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Volume 19, Issue 1, Jan 1998
CONTENTS
异质谷间转移电子器件的Monte Carlo模拟研究
薛舫时
Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 1-7
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MOCVD生长MgS薄膜
廖清华, 范广涵, 江风益, 熊传兵, 彭学新, 潘传康
Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 8-11
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ZnSe/ZnCdSe多量子阱激子光学非线性
栗红玉, 申德振, 张吉英, 杨宝均, 范希武
Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 12-15
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半导体InP的高能重离子辐照效应研究
胡新文, 王少阶, 陈志权, 李世清, 侯民东
Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 16-20
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脉冲激光沉积硅基二氧化硅薄膜的蓝光发射
郑祥钦, 郭新立, 廖良生, 刘治国
Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 21-24
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GaAs/AlGaAs近表面单量子阱的光调制光谱研究
刘兴权, 陆卫, 徐文兰, 穆耀明, 陈效双, 马朝晖, 沈学础
Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 25-28
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梯形截面掩埋结构垂直腔面发射半导体激光器的横模控制
张宇生, 赵一广, 陈娓兮
Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 29-37
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单场限环结构击穿电压的表面电荷效应分析
唐本奇, 高玉民, 罗晋生
Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 38-42
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InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器
王健华, 金峰, 俞谦, 孙可, 李德杰, 蔡丽红, 黄绮, 周钧铭, 王玉田, 庄岩
Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 43-48
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化合物半导体禁带宽度和熔点的人工神经网络预报
张兆春, 彭瑞伍, 陈念贻, 郭进
Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 49-53
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功耗和时延双重驱动的VLSI布局算法
孔天明, 洪先龙, 乔长阁
Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 54-60
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Structural Investigation of InGaAs/InP Quantum Wire Array Using Triple-Axis X-ray Diffractometry
马文全, 王玉田, 庄岩, 江德生, 朱洪亮, 张静媛, 段俐宏, 王圩
Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 61-65
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导纳谱研究锗硅单量子阱的退火效应
柯炼, 林峰, 张胜坤, 谌达宇, 陆昉, 王迅
Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 66-771
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阳极氧化对GaAs/AlGaAs量子线荧光的影响
陈效双, 万明芳, 刘兴权, 窦红飞, 陆卫, 沈学础
Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 72-75
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选择腐蚀确定垂直腔面发射激光器生长偏差对模式波长的影响
张益, 潘钟, 杜云, 陈志标, 郑联喜, 吴荣汉
Chin. J. Semicond.  1998, 19(1): 76-80
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