Issue Browser
Volume 17, Issue 9, Sep 1996
CONTENTS
MOCVD和GSMBE生长Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层中有序结构的研究
董建荣,李晓兵,孙殿照,陆大成,李建平,孔梅影,王占国
Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 641-645
Abstract PDF

宽禁带Ⅱ-Ⅵ族四元合金Zn_(1-x)Mg_xS_ySe_(1-y)成分的定量俄
靳彩霞,凌震,诸长生,俞根才,王杰,赵国珍
Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 646-650
Abstract PDF

1.48μm掺铒光纤放大器泵源
彭怀德,刘德钧,阎莉,王丽明,张洪琴,王仲明,夏彩虹,孙国喜
Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 651-654
Abstract PDF

测定半导体激光器源分布的一种有效方法
曾小东,梁昌洪
Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 655-658
Abstract PDF

扫描电子声显微镜在半导体材料分析中的应用
张冰阳,江福明,惠森兴,杨阳,姚烈,殷庆瑞
Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 659-663
Abstract PDF

用全扩散法制作MCT
张发生,周如培,周宝霞,陈治明.
Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 664-666
Abstract PDF

新型结构的1.3μm Ge_xSi_(1-x)/Si MQW波导探测器的优化设计
刘育梁,杨沁清,王启明
Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 667-673
Abstract PDF

小面积PN结的光电特性
尹长松,黄黎蓉
Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 674-676
Abstract PDF

集成电路功能成品率模拟与设计方法
郝跃,朱春翔,张卫东
Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 677-682
Abstract PDF

改进的电迁移独立失效元模型
李志宏,顾页,武国英,王阳元
Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 683-688
Abstract PDF

短沟道CMOS/SOI器件加固技术研究
张兴,奚雪梅,王阳元
Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 689-692
Abstract PDF

注氟SIMOX隐埋SiO_2的辐照感生电荷分布特性
竺士炀,林成鲁,高剑侠,李金华
Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 693-697
Abstract PDF

大剂量氧注入硅中的再分布理论及其快速计算
奚雪梅,赵清太,张兴,李映雪,王阳元,陈新,王佑祥
Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 698-705
Abstract PDF

MeV Si离子注入对BF_2注入Si样品特性的影响
赵清太,王忠烈
Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 706-712
Abstract PDF

a-SiN∶H的退火处理及其对a-Si∶H TFT性能与可靠性的影响
李秀京,陈治明,田敬民
Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 713-716
Abstract PDF

As~+注入Si_(1-x)Ge_x的快速退火行为
邹吕凡,王占国,孙殿照,何沙,范缇文,刘学锋,张靖巍
Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 717-720
Abstract PDF