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Volume 15, Issue 11, Nov 1994
Table of Content
CONTENTS
半导体激光器在微波场加热电子变温调制中的增益开关效应
郭长志，陈水莲
Chin. J. Semicond.  1994, 15(11): 727-736
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红外区熔再结晶SOI中形貌缺陷的产生与抑制
张鹏飞，侯东彦，杨景铭，钱佩信，罗台秦
Chin. J. Semicond.  1994, 15(11): 737-740
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GaAs　MESFET大信号瞬态模拟
邓先灿，冯春阳，孙国恩，骆建军
Chin. J. Semicond.  1994, 15(11): 741-746
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GaAs　MESFET正向肖特基结电压温度特性的研究
冯士维，吕长志，丁广钰
Chin. J. Semicond.  1994, 15(11): 747-753
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非晶薄膜晶化的频谱研究
谭辉，陶明德，李彬彬
Chin. J. Semicond.  1994, 15(11): 754-758
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K对H2O在Si（001）表面上吸附的影响
李海洋，范朝阳，徐亚伯
Chin. J. Semicond.  1994, 15(11): 759-761
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在Ｓｉ（００１）－２×１表面上沉积碱金属Ｋ，接着在室温下吸附一定量的Ｈ２Ｏ，光电子谱证明：Ｋ的存在有促进Ｈ２Ｏ分解和使Ｓｉ氧化的作用．但其作用是局域在Ｋ原子附近的．

在Ｓｉ（００１）－２×１表面上沉积碱金属Ｋ，接着在室温下吸附一定量的Ｈ２Ｏ，光电子谱证明：Ｋ的存在有促进Ｈ２Ｏ分解和使Ｓｉ氧化的作用．但其作用是局域在Ｋ原子附近的．
四电极系统P—N结自停止腐蚀研究
徐义刚，王跃林，曾令海，丁纯
Chin. J. Semicond.  1994, 15(11): 762-767
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硅各向异性腐蚀＜110＞条补偿图形腐蚀前沿控制
鲍敏杭，沈绍群，胡澄宇，马青华
Chin. J. Semicond.  1994, 15(11): 768-773
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用激光探针测量半导体器件中的载流子浓度调制效应
江剑平，李艳和，武建平，许知止
Chin. J. Semicond.  1994, 15(11): 774-781
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低温硅双极晶体管的研制与特性分析
郑云光，郭维廉，李树荣
Chin. J. Semicond.  1994, 15(11): 782-789
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离子溅射在GaP极性表面引起的损伤及其消除
卢学坤，侯晓远，丁训民，王迅
Chin. J. Semicond.  1994, 15(11): 790-794
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低温SDB技术研究及硅表面吸附态的影响
焦继伟，陆德仁，王渭源
Chin. J. Semicond.  1994, 15(11): 795-798
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