数要求的矛盾折中,为器件设计提供了理论依据,也为合理开发深亚微米工艺指明了方向.本文采用的数据处理方法同时可用于针对成熟工艺线的实际器件与电路设计

  • LDMOS晶体管新型器件结构的耐压分析

    唐本奇, 罗晋生, 耿斌, 李国政

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(9): 776

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    本文提出了一种新型的内置FR/JTE横向DMOS结构,并对其进行了耐压分析,结果表明,该结构具有与RESURF器件相媲美的击穿电压,并且工艺简单,受工艺参数波动的影响较小,相对于内场限环结构,其耐压高且导通电阻低,因而不失为一种较为实用的提高横向功率器件耐压的新途径

  • 氮生长掺杂和离子注入掺杂CVD金刚石薄膜的场电子发射

    邵乐喜, 谢二庆, 路永刚, 贺德衍, 陈光华

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(9): 780

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    本文研究了氮生长掺杂和离子注入掺杂金刚石薄膜的场电子发射性能.测试结果表明,两类样品均显示良好的发射性能,即开启电压低(50~150V)、发射电流大(6~30mA),但它们有不同的发射行为:注入掺杂样品存在发射电流的饱和与滞后、开启电压的前移现象,而生长掺杂样品的发射符合Fowler-Nordheim理论.实验还得到了用于生长场发射阴极薄膜的最佳掺杂氮碳流量比为~42%.

  • 电可擦除存储器单元的模型

    洪志良, 韩兴成, 李兴仁, 付志军, 黄震, 束克留

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(9): 786

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    本文采用绝大多数模拟器中已有模型的器件建立EEPROM单元器件的等效电路的模型,利用本模型对EEPROM单元的擦、写、读进行了任意组合的瞬态模拟,论文用实例验证了模型的正确性

  • 红外探测器微结构的HREM观察

    刘峥, 邵贝羚, 刘安生, 王敬, 王瑞忠, 钱佩信

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(9): 792

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    采用定位横断面制样的高分辨电子显微技术(HREM)观察了P+-Si0.65Ge0.35/P-Si异质结内光发射红外探测器的微结构.该器件光敏区是由3层P+-Si0.65Ge0.35和2层UD-Si(未掺杂硅)组成,Si0.65Ge0.35/UD-Si层间界面不明锐,有一个由于Ge原子不均匀扩散造成的过渡带.这个过渡带缓和了界面的失配应力,因而未观察到界面晶体缺陷和严重的晶格畸变.在光敏区边缘有呈倒三角形的缺陷区,缺陷的主要类型为层错和微孪晶.层错在(1 11)面上,而微孪晶的厚度约为2~4晶面间距,其孪晶

  • 用神经网络求解时延、功耗和连线三重驱动的布局问题

    胡卫明, 李翠超, 朱育松, 严晓浪

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(9): 797

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    本文应用Kohonen自组织神经网络求解时延、功耗和连线三重驱动的门阵列布局问题.算法用自组织学习算法和分配算法确定关键单元的位置,用迭代改善的方法确定非关键单元的位置,从而获得关键线网最短、散热大的单元离得尽可能远并且单元连线总长尽可能短的布局.本文还介绍了面向线网和功耗的样本矢量的概念,与面向单元的样本矢量相比,面向线网和功耗的样本矢量不仅可以直接处理多端线网,而且能够描述时延信息和热信息.实验表明这是一种有效的方法

  • Effects of Sputtering Power on Structural,ElectricalandOpticalPropertiesof Indium -tin-oxide Thin Film s

    Wang Zhongchun, Chen Jiefeng, Hu Xingfang

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(9): 804

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    Indiumtinoxide,commonlyreferredtoasITO,isawidebandgap,degeneraten-typesemiconductor.Intheformofthinfilm,ithaswi...

  • In/AuGeNi/Ag/Au Metallization Ohm ic Contacts onn-type GaAs

    Chen Jun, Liu Xunchun

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(9): 811

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    Theelectricalpropertyandsurfacemorphologyofmetal-semiconductorcontactsarecriticaltotheperformanceofsemiconducto...

  • A Novel Two-Section Co-Cavity Wavelength Tunable Sem iconductor Laser

    Zhao Yanrui, Wang Wei, Wang Xiaojie, Zhu Hongliang, Zhou Fan, Ma Chaohua

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(9): 816

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    Wavelengthtunablelaserdiodesarepromisinglightsourcesforwavelength-division-multiplexing(WDM)networks,coherentco...

  • 金刚石-铜复合薄膜热沉基底

    董占民, КопанъB C, 谢志刚

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(9): 823

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    本文介绍用CVD法在铜的基底上合成金刚石薄膜,并获得金刚石-铜复合材料的方法,测量了金钢石-铜复合薄膜电阻与温度的关系.得到了类金刚石薄膜的能隙宽度为0.7~2.5eV,多晶金刚石薄膜的禁带宽度为2.6~3.1eV,金刚石-铜复合薄膜的热导率约为铜的2倍

  • 氧化锌半导体薄膜的发光光谱特性

    傅竹西, 林碧霞, 郭常新, 廖桂红

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(9): 827

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    用直流反应溅射方法在Si(100)基片上生长出具有六角晶型的ZnO薄膜.测量了样品的阴极射线发光特性及其与薄膜晶体结构的关系.在所有测量样品中均观察到较强的绿带(520nm)发射,随着薄膜单晶程度的提高,光谱中开始出现蓝带(~450nm),并在类单晶薄膜中看到了强度大于绿带的近紫外谱带(390nm);它的强度随着阴极射线电子束流密度增加而迅速增加.根据ZnO中激子的结合能数据,推测紫带发射来源于ZnO的激子跃迁.实验结果说明,通过改进薄膜的结晶状况可进一步增强ZnO薄膜的短波长发光

  • 带时延约束的FPGA布线算法

    周锋, 童家榕, 唐璞山

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(9): 831

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    基于SRAM编程结构的门海型FPGA连线上的时延较之ASIC来说比较大,连线延迟不可预测.在很多应用中必须对关键路径的时延加以定量限制(包括上限、下限和一组路径的时延差).时延约束的实现需要布图算法来保证.一般时延驱动的布线算法只能定性地优化时延性能,不能满足定量要求.本文提出了高性能FPGA最短路径布线算法,以它为主体的FPGA布线器能全面地考虑各种时延约束,更好地利用布线资源,对其它无时延约束的线网也可进行时延优化,提高整个芯片的性能

  • ECR Plasma CVD法淀积介质膜技术在半导体光电器件中的应用

    茅冬生, 谭满清

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(9): 837

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    电子回旋共振等离子体化学气相淀积(ECRPlasmaCVD)法淀积介质膜技术是制备性能优良的光电子器件光学膜和电介质膜的重要手段之一.本文报道了ECRPlasmaCVD法淀积介质膜的工艺以及介质膜的特性等

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