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Volume 17, Issue 8, Aug 1996

• CONTENTS

  温度对势垒区δ掺杂量子阱Si／Ge_（0．3）Si_（0．7）的电子能带结构的影响

  徐至中

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 561
  

  （100）和（111）BGaAs衬底上的In_（0．14）Ga_（0．86）As／GaAs量子阱的发光特性和光跃迁能量计算

  张晓波，刘颖，杜国同，殷景志

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 568
  

  稀磁半导体Zn_（1－x）Mn_xSe外延薄膜与超晶格的光学特性研究

  陈晞，王学忠，刘继周，陈辰嘉，王杰，凌震，王迅，王淑梅，吕少哲

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 573
  

  1．3μm直条形吸收区超辐射发光管的复折射率矢量束传播方法模拟

  赵铁民，陈维友，彭宇恒，刘式墉

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 578
  

  GaAs、Al_xGa_（1－x）As外延层少子扩散长度及霍耳迁移率的无接触测

  王宗欣，褚幼令

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 583
  

  MBE生长面发射激光器的原位厚度监测

  周增圻，潘钟，林耀望，吴荣汉，王圩

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 589
  

  一个检测半导体激光器质量的有效方法

  石家纬，金恩顺，李红岩，李正庭，郭树旭，高鼎三，余金中，郭良

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 595
  

  77KFowler－Nordheim电子注入和栅氧化层俘获特性研究

  刘卫东，李志坚，刘理天

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 601
  

  MOS结构中的两类慢界面态

  高文钰，严荣良，大西一功

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 607
  

  亚表面齐纳基准二极管可靠性的1／f噪声预测方法

  庄奕琪，孙青

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 611
  

  硅双极晶体管低温电流增益模型修正

  苏九令，常旭

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 617
  

  衬底正偏的MOSFET的近似模型

  陈萍，李志坚，刘理天

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 622
  

  新型GaAsD－MESFETDCFL单元电路

  王庆康

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 628
  

  高压大电流晶闸管受主双质掺杂新技术的研究

  刘秀喜，薛成山，林玉松，孙瑛，庄惠照

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 632
  

  低压MOVPE外延生长GaN膜的光致发光激发谱研究

  段家，张伯蕊，秦国刚，张国义，童玉珍，金泗轩，杨志坚，姚光庆

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 637
  

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