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Volume 9, Issue 5, May 1988

• CONTENTS

  n沟增强型InP MISFET研究

  江若琏, 郑有炓, 王仁康

  Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 451
  

  湿氢法开管镓扩散

  林玉松, 李萍

  Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 459
  

  PN结电容微分量频谱

  许铭真, 谭长华

  Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 465
  

  适用于亚微米沟道MO SFET的阈值电压解析模型

  汤庭鳌, CarlosAraujo, 陈登元, 章倩苓

  Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 473
  

  Ti/Si和Ti/O/Si界面相互作用的研究

  李宝骐, 季明荣, 吴建新, 许振嘉

  Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 484
  

  二硅化钨形成、结构和电性质的研究

  丁训良, 王忠烈, 钱亚宏

  Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 490
  

  氮离子注入形成的SOI结构的研究

  范缇文, 袁俊, L.M.Brown

  Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 497
  

  具有栅电流修正的肖特基势垒技术测量迁移率分布

  相奇, 汪立椿

  Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 502
  

  半导体激光器调制相位不均匀效应的实验研究

  潘贵生, 赵一广

  Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 513
  

  与GaAs中EL2能级有关的局域振动中心的模型计算

  钟学富, 江德生, 葛惟锟, 宋春英

  Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 517
  

  Pt/Si界面化学键性质的研究

  季明荣, 吴建新, 李宝骐, 许振嘉

  Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 524
  

  共溅法形成钽金属硅化物出现Ta_5Si_3的研究

  阎江, 马俊如

  Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 534
  

  一种能探测微光的硅光敏器件

  何民才, 黄启俊, 陈炳若

  Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 540
  

  难熔金属硅化物TiSi_2对硅的接触性能研究

  陈存礼, 张兴, 彭家腾

  Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 544
  

  太空熔体生长砷化镓单晶

  周伯骏, 钟兴儒, 曹福年, 林兰英, 达道安, 吴开林, 黄良甫, 郑松辉, 谢燮

  Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 548
  

  微重力条件下生长GaAs单晶的电学和光学性质研究

  王占国, 石志文, 徐寿定, 傅建明, 林兰英

  Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 553
  

  GaAs/AlAs超晶格中的TO声子限制模

  汪兆平, 韩和相, 李国华, 江德生

  Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 559
  

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