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Volume 14, Issue 2, Feb 1993
Table of Content
CONTENTS
极性半导体中表面激子的性质
孙宝权, 肖景林
Chin. J. Semicond.  1993, 14(2): 67-75
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CdTe/ZnTe应变量子阱的静压光致发光研究,
李国华, 韩和相, 汪兆平, 李杰, 何力, 袁诗鑫
Chin. J. Semicond.  1993, 14(2): 76-82
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钛在硅浅结互连中引进深能级的研究
李秀琼, 卢励吾, 陈维德
Chin. J. Semicond.  1993, 14(2): 83-87
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AlGaAs/GaAs异质结构外延材料均匀性的电光测量
朱祖华, 丁纯, 丁桂兰, 王硕勤, 沈浩瀛, 彭正夫, 王翠莲
Chin. J. Semicond.  1993, 14(2): 88-93
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隧道谱仪及其应用
陈弘毅
Chin. J. Semicond.  1993, 14(2): 94-102
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AI/W/TiN/AI及AI/W/TiW/AI结构特性研究
武国英, 郝一龙, 徐立, 张国炳, 刘晓华
Chin. J. Semicond.  1993, 14(2): 103-110
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热处理CZ—Si中氧化物沉淀早期发展的研究
栾洪发, 肖治纲, 柯俊
Chin. J. Semicond.  1993, 14(2): 111-117
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Si(111)7×7表面结构的运动学低能电子衍射及数据平均方法的研究
贾金峰, 赵汝光, 杨威生
Chin. J. Semicond.  1993, 14(2): 118-122
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多孔硅光致发光峰值能量随HF浓度变化的台阶行为
张树霖, 侯永田, 何国山, 申猛燕, 钱必东, 刁鹏, 蔡生民
Chin. J. Semicond.  1993, 14(2): 123-127
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短周期(Ge)_n(Si)_n应变超晶格电子结构的自洽赝势计算
范卫军, 顾宗权
Chin. J. Semicond.  1993, 14(2): 128-131
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