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Volume 1, Issue 1, Jan 1980
Table of Content
CONTENTS
多声子复合理论中绝热近似是否失效的问题
黄昆
Chin. J. Semicond.  1980, 1(1): 1-5
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低压化学蒸汽淀积(LPCVD)的计算机模拟
王季陶
Chin. J. Semicond.  1980, 1(1): 6-15
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用简并双模腔测量微波霍耳迁移率
魏策军, Dr.W.Bauhofer, 周洁, 张执中
Chin. J. Semicond.  1980, 1(1): 16-25
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非均匀掺杂P-型GaAs红外等离子体反射光谱的计算
陈娓兮, 李国华, 钮金真, 郭长志
Chin. J. Semicond.  1980, 1(1): 26-36
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一种显示N~+-GaAs多种缺陷的阳极腐蚀法
曹福年
Chin. J. Semicond.  1980, 1(1): 37-42
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GaAs-AlGaAs双异质结(DH)外延片的位错检测
彭怀德
Chin. J. Semicond.  1980, 1(1): 43-45
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AlGaAs-GaAs DH激光器退化特性及P-I特性
王启明, 庄婉如
Chin. J. Semicond.  1980, 1(1): 46-53
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高速ECL256字×1位随机存储器
张敏, 陈业新, 杨华丽, 罗杏珍
Chin. J. Semicond.  1980, 1(1): 54-64
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GaAs MESFET外延层中载流子浓度分布及漂移迁移率分布的实验测定
张友渝
Chin. J. Semicond.  1980, 1(1): 65-75
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一种由实验数据较准确计算内建电势的方法
陆懋权
Chin. J. Semicond.  1980, 1(1): 76-80
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